The 8 references with contexts in paper R. Vorobey I., O. Gusev K., A. Zharin L., A. Petlitsky N., V. Pilipenko A., A. Turtsevitch S., A. Tyavlovsky K., K. Tyavlovsky L., Р. Воробей И., О. Гусев К., А. Жарин Л., А. Петлицкий Н., В. Пилипенко А., А. Турцевич С., А. Тявловский К., К. Тявловский Л. (2015) “КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПО ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН // STUDY OF SILICON-INSULATOR STRUCTURE DEFECTS BASED ON ANALYSIS OF A SPATIAL DISTRIBUTION OF A SEMICONDUCTOR WAFERS’ SURFACE POTENTIAL” / spz:neicon:pimi:y:2013:i:2:p:67-72

1
Емельянов, В.А. Системы качества в микроэлектронике / В.А. Емельянов. – Минск : Бел. наука, 1997. – 143 с.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=1908
    Prefix
    Например, при доле дефектности партий ИС в пределах 0,01 % (одна дефектная схема на 10 000), процент отказов печатных плат, на которых смонтировано по 100 ИС, составит 1. А уже при дефектности партий ИС в пределах 1 %, выход годных печатных плат составит 63,4 %, т.е. процент дефектных плат будет равен 36,6
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Расходы на восстановление РЭА при отказе полупроводниковых изделий (ППИ) в эксплуатации выше на порядок, чем расходы на восстановление работоспособности аппаратуры при ее изготовлении [2]. В настоящее время общеприняты два основных направления увеличения надежности выпускаемых партий ППИ: – устранение причин отказов при изготовлении изделий путем изучения и усовершенствования п

  2. In-text reference with the coordinate start=3284
    Prefix
    Наиболее распространенные методы межоперационного контроля основаны либо на использовании тестовых структур [4], либо на измерении усредненных по площади пластины физических параметров приборных структур
    Exact
    [1]
    Suffix
    . При этом для выявления причин отказов приборных структур, проявляющихся через незаряд Qox, создающий на диэлектрике падение напряжения Uox. Структура в целом является электронейтральной, что обеспечивается наличием в подповерхностном слое полупроводника равного по величине и противоположного по знаку заряда QSC, формирующего область пространственного заряда (ОПЗ

2
Горлов, М. И. Технологические отбраковочные и диагностические испытания полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, В.А. Емельянов, Д. Л. Ануфриев. – Минск : Бел. наука, 2006. –
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2097
    Prefix
    А уже при дефектности партий ИС в пределах 1 %, выход годных печатных плат составит 63,4 %, т.е. процент дефектных плат будет равен 36,6 [1]. Расходы на восстановление РЭА при отказе полупроводниковых изделий (ППИ) в эксплуатации выше на порядок, чем расходы на восстановление работоспособности аппаратуры при ее изготовлении
    Exact
    [2]
    Suffix
    . В настоящее время общеприняты два основных направления увеличения надежности выпускаемых партий ППИ: – устранение причин отказов при изготовлении изделий путем изучения и усовершенствования производственного процесса и повышения контроля, т.е. воздействие на процесс производства посредством обратной связи передачи информации и создания в конечном счете бездефектной т

3
7 с. 3. Коледов, Л.А. Технология и конструкция микросхем, микропроцессоров и микросборок / Л.А. Коледов. – СПб. : Лань, 2009. – 400 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2825
    Prefix
    информации и создания в конечном счете бездефектной технологии; – выявление и удаление изделий с отказами (действительными и потенциальными) из готовой партии до поставки потребителю. При этом наиболее эффективным методом повышения качества и надежности выпускаемых изделий является первый метод. Технология изготовления ИС включает большое число разнообразных операций
    Exact
    [3]
    Suffix
    , причем результат проведения каждой из них во влиянии на выходные параметры ИС проявляется не сразу после проведения этой операции даже при наличии контроля параметров технологического процесса и слоев приборных структур.

4
Белоус, А.И. Тестовые структуры в системах управления качеством интегральных микросхем / А.И. Белоус, А.В. Емельянов, Г.Г. Чигирь. – Минск : Интегралполиграф. 2008. – 208 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3184
    Prefix
    большое число разнообразных операций [3], причем результат проведения каждой из них во влиянии на выходные параметры ИС проявляется не сразу после проведения этой операции даже при наличии контроля параметров технологического процесса и слоев приборных структур. Наиболее распространенные методы межоперационного контроля основаны либо на использовании тестовых структур
    Exact
    [4]
    Suffix
    , либо на измерении усредненных по площади пластины физических параметров приборных структур [1]. При этом для выявления причин отказов приборных структур, проявляющихся через незаряд Qox, создающий на диэлектрике падение напряжения Uox.

5
Shroeder, D.K. Contactless surface charge semiconductor characterization / D.K. Shroeder // Materials Science and Engineering. – 2002. – No 91–92. – P. 196–210.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12355
    Prefix
    При этом измеренные по методу Кельвина–Зисмана абсолютные значения потенциала поверхности не могут быть однозначно интерпретированы вследствие неопределенности и нестабильности работы выхода электрона с поверхности чувствительного элемента зонда Кельвина. В то же время известно, что значения работы выхода электрона существенно изменяются в окрестности дефектов поверхности
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Таким образом, относительные изменения потенциала по поверхности полупроводниковой пластины отражают распределение дефектов, что позволяет выявлять и определять локализацию последних. Полученная визуализированная картина распределения дефектов находится в хорошем согласии с данными о том, что края кремниевых пластин подвержены более сильному воздействию дефектообразующих факторов

6
Zisman, W.A. A new method of measuring contact potential differences in metals / W.A. Zisman // Review Of Scientific Instruments. – 1932. – V. 3. – P. 367.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=4582
    Prefix
    образцом зонда Кельвина происходит выравнивание уровней Ферми, что в методе Кельвина–Зисмана обеспечивается наличием внешней электрической цепи, в которую включен источник компенсирующей ЭДС UCPD. Тогда в состоянии равновесия будет соблюдаться условие: , (1) откуда: (2) Величина UCPD носит название контактной разности потенциалов (КРП)
    Exact
    [6]
    Suffix
    и характеризует разность потенциалов поверхности полупроводниковой пластины и чувствительного элемента зонда Кельвина. Поскольку последний при практических измерениях принимается за ноль, значение UCPD численно равно потенциалу поверхности полупроводниковой пластины.

7
Kronik, L. Surface photovoltage phenomena: theory, experiment, and applications / L. Kronik, Y. Shapira // Surface Science Reports. – 1999. – V. 37. – P. 1–206.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6315
    Prefix
    Дополнительную информацию о полупроводниковой структуре можно получить, оказав на полупроводниковую пластину внешнее воздействие для контролируемого изменения структуры энергетических уровней. Как неоднократно указывалось в литературе
    Exact
    [7]
    Suffix
    , интенсивное освещение поверхности полупроводника светом с энергией квантов более ширины запрещенной зоны приводит к спрямлению энергетических зон вблизи поверхности. Таким образом, как видно из рисунка 1, величину изгиба энергетических зон eUSС можно определить, измерив потенциал поверхности UCPD в темноте (при наличии изгиба зон) и при интенсивном освещении (в условиях

8
Wilson, M.S. New COCOS (Corona Oxide Characterization of Semiconductor) Method for Monitoring the Reliability of Thin Gate Oxides / M.S. Wilson [et al.] // Electrochemical Society Proceedings. – 1999. – V. 99–16. – P. 373–384.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9969
    Prefix
    одну и ту же величину – около минус 18 мэВ, без какойлибо корреляции с толщиной диэлектрика (что хорошо согласуется с теоретическими выкладками, согласно которым само по себе наличие диэлектрика не меняет структуры энергетических уровней проводников и полупроводников). Таким образом, без использования дополнительного воздействия (например, воздействия коронным разрядом
    Exact
    [8]
    Suffix
    ), используемый метод Кельвина–Зисмана позволяет характеризовать поверхность полупроводника под диэлектриком, но не дает информации о диэлектрике. По краям образца, в особенности в его правой части, наблюдаются значительные скопления дефектов двух типов: со значениями изгиба энергетических зон порядка минус 70 мэВ и порядка плюс 15 мэВ.