The 12 references with contexts in paper A. Ivashko M., V. Kisel E., A. Yasukevich S., N. Kuleshov V., А. Ивашко М., В. Кисель Э., А. Ясюкевич С., Н. Кулешов В. (2015) “НЕПРЕРЫВНЫЙ Yb:YAG ЛАЗЕР ДЛЯ ПОРТАТИВНЫХ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ // CW Yb:YAG LASER FOR PORTABLE MEASURING SYSTEMS” / spz:neicon:pimi:y:2014:i:2:p:17-23

1
Koechner, W. Solid State Laser Engineering / W. Koechner. – Sixth Revised and Updated Edition. – New York : Springer, 2006. – 764 p.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=2275
    Prefix
    Получение лазерной генерации в данных средах происходит по четырехуровневой схеме, и, как следствие, они характеризуются низкими порогами генерации и достаточно высокой эффективностью
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    . Однако при использовании селективных источников накачки (лазерных диодов) данные материалы имеют существенный недостаток, ограничивающий возможность их применения, – это узкие полосы поглощения ионов Nd3+ [1, 2].

  2. In-text reference with the coordinate start=2491
    Prefix
    Однако при использовании селективных источников накачки (лазерных диодов) данные материалы имеют существенный недостаток, ограничивающий возможность их применения, – это узкие полосы поглощения ионов Nd3+
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    . Так, в кристалле Nd3+:Y3Al5O12 (YAG) полоса поглощения с максимумом в области 808 нм (переход 4I 9/2 → 4F 5/2+ 2H 9/2) имеет полуширину всего 2,5 нм [1]. Спектр излучения лазерных диодов достаточно узкий (полуширина 2–5 нм) и его положение имеет температурную зависимость с коэффициентом 0,25–0,35 нм/°С, что приводит к сильной деградации выходных характеристик лазера при изменени

  3. In-text reference with the coordinate start=2643
    Prefix
    Однако при использовании селективных источников накачки (лазерных диодов) данные материалы имеют существенный недостаток, ограничивающий возможность их применения, – это узкие полосы поглощения ионов Nd3+ [1, 2]. Так, в кристалле Nd3+:Y3Al5O12 (YAG) полоса поглощения с максимумом в области 808 нм (переход 4I 9/2 → 4F 5/2+ 2H 9/2) имеет полуширину всего 2,5 нм
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Спектр излучения лазерных диодов достаточно узкий (полуширина 2–5 нм) и его положение имеет температурную зависимость с коэффициентом 0,25–0,35 нм/°С, что приводит к сильной деградации выходных характеристик лазера при изменении температуры источника накачки на несколько градусов [3–7].

2
Лазеры на алюмоиттриевом гранате с неодимом / Г. М. Зверев [и др.]. – М. : Радио и связь, 1985. – 144 с.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2275
    Prefix
    Получение лазерной генерации в данных средах происходит по четырехуровневой схеме, и, как следствие, они характеризуются низкими порогами генерации и достаточно высокой эффективностью
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    . Однако при использовании селективных источников накачки (лазерных диодов) данные материалы имеют существенный недостаток, ограничивающий возможность их применения, – это узкие полосы поглощения ионов Nd3+ [1, 2].

  2. In-text reference with the coordinate start=2491
    Prefix
    Однако при использовании селективных источников накачки (лазерных диодов) данные материалы имеют существенный недостаток, ограничивающий возможность их применения, – это узкие полосы поглощения ионов Nd3+
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    . Так, в кристалле Nd3+:Y3Al5O12 (YAG) полоса поглощения с максимумом в области 808 нм (переход 4I 9/2 → 4F 5/2+ 2H 9/2) имеет полуширину всего 2,5 нм [1]. Спектр излучения лазерных диодов достаточно узкий (полуширина 2–5 нм) и его положение имеет температурную зависимость с коэффициентом 0,25–0,35 нм/°С, что приводит к сильной деградации выходных характеристик лазера при изменени

3
Jensen, T. Spectroscopic characterization and laser performance of diode-laser-pumped Nd:GdVO4 / T. Jensen [et al.] // Applied Physics B. – 1994. – Vol. 58. – Рp. 373–379.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2927
    Prefix
    Спектр излучения лазерных диодов достаточно узкий (полуширина 2–5 нм) и его положение имеет температурную зависимость с коэффициентом 0,25–0,35 нм/°С, что приводит к сильной деградации выходных характеристик лазера при изменении температуры источника накачки на несколько градусов
    Exact
    [3–7]
    Suffix
    . Альтернативой Nd3+-содержащим средам для получения генерации в области около 1 мкм являются материалы, легированные ионами Yb3+. Ионы Yb3+ (электронная конфигурация 4f13) обладают одним возбужденным состоянием 2F5/2 с энергией порядка 104 см-1, что хорошо подходит для использования в качестве источников накачки коммерчески доступных лазерных диодов на основе InGaAs,

4
Aull, Brian F., Vibronic interactions in Nd:YAG resulting in nonreciprocity of absorption and stimulated emission cross sections / Brian F. Aull, Hans P. Jenssen // IEEE Journal of Quantum Electronics. – 1982. – Vol. 18. – Рp. 925–930.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2927
    Prefix
    Спектр излучения лазерных диодов достаточно узкий (полуширина 2–5 нм) и его положение имеет температурную зависимость с коэффициентом 0,25–0,35 нм/°С, что приводит к сильной деградации выходных характеристик лазера при изменении температуры источника накачки на несколько градусов
    Exact
    [3–7]
    Suffix
    . Альтернативой Nd3+-содержащим средам для получения генерации в области около 1 мкм являются материалы, легированные ионами Yb3+. Ионы Yb3+ (электронная конфигурация 4f13) обладают одним возбужденным состоянием 2F5/2 с энергией порядка 104 см-1, что хорошо подходит для использования в качестве источников накачки коммерчески доступных лазерных диодов на основе InGaAs,

5
Streifer, W. Advances in diode laser pumps / W. Streifer [et al.] // IEEE Journal of Quantum Electronics. – 1988. – Volume 24. – Рр. 883–894.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2927
    Prefix
    Спектр излучения лазерных диодов достаточно узкий (полуширина 2–5 нм) и его положение имеет температурную зависимость с коэффициентом 0,25–0,35 нм/°С, что приводит к сильной деградации выходных характеристик лазера при изменении температуры источника накачки на несколько градусов
    Exact
    [3–7]
    Suffix
    . Альтернативой Nd3+-содержащим средам для получения генерации в области около 1 мкм являются материалы, легированные ионами Yb3+. Ионы Yb3+ (электронная конфигурация 4f13) обладают одним возбужденным состоянием 2F5/2 с энергией порядка 104 см-1, что хорошо подходит для использования в качестве источников накачки коммерчески доступных лазерных диодов на основе InGaAs,

6
Fan, T.Y. Diode laser-pumped solid-state lasers / T.Y. Fan, R.L. Byer // IEEE Journal of Quantum Electronics. – 1988. – Volume 24. – Рp. 895–912.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2927
    Prefix
    Спектр излучения лазерных диодов достаточно узкий (полуширина 2–5 нм) и его положение имеет температурную зависимость с коэффициентом 0,25–0,35 нм/°С, что приводит к сильной деградации выходных характеристик лазера при изменении температуры источника накачки на несколько градусов
    Exact
    [3–7]
    Suffix
    . Альтернативой Nd3+-содержащим средам для получения генерации в области около 1 мкм являются материалы, легированные ионами Yb3+. Ионы Yb3+ (электронная конфигурация 4f13) обладают одним возбужденным состоянием 2F5/2 с энергией порядка 104 см-1, что хорошо подходит для использования в качестве источников накачки коммерчески доступных лазерных диодов на основе InGaAs,

7
Reinberg, A.R. GaAs:Si LED pumped Yb-doped YAG laser / A.R. Reinberg [et al.] // Applied Physics Letters. – 1971. – Volume 19. – Рp. 11–13.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2927
    Prefix
    Спектр излучения лазерных диодов достаточно узкий (полуширина 2–5 нм) и его положение имеет температурную зависимость с коэффициентом 0,25–0,35 нм/°С, что приводит к сильной деградации выходных характеристик лазера при изменении температуры источника накачки на несколько градусов
    Exact
    [3–7]
    Suffix
    . Альтернативой Nd3+-содержащим средам для получения генерации в области около 1 мкм являются материалы, легированные ионами Yb3+. Ионы Yb3+ (электронная конфигурация 4f13) обладают одним возбужденным состоянием 2F5/2 с энергией порядка 104 см-1, что хорошо подходит для использования в качестве источников накачки коммерчески доступных лазерных диодов на основе InGaAs,

8
High efficient 12W diode-pumped actively Q-switched Yb:KGd(WO4)2 laser / V.E. Kisel, A.S. Rudenkov, N.V. Kuleshov, A.A.Pavlyuk // Optics Letters. – 2014. – Volume 39. – pp. 3038–3041.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5028
    Prefix
    Активные среды на основе ионов Yb3+ обладают сравнительно небольшим квантовым дефектом, что позволяет создавать лазеры с высокой средней мощностью и высоким качеством светового пучка при достаточно высоких мощностях накачки
    Exact
    [8–10]
    Suffix
    . Лазерные материалы, легированные ионами Yb3+, являются квазитрехуровневыми активными средами. В таких лазерных материалах термическое заселение подуровней как верхнего, так и нижнего лазерных уровней (мультиплетов) приводит к тому, что с излучением накачки и генерации взаимодействуют оба лазерных уровня.

9
Effect of ytterbium concentration on cw Yb:YAG microchip laser performance at ambient temperature – Part I: Experiments. / Jun Dong, A. Shirakawa, K.-I. Ueda, A.A. Kaminskii // Applied Physics B. – 2007. – Volume 89. – pp. 359–365.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5028
    Prefix
    Активные среды на основе ионов Yb3+ обладают сравнительно небольшим квантовым дефектом, что позволяет создавать лазеры с высокой средней мощностью и высоким качеством светового пучка при достаточно высоких мощностях накачки
    Exact
    [8–10]
    Suffix
    . Лазерные материалы, легированные ионами Yb3+, являются квазитрехуровневыми активными средами. В таких лазерных материалах термическое заселение подуровней как верхнего, так и нижнего лазерных уровней (мультиплетов) приводит к тому, что с излучением накачки и генерации взаимодействуют оба лазерных уровня.

10
Effect of ytterbium concentration on cw Yb:YAG microchip laser performance at ambient temperature – Part II: Theoretical modeling. / Jun Dong, A. Shirakawa, K.-I. Ueda, A.A. Kaminskii // Applied Physics B. – 2007. – Volume 89. – pp. 367–376.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5028
    Prefix
    Активные среды на основе ионов Yb3+ обладают сравнительно небольшим квантовым дефектом, что позволяет создавать лазеры с высокой средней мощностью и высоким качеством светового пучка при достаточно высоких мощностях накачки
    Exact
    [8–10]
    Suffix
    . Лазерные материалы, легированные ионами Yb3+, являются квазитрехуровневыми активными средами. В таких лазерных материалах термическое заселение подуровней как верхнего, так и нижнего лазерных уровней (мультиплетов) приводит к тому, что с излучением накачки и генерации взаимодействуют оба лазерных уровня.

11
Room-temperature 50-mJ/pulse side-diode-pumped Yb:YAG laser / Sumida D. S., Fan T. Y. // Optics Letters. – 1995. – Volume 20. – pp. 2384–2386.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6739
    Prefix
    Vp – объем, который занимает излучение накачки в активном элементе; Vl – объем пучка генерируемого излучения в активном элементе; Pinc – мощность излучения накачки на входе в активный элемент; thincP – пороговая мощность излучения накачки на входе в активный элемент. Время жизни иона Yb3+ на верхнем лазерном уровне, сечения поглощения и стимулированного испускания взяты из работ
    Exact
    [11, 12]
    Suffix
    . Концентрация ионов Yb3+ в активной среде составляла 10 ат.%. Моделирование проводилось для постоянного значения падающей мощности накачки – 6 Вт. На рисунке 1 приведены результаты численного моделирования работы лазера для значений пропускания выходного зеркала на длине волны генерации 3 %, 5 %, 10 % и 15 %.

12
Laser demonstration of Yb3Al5O12 (YbAG) and materials properties of highly doped Yb:YAG / Patel F. D., Honea E. C., Speth J., Payne S. A., Hutcheson R., Equall R. // IEEE Journal of Quantum Electronics. –2001. – Volume 37. – pp. 135–144.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6739
    Prefix
    Vp – объем, который занимает излучение накачки в активном элементе; Vl – объем пучка генерируемого излучения в активном элементе; Pinc – мощность излучения накачки на входе в активный элемент; thincP – пороговая мощность излучения накачки на входе в активный элемент. Время жизни иона Yb3+ на верхнем лазерном уровне, сечения поглощения и стимулированного испускания взяты из работ
    Exact
    [11, 12]
    Suffix
    . Концентрация ионов Yb3+ в активной среде составляла 10 ат.%. Моделирование проводилось для постоянного значения падающей мощности накачки – 6 Вт. На рисунке 1 приведены результаты численного моделирования работы лазера для значений пропускания выходного зеркала на длине волны генерации 3 %, 5 %, 10 % и 15 %.