The 18 references with contexts in paper A. Mudryi V., N. Refahati, V. Zhivulko D., M. Yakushev V., R. Martin W., А. Мудрый В., Н. Рефахати, В. Живулько Д., М. Якушев В., Р. Мартин В. (2015) “ДЕГРАДАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Cu(In,Ga)Se2 ПРИ ЭЛЕКТРОННОМ ОБЛУЧЕНИИ // DEGRADATION OF SOLAR CELLS PARAMETERS FABRICATED ON THE BASIS OF Cu(In,Ga)Se2 SEMICONDUCTOR SOLID SOLUTIONS UNDER ELECTRON IRRADIATION” / spz:neicon:pimi:y:2014:i:1:p:106-114

1
Contreras, M.A. Wide band gap Cu(In,Ga)Se2 solar cells with improved energy conversion efficiency / M.A. Contreras [et al.] // Prog. Photovolt. Appl. Res. – 2012. – Vol. 20, Is. 7. – P. 843–850.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1737
    Prefix
    Введение На современном этапе развития полупроводниковой фотоэнергетики все большее внимание уделяется созданию фотопреобразователей солнечной энергии на основе твердых растворов Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) как наиболее эффективных, дешевых и перспективных материалов
    Exact
    [1]
    Suffix
    . В соответствии с последними достижениями коэффициент полезного действия (КПД) солнечных элементов на основе твердых растворов CIGS составляет 19,8–20,3 % [2; 3]. Эти значения КПД солнечных элементов превышают известные значени я для фотопреобразователей солнечной энергии, созданных на основе различных полупроводников – CdTe ≈ 19,6 %, аморфный кремний α-Si:H ≈ 10,1 %, микрокрист

2
Jackson, P. New world record efficiency for Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells beyond 20 % / P. Jackson [et al.] // Prog. Photovolt. Appl. Res. – 2011. – Vol. 19, Is. 7. – P. 894–897.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1904
    Prefix
    полупроводниковой фотоэнергетики все большее внимание уделяется созданию фотопреобразователей солнечной энергии на основе твердых растворов Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) как наиболее эффективных, дешевых и перспективных материалов [1]. В соответствии с последними достижениями коэффициент полезного действия (КПД) солнечных элементов на основе твердых растворов CIGS составляет 19,8–20,3 %
    Exact
    [2; 3]
    Suffix
    . Эти значения КПД солнечных элементов превышают известные значени я для фотопреобразователей солнечной энергии, созданных на основе различных полупроводников – CdTe ≈ 19,6 %, аморфный кремний α-Si:H ≈ 10,1 %, микрокристаллический кремний ≈ 10,8 % [3].

3
Green, M.A. Solar cells efficiency tables (version
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=1904
    Prefix
    полупроводниковой фотоэнергетики все большее внимание уделяется созданию фотопреобразователей солнечной энергии на основе твердых растворов Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) как наиболее эффективных, дешевых и перспективных материалов [1]. В соответствии с последними достижениями коэффициент полезного действия (КПД) солнечных элементов на основе твердых растворов CIGS составляет 19,8–20,3 %
    Exact
    [2; 3]
    Suffix
    . Эти значения КПД солнечных элементов превышают известные значени я для фотопреобразователей солнечной энергии, созданных на основе различных полупроводников – CdTe ≈ 19,6 %, аморфный кремний α-Si:H ≈ 10,1 %, микрокристаллический кремний ≈ 10,8 % [3].

  2. In-text reference with the coordinate start=2167
    Prefix
    Эти значения КПД солнечных элементов превышают известные значени я для фотопреобразователей солнечной энергии, созданных на основе различных полупроводников – CdTe ≈ 19,6 %, аморфный кремний α-Si:H ≈ 10,1 %, микрокристаллический кремний ≈ 10,8 %
    Exact
    [3]
    Suffix
    . Для использования солнечных элементов и модулей на основе тонких поликристаллических пленок CIGS в космосе, а также в устройствах и системах, подвергающихся воздействию проникающей радиации, (высокоэнергетические электроны, протоны, нейтроны и др.) требуется постановка исследований по изучению деградации основных характеристик материалов и параметров солнечных элементов.

4
M.A. Green [et. al.] Prog. Photovolt. Appl. Res. – 2014. – Vol. 22, Is. 1. – P. 1–9. 4. Jasenek, A. Defect generation in Cu(In,Ga)Se2 heterojunction solar cells by high-energy electron and proton irradiation / A. Jasenek, U. Rau // J. Appl. Phys. – 2001. – Vol. 9, No 2. – P. 650–658.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2641
    Prefix
    пленок CIGS в космосе, а также в устройствах и системах, подвергающихся воздействию проникающей радиации, (высокоэнергетические электроны, протоны, нейтроны и др.) требуется постановка исследований по изучению деградации основных характеристик материалов и параметров солнечных элементов. Однако в этом направлении сегодня проведен ограниченный объем исследований
    Exact
    [4–6]
    Suffix
    . Для установления достоверных физических причин изменения параметров солнечных элементов при радиационных воздействиях требуется проведение дополнительных исследований как на базовых полупроводниковых поликристаллических пленках CIGS, так и на солнечных элементах, созданных на их основе.

5
Мудрый, А.В. Радиационные дефекты в тонких пленках Cu(In,Ga)Se2 при высокоэнергетическом электроном облучении / А.В. Мудрый [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии. – 2005. – T. 7 2, No 6. – С. 805–808.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2641
    Prefix
    пленок CIGS в космосе, а также в устройствах и системах, подвергающихся воздействию проникающей радиации, (высокоэнергетические электроны, протоны, нейтроны и др.) требуется постановка исследований по изучению деградации основных характеристик материалов и параметров солнечных элементов. Однако в этом направлении сегодня проведен ограниченный объем исследований
    Exact
    [4–6]
    Suffix
    . Для установления достоверных физических причин изменения параметров солнечных элементов при радиационных воздействиях требуется проведение дополнительных исследований как на базовых полупроводниковых поликристаллических пленках CIGS, так и на солнечных элементах, созданных на их основе.

6
Morioka, G. First flight demonstration of filmlaminated InGaP/GaAs and CIGS thin film solar cells by JAXA’S small satellite in LEO / G. Morioka [et al.] // Prog. Photovolt. Appl. Res. – 2011. – Vol. 19, Is. 7. – P. 825–833.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2641
    Prefix
    пленок CIGS в космосе, а также в устройствах и системах, подвергающихся воздействию проникающей радиации, (высокоэнергетические электроны, протоны, нейтроны и др.) требуется постановка исследований по изучению деградации основных характеристик материалов и параметров солнечных элементов. Однако в этом направлении сегодня проведен ограниченный объем исследований
    Exact
    [4–6]
    Suffix
    . Для установления достоверных физических причин изменения параметров солнечных элементов при радиационных воздействиях требуется проведение дополнительных исследований как на базовых полупроводниковых поликристаллических пленках CIGS, так и на солнечных элементах, созданных на их основе.

7
Gabor, A.M. High-efficiency CuInxGa1-xSe2 solar cells made from (Inx, Ga1-x)2Se3 precursor films / A.M. Gabor [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 1994. – Vol. 65, Is. 2. – P. 198–200.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6198
    Prefix
    После этого на слое молибдена с использованием метода термического испарения элементов Cu, In, Ga и Se из открытых тиглей в камере с высоким вакуумом осаждались базовые поглощающие слои CIGS в соответствии с технологией
    Exact
    [7]
    Suffix
    . Скорость испарения элементов Cu, In, Ga контролировалась путем управляемого изменения мощности разогрева соответствующих источников (тиглей). Скорость испарения Se контролировалась регулировкой температуры тигля.

8
Shafarman, W.N. Cu(In,Ga)Se2 Sollar Cells / W.N. Shafarman, L.Stolt // in Handbook of Photovoltaic Science and Enginering. Edited by A. Luque and S. Hegedus. – John Wiley and Sons, Ltd. – 2003. – P. 567–616.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9186
    Prefix
    В наших экспериментах тонкие пленки CIGS обладали p-типом проводимости за счет автолегирования ростовыми дефектами акцепторного типа, что характерно для данного материала, и имели концентрацию дырок ≈ 2·1016 см-3
    Exact
    [8]
    Suffix
    . По измерению оптического пропускания, проведенного нами при комнатной температуре, ширина запрещенной зоны Eg пленок CIGS составила Eg ≈ 1,23 эВ, для буферного слоя CdS ≈ 2,42 эВ, i-ZnO ≈ 3,41 эВ и ZnO:Al ≈ ≈ 3,52 эВ (рисунок 1б).

9
Мудрый, А.В. Дефектообразование в тонких пленках халькопиритных полупроводни-ков Cu(In,Ga)Se2 при облучении протонами / А.В. Мудрый [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2006. – No 11. – С. 35 –38.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=10837
    Prefix
    Эти данные согласуются с ранее полученными результатами, показывающими, что основные радиационные эффекты в пленках и солнечных элементах, облученных электронами или протонами, связаны с образованием радиационных дефектов в базовых слоях CIGS и на границе этого слоя с буферным слоем CdS, т.е. на границе гетероструктур CdS/CIGS
    Exact
    [9–12]
    Suffix
    . Поэтому основное внимание в настоящей работе было уделено сравнитель- ному анализу физических свойств необлученных и облученных базовых слоев CIGS и солнечных элементов со структурой ZnO:Al/i-ZnO/CdS/CIGS/подложка.

  2. In-text reference with the coordinate start=11553
    Prefix
    Основные относительно интенсивные рефлексы 112, 220/204, 312/116 в области углов дифракции 2 ≈ 27,32; 44,95; 53,55, соо тветственно, свидетельствуют о наличии кристаллической решетки со структурой халькопирита
    Exact
    [9; 10]
    Suffix
    . Степень преимущественной ориентации для пленки CIGS, оце ненная по отношению интенсивностей рефлексов I112/I220/204, составила ≈ 2,7, что указывает на преимущественную ориентацию зерен поликристаллической структуры в направлении <112>.

10
Короткий, А.В. Структурные и оптические свойства гетероструктур CdS / Cu(In,Ga)Se2, облученных высокоэнергетическими электронами / А.В. Короткий [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии. – 2010. – Т. 77, No 5. – С. 725–731.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=10837
    Prefix
    Эти данные согласуются с ранее полученными результатами, показывающими, что основные радиационные эффекты в пленках и солнечных элементах, облученных электронами или протонами, связаны с образованием радиационных дефектов в базовых слоях CIGS и на границе этого слоя с буферным слоем CdS, т.е. на границе гетероструктур CdS/CIGS
    Exact
    [9–12]
    Suffix
    . Поэтому основное внимание в настоящей работе было уделено сравнитель- ному анализу физических свойств необлученных и облученных базовых слоев CIGS и солнечных элементов со структурой ZnO:Al/i-ZnO/CdS/CIGS/подложка.

  2. In-text reference with the coordinate start=11553
    Prefix
    Основные относительно интенсивные рефлексы 112, 220/204, 312/116 в области углов дифракции 2 ≈ 27,32; 44,95; 53,55, соо тветственно, свидетельствуют о наличии кристаллической решетки со структурой халькопирита
    Exact
    [9; 10]
    Suffix
    . Степень преимущественной ориентации для пленки CIGS, оце ненная по отношению интенсивностей рефлексов I112/I220/204, составила ≈ 2,7, что указывает на преимущественную ориентацию зерен поликристаллической структуры в направлении <112>.

11
Hirose, Y. Optical and electrical properties of electron-irradiated Cu(In,Ga)Se2 solar cells / Y. Hirose [et al.] // Thin Solid Film. – 2011. – Vol. 519. – P. 7321–7323.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=10837
    Prefix
    Эти данные согласуются с ранее полученными результатами, показывающими, что основные радиационные эффекты в пленках и солнечных элементах, облученных электронами или протонами, связаны с образованием радиационных дефектов в базовых слоях CIGS и на границе этого слоя с буферным слоем CdS, т.е. на границе гетероструктур CdS/CIGS
    Exact
    [9–12]
    Suffix
    . Поэтому основное внимание в настоящей работе было уделено сравнитель- ному анализу физических свойств необлученных и облученных базовых слоев CIGS и солнечных элементов со структурой ZnO:Al/i-ZnO/CdS/CIGS/подложка.

12
Hirose, Y. Effects of proton irradiation on optical and electrical properties of Cu(In,Ga)Se2 solar cells / Y. Hirose [et al.] // Japan. J. Appl. Phys. – 2012. – Vol. 51. – P. 111802-1–111802-4.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=10837
    Prefix
    Эти данные согласуются с ранее полученными результатами, показывающими, что основные радиационные эффекты в пленках и солнечных элементах, облученных электронами или протонами, связаны с образованием радиационных дефектов в базовых слоях CIGS и на границе этого слоя с буферным слоем CdS, т.е. на границе гетероструктур CdS/CIGS
    Exact
    [9–12]
    Suffix
    . Поэтому основное внимание в настоящей работе было уделено сравнитель- ному анализу физических свойств необлученных и облученных базовых слоев CIGS и солнечных элементов со структурой ZnO:Al/i-ZnO/CdS/CIGS/подложка.

13
Grzeta-Plenkovic, B. Crystal data for AgGaxIn1-xSe2 and CuGaxIn1-xSe2/ B. Grzeta-Plenkovic [et al.] // Appl. Cryst. – 1980. – Vol. 13, Part 3. – P. 311–315.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=13698
    Prefix
    Сопоставление вычисленных нами параметров элементарной ячейки со значениями, полученными ранее для твердых растворов CuIn1-xGaxSe2 в широком диапазоне составов 0 < x < 1, указывает на то, что пленки CIGS, исследовавшиеся в настоящей работе, имеют состав x ≈ 0,29
    Exact
    [13–15]
    Suffix
    . На рисунке 3 показаны профили распределения атомов по толщине базовых слоев CIGS, получен ных методом СОЭС при послойном распылении пленок пучками ионов аргона. Как видно из рисунка 3, атомы Cu и Se распределены практически однородно по толщине пленки, концентрация In уменьшается от поверхности пленки к стеклянной подложке, а концентрация Ga наоборот увеличивается.

14
Tinoco, T. Phase Diagram and Optical Energy Gaps for CuInyGa1-ySe2 Alloys / T. Tinoco [et al.] // Phys. Stat. Sol. (a). – 1991. – Vol. 124, Is. 2. – P. 427–434.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=13698
    Prefix
    Сопоставление вычисленных нами параметров элементарной ячейки со значениями, полученными ранее для твердых растворов CuIn1-xGaxSe2 в широком диапазоне составов 0 < x < 1, указывает на то, что пленки CIGS, исследовавшиеся в настоящей работе, имеют состав x ≈ 0,29
    Exact
    [13–15]
    Suffix
    . На рисунке 3 показаны профили распределения атомов по толщине базовых слоев CIGS, получен ных методом СОЭС при послойном распылении пленок пучками ионов аргона. Как видно из рисунка 3, атомы Cu и Se распределены практически однородно по толщине пленки, концентрация In уменьшается от поверхности пленки к стеклянной подложке, а концентрация Ga наоборот увеличивается.

15
Friedrich, E.J. X-ray Difraction Data and Rietveld refinement of CuGaxIn1-xSe2 (x = 0.15 and x = 0.50) / E.J. Friedrich [et al.] // Power Diffraction. – 2010. – Vol. 25, Is. 3. – P. 253–257.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=13698
    Prefix
    Сопоставление вычисленных нами параметров элементарной ячейки со значениями, полученными ранее для твердых растворов CuIn1-xGaxSe2 в широком диапазоне составов 0 < x < 1, указывает на то, что пленки CIGS, исследовавшиеся в настоящей работе, имеют состав x ≈ 0,29
    Exact
    [13–15]
    Suffix
    . На рисунке 3 показаны профили распределения атомов по толщине базовых слоев CIGS, получен ных методом СОЭС при послойном распылении пленок пучками ионов аргона. Как видно из рисунка 3, атомы Cu и Se распределены практически однородно по толщине пленки, концентрация In уменьшается от поверхности пленки к стеклянной подложке, а концентрация Ga наоборот увеличивается.

16
Мудрый, А.В. Структурные и оптические свойства тонких пленок полупроводниковых соединений Cu(In,Ga)Se2 c различным химическим составом / А.В. Мудрый [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии. – 2010. – Т. 77, No 3. – С. 400–406.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=15208
    Prefix
    Эксперименты показали, что значение ширины запрещенной зоны Eg ≈ 1,23 эВ (рисунок 1) при наличии градиента состава x по толщине базового слоя CIGS определяется поглощением в области приближенной к подложке, для которой характерно более высокое усредненное значение состава x ≈ 0,37. Полученное значение Eg ≈ 1,23 эВ для x ≈ 0,37 соо тветс твует данным
    Exact
    [16]
    Suffix
    . На рисунке 4 показана морфология поверхности и п оперечный скол базового слоя, сформированного на контактном слое молибдена, полученные с использованием ме- т ода СЭМ. а б Рисунок 4 – Морфология поверхности (а) и фрагмент поперечного скола (б) тонкой пленки CIGS Как видно, средний размер кристаллитов составляет ≈ 0,3–1,2 мкм.

17
Zhang, S.B. Defect physics of the CuInSe2 chalcopyrite semiconductor / S.B. Zhang [et al.] // Phys. Rev. B. – 1998. – Vol. 57, No 16 – P. 9642–9656.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=20273
    Prefix
    Предполагается, что индуцированные электронным облучением центры рекомбинации могут быть отнесены к собственным структурным дефектам – атомам меди, замещающим индий CuIn, или атомам индия, замещающим медь InCu, (полоса 0,93 эВ), и вакансиям индия VIn (полоса 0,75 эВ) в соответствии с данными работы
    Exact
    [17]
    Suffix
    . Образование радиационных дефектов при облучении электронами с энергией 3 МэВ с глубокими энергетическими уровнями 0,28 эВ и 0,50 эВ в солнечных элементах на основе CIGS было обнаружено по электрическим измерениям (спектроскопия полной проводимости) [18].

18
Weinert, K. Consequence of 3-MeV electron irradiation on the photovoltaic output parame- ters of Cu(In,Ga)Se2 solar cells / K. Weinert [et. al.] // Thin Solid Films. – 2003. – Vol. 431– 432. – P. 453–456.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=20532
    Prefix
    Образование радиационных дефектов при облучении электронами с энергией 3 МэВ с глубокими энергетическими уровнями 0,28 эВ и 0,50 эВ в солнечных элементах на основе CIGS было обнаружено по электрическим измерениям (спектроскопия полной проводимости)
    Exact
    [18]
    Suffix
    . Отметим, что энергетическое положение эти х уровней близко к положению глу боких рекомбинационных уровней, определенных в настоящей работе. Таким образом, основываясь на этом, можно утверждать, что деградация параметров солнечных элементов при увеличении дозы электронного облучения обусловлена увеличением концентрации радиационных дефектов (центров рекомбинации), уменьшением