The 38 references with contexts in paper O. Poklonskaya N., О. Поклонская Н. (2015) “МЕТОДИКА ОЦЕНКИ КОЭФФИЦИЕНТА ПОГЛОЩЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В БОРСОДЕРЖАЩИХ АЛМАЗАХ ПО ИНТЕНСИВНОСТИ ЕГО КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ // TECHNIQUE OF ESTIMATE OF ABSORPTION COEFFICIENT LASER RADIATION IN BORON DOPED DIAMONDS BY INTENSITY OF RAMAN SCATTERING” / spz:neicon:pimi:y:2013:i:2:p:73-79

1
Wort, C.J.H. Diamond as an electronic material / C.J.H. Wort, R.S. Balmer // Mater. Today. – 2008. – Vol. 11, No 1–2. – P. 22–28.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=1541
    Prefix
    (E-mail: olga.poklonskaya@tut.by) Ключевые слова: монокристаллы синтетического алмаза, легирование атомами бора, комбинационное рассеяние света, коэффициент поглощения излучения лазера. Введение Синтетические алмазы перспективны для применения в высоковольтной и силовой электронике
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    , радиационно стойких детекторах заряженных частиц [3], в качестве подложек для эпитаксиальных технологий [4], а также электродов для электрохимии [5, 6]. Атомы бора относительно равномерно «растворяются» в алмазах до концентраций NB ≈ 1022 см3 (см., например, [7]), придавая им электропроводность pтипа.

  2. In-text reference with the coordinate start=13616
    Prefix
    d) и нелегированного (символ ud) образцов алмаза: AR(d)  S   dex 0 AR(z)Jex(z)dz   S[Jex(0)]2                   s sexd2exp1 2 , AR(ud)  AR(d)(δs  2dex)  S[Jex(0)]2dex. Так что отношение интегральной интенсивности линии КРС легированного бором кристалла алмаза AR(d) к интегральной интенсивности линии КРС нелегированного кристалла AR(ud) есть:
    Exact
    [1exp(2)]
    Suffix
    2 1 () () sex sex ud R d Rd Ad A   . (8) Рассчитанные по формуле (8) значения коэффициента поглощения света (αs  1/δs) с учетом экспериментальных данных на рисунке 3 представлены на рисунке 4. 1017101810191020 0 0,01 0,1 1 #4 #5 #3 #2 #1 NB , см3 Рисунок 4 – Зависимость среднего значения коэффициента поглощения света (αs  1/δs) с длиной волны 532 нм в монокристаллах синтети

2
Вавилов, B.C. Алмаз в твердотельной электронике / B.C. Вавилов // УФН. – 1997. – Т. 167, No 1. – С. 17–22.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1541
    Prefix
    (E-mail: olga.poklonskaya@tut.by) Ключевые слова: монокристаллы синтетического алмаза, легирование атомами бора, комбинационное рассеяние света, коэффициент поглощения излучения лазера. Введение Синтетические алмазы перспективны для применения в высоковольтной и силовой электронике
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    , радиационно стойких детекторах заряженных частиц [3], в качестве подложек для эпитаксиальных технологий [4], а также электродов для электрохимии [5, 6]. Атомы бора относительно равномерно «растворяются» в алмазах до концентраций NB ≈ 1022 см3 (см., например, [7]), придавая им электропроводность pтипа.

3
Радиационно стойкие детекторы заряженных частиц на основе монокристаллов синтетического алмаза / К.Г. Афанасьев [и др.] // Вестн. БГУ. Сер. 1. – 2010. – No 3. – С. 47–50.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1598
    Prefix
    (E-mail: olga.poklonskaya@tut.by) Ключевые слова: монокристаллы синтетического алмаза, легирование атомами бора, комбинационное рассеяние света, коэффициент поглощения излучения лазера. Введение Синтетические алмазы перспективны для применения в высоковольтной и силовой электронике [1, 2], радиационно стойких детекторах заряженных частиц
    Exact
    [3]
    Suffix
    , в качестве подложек для эпитаксиальных технологий [4], а также электродов для электрохимии [5, 6]. Атомы бора относительно равномерно «растворяются» в алмазах до концентраций NB ≈ 1022 см3 (см., например, [7]), придавая им электропроводность pтипа.

4
Шаронов, Г.В. Исследование дефектности поверхности монокристаллических подложек синтетического алмаза для эпитаксиальных технологий / Г.В. Шаронов, С.А. Петров // Вестн. БГУ. Сер. 1. – 2011. – No 2. – С. 49–52.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1654
    Prefix
    Введение Синтетические алмазы перспективны для применения в высоковольтной и силовой электронике [1, 2], радиационно стойких детекторах заряженных частиц [3], в качестве подложек для эпитаксиальных технологий
    Exact
    [4]
    Suffix
    , а также электродов для электрохимии [5, 6]. Атомы бора относительно равномерно «растворяются» в алмазах до концентраций NB ≈ 1022 см3 (см., например, [7]), придавая им электропроводность pтипа.

5
Luong, J.H.T. Boron-doped diamond electrode: synthesis, characterization, functionalization and analytical applications / J.H.T. Luong, K.B. Male, J.D. Glennon // Analyst. – 2009. – Vol. 134, No 10. – P. 1965–1979.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1699
    Prefix
    Введение Синтетические алмазы перспективны для применения в высоковольтной и силовой электронике [1, 2], радиационно стойких детекторах заряженных частиц [3], в качестве подложек для эпитаксиальных технологий [4], а также электродов для электрохимии
    Exact
    [5, 6]
    Suffix
    . Атомы бора относительно равномерно «растворяются» в алмазах до концентраций NB ≈ 1022 см3 (см., например, [7]), придавая им электропроводность pтипа. Такие легированные алмазы используются для исследования и в практических разработках.

6
Плесков, Ю.В. Электрохимия алмаза / Ю.В. Плесков. – М. : УРСС. – 104 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1699
    Prefix
    Введение Синтетические алмазы перспективны для применения в высоковольтной и силовой электронике [1, 2], радиационно стойких детекторах заряженных частиц [3], в качестве подложек для эпитаксиальных технологий [4], а также электродов для электрохимии
    Exact
    [5, 6]
    Suffix
    . Атомы бора относительно равномерно «растворяются» в алмазах до концентраций NB ≈ 1022 см3 (см., например, [7]), придавая им электропроводность pтипа. Такие легированные алмазы используются для исследования и в практических разработках.

7
Highly and heavily boron doped diamond films / A. Deneuville [et al.] // Diamond Relat. Mater. – 2007. – Vol. 16, No 4–7. – P. 915–920.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1815
    Prefix
    Введение Синтетические алмазы перспективны для применения в высоковольтной и силовой электронике [1, 2], радиационно стойких детекторах заряженных частиц [3], в качестве подложек для эпитаксиальных технологий [4], а также электродов для электрохимии [5, 6]. Атомы бора относительно равномерно «растворяются» в алмазах до концентраций NB ≈ 1022 см3 (см., например,
    Exact
    [7]
    Suffix
    ), придавая им электропроводность pтипа. Такие легированные алмазы используются для исследования и в практических разработках. В работе [8] предложен метод генерации терагерцевого электромагнитного излучения, основанный на создании спектрально ограниченной инверсии населенностей между подзонами легких и тяжелых дырок в валентной зоне высококачественных кристаллов алмаза p-типа.

8
Кукушкин, В.А. Генерация терагерцевого излучения в высококачественных алмазных образцах / В.А. Кукушкин // ФТТ. – 2009. – Т. 51, No 9. – С. 1716–1721.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1958
    Prefix
    Атомы бора относительно равномерно «растворяются» в алмазах до концентраций NB ≈ 1022 см3 (см., например, [7]), придавая им электропроводность pтипа. Такие легированные алмазы используются для исследования и в практических разработках. В работе
    Exact
    [8]
    Suffix
    предложен метод генерации терагерцевого электромагнитного излучения, основанный на создании спектрально ограниченной инверсии населенностей между подзонами легких и тяжелых дырок в валентной зоне высококачественных кристаллов алмаза p-типа.

9
Концевой, Ю.А. Методы исследования свойств алмазов, алмазных и алмазоподобных пле- нок / Ю.А. Концевой // Заводская лаборатория. – 1995. – Т. 61, No 4. – С. 26–34.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2588
    Prefix
    Использование синтетических монокристаллов алмаза в приборостроении предполагает отбор пригодных образцов из алмазного сырья. Для этого предложено достаточно много оптических методов исследования свойств алмазов
    Exact
    [9]
    Suffix
    . Например, в работе [10] предложено использовать полуширину Г1332 линии 1332 см1 в спектре КРС в качестве критерия совершенства кристаллической структуры алмаза. В работе [11] наблюдалась ясная зависимость положения максимума линии 1332 см1 (сдвиг в область низких частот) при увеличении концентрации бора NB в нанокристаллических алмазных пленках.

10
Гончаров, В.К. Новые углеродные материалы на основе монокристаллов синтетического алмаза и алмазоподобных пленок для микроэлектроники / В.К. Гончаров, Г.А. Гусаков, М.В. Пузырев // Вестник БГУ. Сер. 1. – 2006. – No 3. – С. 27–34.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2615
    Prefix
    Использование синтетических монокристаллов алмаза в приборостроении предполагает отбор пригодных образцов из алмазного сырья. Для этого предложено достаточно много оптических методов исследования свойств алмазов [9]. Например, в работе
    Exact
    [10]
    Suffix
    предложено использовать полуширину Г1332 линии 1332 см1 в спектре КРС в качестве критерия совершенства кристаллической структуры алмаза. В работе [11] наблюдалась ясная зависимость положения максимума линии 1332 см1 (сдвиг в область низких частот) при увеличении концентрации бора NB в нанокристаллических алмазных пленках.

  2. In-text reference with the coordinate start=3623
    Prefix
    Образцы, методика и результаты измерений Исследовались образцы монокристаллов алмаза, синтезированные в РУП «Адамас-БГУ» методом температурного градиента в системе Fe–Ni–C (элементы этой технологии обсуждаются в работах
    Exact
    [10, 13]
    Suffix
    ). Бор вводился в алмазы в процессе их синтеза из шихты. Концентрация атомов бора NB в образцах (см. таблицу) определялась на вторично-ионном масс-спектрометре IMS-4F Cameca (Франция); ГЦ «Белмикроанализ» ОАО «Интеграл».

11
Electronic and optical properties of boron-doped nanocrystalline diamond films / W. Gajewski [et al.] // Phys. Rev. B. – 2009. – Vol. 79, No 4. – P. 045206 (14 pp.).
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2769
    Prefix
    Для этого предложено достаточно много оптических методов исследования свойств алмазов [9]. Например, в работе [10] предложено использовать полуширину Г1332 линии 1332 см1 в спектре КРС в качестве критерия совершенства кристаллической структуры алмаза. В работе
    Exact
    [11]
    Suffix
    наблюдалась ясная зависимость положения максимума линии 1332 см1 (сдвиг в область низких частот) при увеличении концентрации бора NB в нанокристаллических алмазных пленках. В работе [12] найдена корреляция между Г1332 и энергией термической ионизации атомов бора (как водородоподобных акцепторов).

12
Raman scattering in boron-doped single-crystal diamond used to fabricate Schottky diode detectors / G. Faggio [et al.] // J. Quant. Spectrosc. Radiat. Transf. – 2012. – Vol. 113, No 18. – P. 2476–2481.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2962
    Prefix
    В работе [11] наблюдалась ясная зависимость положения максимума линии 1332 см1 (сдвиг в область низких частот) при увеличении концентрации бора NB в нанокристаллических алмазных пленках. В работе
    Exact
    [12]
    Suffix
    найдена корреляция между Г1332 и энергией термической ионизации атомов бора (как водородоподобных акцепторов). Цель работы – оценить величину коэффициента поглощения излучения лазера в легированных атомами бора синтетических монокристаллах алмаза по интегральной интенсивности линии 1332 см1 КРС кристаллической решеткой.

13
Оптические свойства монокристаллов синтетических алмазов / А.В. Мудрый [и др.] // ФТП. – 2004. – Т. 38, No 5. – С. 538–542.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3623
    Prefix
    Образцы, методика и результаты измерений Исследовались образцы монокристаллов алмаза, синтезированные в РУП «Адамас-БГУ» методом температурного градиента в системе Fe–Ni–C (элементы этой технологии обсуждаются в работах
    Exact
    [10, 13]
    Suffix
    ). Бор вводился в алмазы в процессе их синтеза из шихты. Концентрация атомов бора NB в образцах (см. таблицу) определялась на вторично-ионном масс-спектрометре IMS-4F Cameca (Франция); ГЦ «Белмикроанализ» ОАО «Интеграл».

14
Zaitsev, A.M. Optical properties of diamond: a data handbook / A.M. Zaitsev. – Berlin: Springer, 2001. – 502 p.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=5241
    Prefix
    Измерения проводились при комнатной температуре на воздухе. Спектры КРС регистрировались из пяти точек в центральной части поверхности (100) алмаза на расстоянии приблизительно 5 мкм одна от другой. Согласно
    Exact
    [14, 15]
    Suffix
    , показатель преломления алмаза n  2,426 для   532 нм. Заметим, что если фокусировка лазерного излучения происходит в глубине алмаза на расстоянии f от его поверхности, то в приближении геометрической оптики [16] имеем соотношение: f  nf0[cosβ/cosα]  nf0, где f0 – расстояние до фокальной плоскости микроскопа КРСспектрометра без учета преломления излучения на границе возду

  2. In-text reference with the coordinate start=6444
    Prefix
    В легированном кристалле, если δs  dex, рассеянный свет выходит из приповерхностного слоя алмаза толщиной примерно δs  1/αs, где αs – коэффициент поглощения излучения на длине волны   532 нм. Рисунок 1 – Схема регистрации рассеянного света при фокусировке конфокальным микроскопом КРС-спектрометра пучка лазерного излучения на поверхности алмаза Согласно
    Exact
    [14, 17]
    Suffix
    коэффициент отражения лазерного излучения (  532 нм) от поверхности алмаза составляет  0,1732. Оценим возможное влияние свободных дырок, появляющихся в v-зоне алмаза вследствие легирования его бором, на изменение коэффициента отражения в нашем эксперименте.

15
Пихтин, А.Н. Рефракция света в полупроводниках / А.Н. Пихтин, А.Д. Яськов // ФТП. – 1988. – Т. 22, No 6. – С. 969–991.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5241
    Prefix
    Измерения проводились при комнатной температуре на воздухе. Спектры КРС регистрировались из пяти точек в центральной части поверхности (100) алмаза на расстоянии приблизительно 5 мкм одна от другой. Согласно
    Exact
    [14, 15]
    Suffix
    , показатель преломления алмаза n  2,426 для   532 нм. Заметим, что если фокусировка лазерного излучения происходит в глубине алмаза на расстоянии f от его поверхности, то в приближении геометрической оптики [16] имеем соотношение: f  nf0[cosβ/cosα]  nf0, где f0 – расстояние до фокальной плоскости микроскопа КРСспектрометра без учета преломления излучения на границе возду

16
Пул, Ч. Справочное руководство по физике / Ч. Пул. – М.: Мир, 2001. – 461 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5468
    Prefix
    Согласно [14, 15], показатель преломления алмаза n  2,426 для   532 нм. Заметим, что если фокусировка лазерного излучения происходит в глубине алмаза на расстоянии f от его поверхности, то в приближении геометрической оптики
    Exact
    [16]
    Suffix
    имеем соотношение: f  nf0[cosβ/cosα]  nf0, где f0 – расстояние до фокальной плоскости микроскопа КРСспектрометра без учета преломления излучения на границе воздух-алмаз; α, β – углы между нормалью к плоской поверхности алмаза и образующей зондирующего светового пучка в воздухе (α) и внутри алмаза (β).

17
Соболев, В.В. Тонкая структура диэлектрической проницаемости алмаза / В.В. Соболев, А.П. Тимонов, В.В. Соболев // ФТП. – 2000. – Т. 34, No 8. – С. 940–946.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6444
    Prefix
    В легированном кристалле, если δs  dex, рассеянный свет выходит из приповерхностного слоя алмаза толщиной примерно δs  1/αs, где αs – коэффициент поглощения излучения на длине волны   532 нм. Рисунок 1 – Схема регистрации рассеянного света при фокусировке конфокальным микроскопом КРС-спектрометра пучка лазерного излучения на поверхности алмаза Согласно
    Exact
    [14, 17]
    Suffix
    коэффициент отражения лазерного излучения (  532 нм) от поверхности алмаза составляет  0,1732. Оценим возможное влияние свободных дырок, появляющихся в v-зоне алмаза вследствие легирования его бором, на изменение коэффициента отражения в нашем эксперименте.

18
Гроссе, П. Свободные электроны в твердых телах / П. Гроссе. – М. : Мир, 1982. – 270 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6806
    Prefix
    Оценим возможное влияние свободных дырок, появляющихся в v-зоне алмаза вследствие легирования его бором, на изменение коэффициента отражения в нашем эксперименте. Плазменная угловая частота ωpl для дырок vзоны исследуемых монокристаллов
    Exact
    [18, 19]
    Suffix
    : ωpl  pp p pm e m ep     22 , (1) где e – элементарный заряд; p – концентрация дырок; mp  m0 – оптическая эффективная масса дырки, иначе – эффективная масса электропроводности дырки [20]; m0 – масса электрона в вакууме; ε  5,7ε0 – статическая диэлектрическая проницаемость алмаза; ε0  8,85 пФ/м – электрическая постоянная; σp – удельная электропроводность алмаза на постоянно

19
Dressel, M. Electrodynamics of solids: optical properties of electrons in matter / M. Dressel, G. Grüner // Cambridge: Cambridge University Press, 2002. – 486 p.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=6806
    Prefix
    Оценим возможное влияние свободных дырок, появляющихся в v-зоне алмаза вследствие легирования его бором, на изменение коэффициента отражения в нашем эксперименте. Плазменная угловая частота ωpl для дырок vзоны исследуемых монокристаллов
    Exact
    [18, 19]
    Suffix
    : ωpl  pp p pm e m ep     22 , (1) где e – элементарный заряд; p – концентрация дырок; mp  m0 – оптическая эффективная масса дырки, иначе – эффективная масса электропроводности дырки [20]; m0 – масса электрона в вакууме; ε  5,7ε0 – статическая диэлектрическая проницаемость алмаза; ε0  8,85 пФ/м – электрическая постоянная; σp – удельная электропроводность алмаза на постоянно

  2. In-text reference with the coordinate start=10567
    Prefix
    для удобства восприятия; ud – специально нелегированный бором образец Обсуждение результатов Опираясь на практику КРС (см., например, [31–33]), дадим элементарную интерпретацию полученных нами результатов (рисунок 3) в рамках классической электродинамики световых пучков. Считаем, что электрическая Eex и магнитная Hex компоненты излучения лазера в алмазе изменяются как
    Exact
    [19, 34]
    Suffix
    : Eex  exp[i(kz  ωt)], Hex  exp[i(kz  ωt)], (4) где i – мнимая единица; k  k1  ik2 – комплексное волновое число; z – координата вдоль электрической компоненты светового поля внутри образца алмаза; ω – угловая частота излучения лазера; t – время.

20
Adachi, S. Properties of group-IV, III-V and II-VI semiconductors / S. Adachi. – Chippenham, Wiley, 2005. – 387 p.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7064
    Prefix
    Плазменная угловая частота ωpl для дырок vзоны исследуемых монокристаллов [18, 19]: ωpl  pp p pm e m ep     22 , (1) где e – элементарный заряд; p – концентрация дырок; mp  m0 – оптическая эффективная масса дырки, иначе – эффективная масса электропроводности дырки
    Exact
    [20]
    Suffix
    ; m0 – масса электрона в вакууме; ε  5,7ε0 – статическая диэлектрическая проницаемость алмаза; ε0  8,85 пФ/м – электрическая постоянная; σp – удельная электропроводность алмаза на постоянном токе; μp – подвижность «свободных» дырок, 1 i 11 lp [21]; μi – подвижность дырок, ограниченная их рассеянием на ионизированных примесях, μl   2100 см2/(В·с) – подвижность дырок,

21
Бонч-Бруевич, В.Л. Физика полупроводни- ков / В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. – М. : Наука, 1990. – 688 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7316
    Prefix
    заряд; p – концентрация дырок; mp  m0 – оптическая эффективная масса дырки, иначе – эффективная масса электропроводности дырки [20]; m0 – масса электрона в вакууме; ε  5,7ε0 – статическая диэлектрическая проницаемость алмаза; ε0  8,85 пФ/м – электрическая постоянная; σp – удельная электропроводность алмаза на постоянном токе; μp – подвижность «свободных» дырок, 1 i 11 lp
    Exact
    [21]
    Suffix
    ; μi – подвижность дырок, ограниченная их рассеянием на ионизированных примесях, μl   2100 см2/(В·с) – подвижность дырок, ограниченная их рассеянием дырок на колебаниях кристаллической решетки алмаза при комнатной температуре [22, 23].

22
Semiconductors: Data handbook / Ed. O. Madelung. – Berlin : Springer, 2004. – 691 p.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7553
    Prefix
    м – электрическая постоянная; σp – удельная электропроводность алмаза на постоянном токе; μp – подвижность «свободных» дырок, 1 i 11 lp [21]; μi – подвижность дырок, ограниченная их рассеянием на ионизированных примесях, μl   2100 см2/(В·с) – подвижность дырок, ограниченная их рассеянием дырок на колебаниях кристаллической решетки алмаза при комнатной температуре
    Exact
    [22, 23]
    Suffix
    . Для оценки величины ωpl примем линейную аппроксимацию в двойном логарифмическом масштабе экспериментальных данных по электропроводности σp и подвижности μi монокристаллов алмаза [24–27]: lg(σp/(Ом1·см1))  24,0  1,19lg(NB/см3), lg(μi/(см 2 ·В 1 ·с 1 ))  20,1  0,958lg(NB/см 3 ), (2) в интервале концентраций атомов бора NB   1·1017–2·1020 см3 и степени их компе

23
Hall hole mobility in boron-doped homoepitaxial diamond / J. Pernot [et al.] // Phys. Rev. B. – 2010. – V. 81, No 20. – P. 205203 (7 pp.).
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7553
    Prefix
    м – электрическая постоянная; σp – удельная электропроводность алмаза на постоянном токе; μp – подвижность «свободных» дырок, 1 i 11 lp [21]; μi – подвижность дырок, ограниченная их рассеянием на ионизированных примесях, μl   2100 см2/(В·с) – подвижность дырок, ограниченная их рассеянием дырок на колебаниях кристаллической решетки алмаза при комнатной температуре
    Exact
    [22, 23]
    Suffix
    . Для оценки величины ωpl примем линейную аппроксимацию в двойном логарифмическом масштабе экспериментальных данных по электропроводности σp и подвижности μi монокристаллов алмаза [24–27]: lg(σp/(Ом1·см1))  24,0  1,19lg(NB/см3), lg(μi/(см 2 ·В 1 ·с 1 ))  20,1  0,958lg(NB/см 3 ), (2) в интервале концентраций атомов бора NB   1·1017–2·1020 см3 и степени их компе

24
Comparison of the electrical properties of simultaneously deposited homoepitaxial and po- lycrystalline diamond films / D.M. Malta [et al.] // J. Appl. Phys. – 1995. – Vol. 77, No 4. – P. 1536–1545.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7744
    Prefix
    рассеянием на ионизированных примесях, μl   2100 см2/(В·с) – подвижность дырок, ограниченная их рассеянием дырок на колебаниях кристаллической решетки алмаза при комнатной температуре [22, 23]. Для оценки величины ωpl примем линейную аппроксимацию в двойном логарифмическом масштабе экспериментальных данных по электропроводности σp и подвижности μi монокристаллов алмаза
    Exact
    [24–27]
    Suffix
    : lg(σp/(Ом1·см1))  24,0  1,19lg(NB/см3), lg(μi/(см 2 ·В 1 ·с 1 ))  20,1  0,958lg(NB/см 3 ), (2) в интервале концентраций атомов бора NB   1·1017–2·1020 см3 и степени их компенсации ≈ 0,1 атомами азота.

25
Borst, T.H. Boron-doped homoepitaxial diamond layers: Fabrication, characterization, and electronic applications / T.H. Borst, O. Weis // Phys. Status Solidi A. – 1996. – Vol. 154, No 1. – P. 423–444.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7744
    Prefix
    рассеянием на ионизированных примесях, μl   2100 см2/(В·с) – подвижность дырок, ограниченная их рассеянием дырок на колебаниях кристаллической решетки алмаза при комнатной температуре [22, 23]. Для оценки величины ωpl примем линейную аппроксимацию в двойном логарифмическом масштабе экспериментальных данных по электропроводности σp и подвижности μi монокристаллов алмаза
    Exact
    [24–27]
    Suffix
    : lg(σp/(Ом1·см1))  24,0  1,19lg(NB/см3), lg(μi/(см 2 ·В 1 ·с 1 ))  20,1  0,958lg(NB/см 3 ), (2) в интервале концентраций атомов бора NB   1·1017–2·1020 см3 и степени их компенсации ≈ 0,1 атомами азота.

26
Lagrange, J.-P. A large range of boron doping with low compensation ratio for homoepitaxial diamond films / J.-P. Lagrange, A. Deneuville, E. Gheeraert // Carbon. – 1999. – Vol. 37, No 5. – P. 807–810.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7744
    Prefix
    рассеянием на ионизированных примесях, μl   2100 см2/(В·с) – подвижность дырок, ограниченная их рассеянием дырок на колебаниях кристаллической решетки алмаза при комнатной температуре [22, 23]. Для оценки величины ωpl примем линейную аппроксимацию в двойном логарифмическом масштабе экспериментальных данных по электропроводности σp и подвижности μi монокристаллов алмаза
    Exact
    [24–27]
    Suffix
    : lg(σp/(Ом1·см1))  24,0  1,19lg(NB/см3), lg(μi/(см 2 ·В 1 ·с 1 ))  20,1  0,958lg(NB/см 3 ), (2) в интервале концентраций атомов бора NB   1·1017–2·1020 см3 и степени их компенсации ≈ 0,1 атомами азота.

27
Compensation in boron-doped CVD diamond / M. Gabrysch [et al.] // Phys. Status. Solidi A. – 2008. – Vol. 205, No 9. – P. 2190–2194.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7744
    Prefix
    рассеянием на ионизированных примесях, μl   2100 см2/(В·с) – подвижность дырок, ограниченная их рассеянием дырок на колебаниях кристаллической решетки алмаза при комнатной температуре [22, 23]. Для оценки величины ωpl примем линейную аппроксимацию в двойном логарифмическом масштабе экспериментальных данных по электропроводности σp и подвижности μi монокристаллов алмаза
    Exact
    [24–27]
    Suffix
    : lg(σp/(Ом1·см1))  24,0  1,19lg(NB/см3), lg(μi/(см 2 ·В 1 ·с 1 ))  20,1  0,958lg(NB/см 3 ), (2) в интервале концентраций атомов бора NB   1·1017–2·1020 см3 и степени их компенсации ≈ 0,1 атомами азота.

28
Грибковский, В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках / В.П. Гриб- ковский. – Минск : Наука и техника, 1975. – 464 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8357
    Prefix
    Так как частота излучения лазера ω/2π  563 ТГц (где ω   2πc/λ; c  299792458 м/с – скорость света в вакууме) гораздо больше плазменной частоты (ω  ωpl) для всех кристаллов, то изменением коэффициента отражения света за счет плазменного отражения дырками v-зоны можно пренебречь
    Exact
    [28, 29]
    Suffix
    . Считаем в соответствии с экспериментом, что контур линии (распределение интенсивности IR комбинационно рассеянного света по частоте νR; рисунок 2) имеет форму линии Лоренца [30]: IR(νR)  Ibg(νR)  IR(max)Г2/(4(νR  νR(с))2  Г2)   (2AR/π)Г/(4(νR  νR(с))2  Г2), (3) где Ibg(νR) – фон, на котором «размещается» алмазная линия νR(с)  1332 см1; IR(max)  I1332 – пиковая интенсив

29
Уханов, Ю.И. Оптические свойства полупроводников / Ю.И. Уханов. – М. : Наука, 1977. – 368 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8357
    Prefix
    Так как частота излучения лазера ω/2π  563 ТГц (где ω   2πc/λ; c  299792458 м/с – скорость света в вакууме) гораздо больше плазменной частоты (ω  ωpl) для всех кристаллов, то изменением коэффициента отражения света за счет плазменного отражения дырками v-зоны можно пренебречь
    Exact
    [28, 29]
    Suffix
    . Считаем в соответствии с экспериментом, что контур линии (распределение интенсивности IR комбинационно рассеянного света по частоте νR; рисунок 2) имеет форму линии Лоренца [30]: IR(νR)  Ibg(νR)  IR(max)Г2/(4(νR  νR(с))2  Г2)   (2AR/π)Г/(4(νR  νR(с))2  Г2), (3) где Ibg(νR) – фон, на котором «размещается» алмазная линия νR(с)  1332 см1; IR(max)  I1332 – пиковая интенсив

30
Лоудон, Р. Квантовая теория света / Р. Лоудон. – М. : Мир, 1976. – 488 с.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=8542
    Prefix
    скорость света в вакууме) гораздо больше плазменной частоты (ω  ωpl) для всех кристаллов, то изменением коэффициента отражения света за счет плазменного отражения дырками v-зоны можно пренебречь [28, 29]. Считаем в соответствии с экспериментом, что контур линии (распределение интенсивности IR комбинационно рассеянного света по частоте νR; рисунок 2) имеет форму линии Лоренца
    Exact
    [30]
    Suffix
    : IR(νR)  Ibg(νR)  IR(max)Г2/(4(νR  νR(с))2  Г2)   (2AR/π)Г/(4(νR  νR(с))2  Г2), (3) где Ibg(νR) – фон, на котором «размещается» алмазная линия νR(с)  1332 см1; IR(max)  I1332 – пиковая интенсивность (при νR  νR(с)); Г – ширина линии (в единицах частоты νR) на полувысоте; AR   (π/2)IR(max)Г – площадь под лоренцевой кривой (интегральная интенсивность алмазной линии νR(с)

  2. In-text reference with the coordinate start=12672
    Prefix
    среды существенно влияют на ее макроскопические диэлектрическую и магнитную проницаемости.) Далее будем оперировать величиной 2k2  1/αs, где αs – коэффициент поглощения лазерного излучения в алмазе. Это частично оправдано тем, что атомы бора в алмазе образуют с другими примесями и собственными дефектами глубокие уровни в запрещенной энергетической зоне алмаза [38]. Известно
    Exact
    [30–33]
    Suffix
    , что интегральная интенсивность AR сигнала КРС пропорциональна Eex2 в исследуемом образце, т.е. |exp[2i(kz  ωt)]|. Точнее, интегральная интенсивность КРС на кристаллической решетке алмаза на расстоянии z от его поверхности есть: AR(z)  Jex(z), (6) где Jex(z)  [Eex(z)]2 – интенсивность возбуждающего алмаз света на глубине z.

31
Сущинский, М.М. Комбинационное рассеяние света и строение вещества / М.М. Сущинский. – М. : Наука, 1981. – 183 с.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=10322
    Prefix
    3 – Экспериментальные зависимости интегральной интенсивности (A1332) и полуширины (Г1332) линии комбинационного рассеяния света (νR(с)   1332 см1) в монокристаллах синтетического алмаза p-типа от концентрации атомов бора; штриховые линии проведены для удобства восприятия; ud – специально нелегированный бором образец Обсуждение результатов Опираясь на практику КРС (см., например,
    Exact
    [31–33]
    Suffix
    ), дадим элементарную интерпретацию полученных нами результатов (рисунок 3) в рамках классической электродинамики световых пучков. Считаем, что электрическая Eex и магнитная Hex компоненты излучения лазера в алмазе изменяются как [19, 34]: Eex  exp[i(kz  ωt)], Hex  exp[i(kz  ωt)], (4) где i – мнимая единица; k  k1  ik2 – комплексное волновое число; z – координата вдоль эл

  2. In-text reference with the coordinate start=12672
    Prefix
    среды существенно влияют на ее макроскопические диэлектрическую и магнитную проницаемости.) Далее будем оперировать величиной 2k2  1/αs, где αs – коэффициент поглощения лазерного излучения в алмазе. Это частично оправдано тем, что атомы бора в алмазе образуют с другими примесями и собственными дефектами глубокие уровни в запрещенной энергетической зоне алмаза [38]. Известно
    Exact
    [30–33]
    Suffix
    , что интегральная интенсивность AR сигнала КРС пропорциональна Eex2 в исследуемом образце, т.е. |exp[2i(kz  ωt)]|. Точнее, интегральная интенсивность КРС на кристаллической решетке алмаза на расстоянии z от его поверхности есть: AR(z)  Jex(z), (6) где Jex(z)  [Eex(z)]2 – интенсивность возбуждающего алмаз света на глубине z.

32
Демтрёдер, В. Лазерная спектроскопия: Основные принципы и техника эксперимента / В. Демтрёдер. – М. : Наука, 1985. – 608 с.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=10322
    Prefix
    3 – Экспериментальные зависимости интегральной интенсивности (A1332) и полуширины (Г1332) линии комбинационного рассеяния света (νR(с)   1332 см1) в монокристаллах синтетического алмаза p-типа от концентрации атомов бора; штриховые линии проведены для удобства восприятия; ud – специально нелегированный бором образец Обсуждение результатов Опираясь на практику КРС (см., например,
    Exact
    [31–33]
    Suffix
    ), дадим элементарную интерпретацию полученных нами результатов (рисунок 3) в рамках классической электродинамики световых пучков. Считаем, что электрическая Eex и магнитная Hex компоненты излучения лазера в алмазе изменяются как [19, 34]: Eex  exp[i(kz  ωt)], Hex  exp[i(kz  ωt)], (4) где i – мнимая единица; k  k1  ik2 – комплексное волновое число; z – координата вдоль эл

  2. In-text reference with the coordinate start=12672
    Prefix
    среды существенно влияют на ее макроскопические диэлектрическую и магнитную проницаемости.) Далее будем оперировать величиной 2k2  1/αs, где αs – коэффициент поглощения лазерного излучения в алмазе. Это частично оправдано тем, что атомы бора в алмазе образуют с другими примесями и собственными дефектами глубокие уровни в запрещенной энергетической зоне алмаза [38]. Известно
    Exact
    [30–33]
    Suffix
    , что интегральная интенсивность AR сигнала КРС пропорциональна Eex2 в исследуемом образце, т.е. |exp[2i(kz  ωt)]|. Точнее, интегральная интенсивность КРС на кристаллической решетке алмаза на расстоянии z от его поверхности есть: AR(z)  Jex(z), (6) где Jex(z)  [Eex(z)]2 – интенсивность возбуждающего алмаз света на глубине z.

33
Фальковский, Л.А. Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света / Л.А. Фальковский // УФН. – 2004. – Т. 174, No 3. – С. 259–283.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=10322
    Prefix
    3 – Экспериментальные зависимости интегральной интенсивности (A1332) и полуширины (Г1332) линии комбинационного рассеяния света (νR(с)   1332 см1) в монокристаллах синтетического алмаза p-типа от концентрации атомов бора; штриховые линии проведены для удобства восприятия; ud – специально нелегированный бором образец Обсуждение результатов Опираясь на практику КРС (см., например,
    Exact
    [31–33]
    Suffix
    ), дадим элементарную интерпретацию полученных нами результатов (рисунок 3) в рамках классической электродинамики световых пучков. Считаем, что электрическая Eex и магнитная Hex компоненты излучения лазера в алмазе изменяются как [19, 34]: Eex  exp[i(kz  ωt)], Hex  exp[i(kz  ωt)], (4) где i – мнимая единица; k  k1  ik2 – комплексное волновое число; z – координата вдоль эл

  2. In-text reference with the coordinate start=12672
    Prefix
    среды существенно влияют на ее макроскопические диэлектрическую и магнитную проницаемости.) Далее будем оперировать величиной 2k2  1/αs, где αs – коэффициент поглощения лазерного излучения в алмазе. Это частично оправдано тем, что атомы бора в алмазе образуют с другими примесями и собственными дефектами глубокие уровни в запрещенной энергетической зоне алмаза [38]. Известно
    Exact
    [30–33]
    Suffix
    , что интегральная интенсивность AR сигнала КРС пропорциональна Eex2 в исследуемом образце, т.е. |exp[2i(kz  ωt)]|. Точнее, интегральная интенсивность КРС на кристаллической решетке алмаза на расстоянии z от его поверхности есть: AR(z)  Jex(z), (6) где Jex(z)  [Eex(z)]2 – интенсивность возбуждающего алмаз света на глубине z.

34
Афанасьев, С.А. Потоки энергии при интерференции электромагнитных волн / С.А. Афанасьев, Д.И. Семенцов // УФН. – 2008. – Т. 178, No 4. – С. 377–384.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=10567
    Prefix
    для удобства восприятия; ud – специально нелегированный бором образец Обсуждение результатов Опираясь на практику КРС (см., например, [31–33]), дадим элементарную интерпретацию полученных нами результатов (рисунок 3) в рамках классической электродинамики световых пучков. Считаем, что электрическая Eex и магнитная Hex компоненты излучения лазера в алмазе изменяются как
    Exact
    [19, 34]
    Suffix
    : Eex  exp[i(kz  ωt)], Hex  exp[i(kz  ωt)], (4) где i – мнимая единица; k  k1  ik2 – комплексное волновое число; z – координата вдоль электрической компоненты светового поля внутри образца алмаза; ω – угловая частота излучения лазера; t – время.

  2. In-text reference with the coordinate start=11322
    Prefix
    Плоская однородная и линейно поляризованная световая волна (излучение лазера), распространяющаяся в материале с магнитной μ  μ1  iμ2 и диэлектрической ε  ε1  iε2 проницаемостями, характеризуется комплексным волновым числом k   ωεμ  k1  ik2; постоянная распространения k1 и коэффициент затухания k2 определяются соотношениями
    Exact
    [34, 35]
    Suffix
    : 11122|||| 2   k, 21122|||| 2   k, (5) где |ε|  2221, |μ|  2221. Электрическая компонента Eex обусловливает как КСР, так и нерезонансное поглощение мощности излучения лазера образцом.

35
Инвертирование сигнала электронного спинового резонанса каменных углей / Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, О.Н. Поклонская, Н.М. Лапчук, С. Мунхцэцэг // Журн. прикл. спектр. – 2013. – Т. 80, No 3. – С. 379–384.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=11322
    Prefix
    Плоская однородная и линейно поляризованная световая волна (излучение лазера), распространяющаяся в материале с магнитной μ  μ1  iμ2 и диэлектрической ε  ε1  iε2 проницаемостями, характеризуется комплексным волновым числом k   ωεμ  k1  ik2; постоянная распространения k1 и коэффициент затухания k2 определяются соотношениями
    Exact
    [34, 35]
    Suffix
    : 11122|||| 2   k, 21122|||| 2   k, (5) где |ε|  2221, |μ|  2221. Электрическая компонента Eex обусловливает как КСР, так и нерезонансное поглощение мощности излучения лазера образцом.

36
Понявина, А.Н. Эффективные оптические постоянные композитных материалов с произвольной объемной концентрацией нановключений / А.Н. Понявина, С.М. Качан, Е.Е. Целеш // Журн. прикл. спектр. – 2012. – Т. 79, No 5. – С. 765–773.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12232
    Prefix
    В области оптических длин электромагнитных волн сложно вычислить величину k2 для синтетического алмаза из-за проявления в величинах ε и μ микронеоднородностей в распределении примесей и собственных дефектов. (В работах
    Exact
    [36, 37]
    Suffix
    теоретически показано, что микронеоднородности среды существенно влияют на ее макроскопические диэлектрическую и магнитную проницаемости.) Далее будем оперировать величиной 2k2  1/αs, где αs – коэффициент поглощения лазерного излучения в алмазе.

37
Бакаев, В.В. Магнитная проницаемость и остаточная намагниченность двухфазной случайно неоднородной среды / В.В. Бакаев, А.А. Снарский, М.В. Шамонин // ЖТФ. – 2002. – Т. 72, No 1. – С. 129–132.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12232
    Prefix
    В области оптических длин электромагнитных волн сложно вычислить величину k2 для синтетического алмаза из-за проявления в величинах ε и μ микронеоднородностей в распределении примесей и собственных дефектов. (В работах
    Exact
    [36, 37]
    Suffix
    теоретически показано, что микронеоднородности среды существенно влияют на ее макроскопические диэлектрическую и магнитную проницаемости.) Далее будем оперировать величиной 2k2  1/αs, где αs – коэффициент поглощения лазерного излучения в алмазе.

38
Deep hole traps in boron-doped diamond / P. Muret [et al.] // Phys. Rev. B. – 2010. – Vol. 81, No 23. – P. 235205 (11 pp.).
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12657
    Prefix
    микронеоднородности среды существенно влияют на ее макроскопические диэлектрическую и магнитную проницаемости.) Далее будем оперировать величиной 2k2  1/αs, где αs – коэффициент поглощения лазерного излучения в алмазе. Это частично оправдано тем, что атомы бора в алмазе образуют с другими примесями и собственными дефектами глубокие уровни в запрещенной энергетической зоне алмаза
    Exact
    [38]
    Suffix
    . Известно [30–33], что интегральная интенсивность AR сигнала КРС пропорциональна Eex2 в исследуемом образце, т.е. |exp[2i(kz  ωt)]|. Точнее, интегральная интенсивность КРС на кристаллической решетке алмаза на расстоянии z от его поверхности есть: AR(z)  Jex(z), (6) где Jex(z)  [Eex(z)]2 – интенсивность возбуждающего алмаз света на глубине z.