The 4 references with contexts in paper S. Chizhik A., S. Basalaev P., V. Pilipenko A., A. Khudoley L., T. Kuznetsova A., V. Chikunov V., A. Suslov A., С. Чижик А., С. Басалаев П., В. Пилипенко А., А. Худолей Л., Т. Кузнецова А., В. Чикунов В., А. Суслов А. (2015) “КОМПЛЕКС ДЛЯ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ СУБМИКРОННОЙ ТОПОЛОГИИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ // EQUIPMENT FOR NONDESTRUCTIVE TESTING OF SILICON WAFERS SUBMICRON TOPOLOGY DURING THE FABRICATION OF INTEGRATED CIRCUITS” / spz:neicon:pimi:y:2013:i:1:p:14-18

1
Сканирующий зондовый микроскоп, совмещенный с оптическим микроскопом: пат. 2244332 РФ, МПК G02B21/00 / А.В. Беляев, В.А. Быков, С.А. Саунин, Л.Г. Фюрст. – No 2002121274/28; заявл. 13.08.2002; опубл. 10.01.2005.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1667
    Prefix
    Введение Тенденции развития микроэлектронной промышленности связаны с переходом к субмикронным и нанометровым топологическим нормам. Поэтому все большее применение находят методы и системы контроля качества продукции, основанные на совмещении различных методов микроскопии
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    , что позволяет на практике сократить время и повысить точность измерения элементов структуры. Оптическая микроскопия широко применяется в микроэлектронике. Метод позволяет наблюдать как большие участки кремниевой платины, так и отдельные элементы интегральных микросхем (ИМС).

2
Сканирующий зондовый микроскоп-нанотвердомер, совмещенный с оптической системой линейных измерений: пат. на полезную модель 96429 РФ, МПК G01N3/42, G01N3/48 / К.В. Гоголинский [и др.]. – No 2010110686/22; заявл. 23.03.2010; опубл. 27.07.2010.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1667
    Prefix
    Введение Тенденции развития микроэлектронной промышленности связаны с переходом к субмикронным и нанометровым топологическим нормам. Поэтому все большее применение находят методы и системы контроля качества продукции, основанные на совмещении различных методов микроскопии
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    , что позволяет на практике сократить время и повысить точность измерения элементов структуры. Оптическая микроскопия широко применяется в микроэлектронике. Метод позволяет наблюдать как большие участки кремниевой платины, так и отдельные элементы интегральных микросхем (ИМС).

3
Scanning Probe Microscopy Special Issue // Microscopy and Analysis. – 2011. – No 133. – P. 25–34.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1667
    Prefix
    Введение Тенденции развития микроэлектронной промышленности связаны с переходом к субмикронным и нанометровым топологическим нормам. Поэтому все большее применение находят методы и системы контроля качества продукции, основанные на совмещении различных методов микроскопии
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    , что позволяет на практике сократить время и повысить точность измерения элементов структуры. Оптическая микроскопия широко применяется в микроэлектронике. Метод позволяет наблюдать как большие участки кремниевой платины, так и отдельные элементы интегральных микросхем (ИМС).

4
Пилипенко, В.А. Исследование топологии интегральных микросхем методом атомно-силовой микроскопии / В.А. Пилипенко [и др.] // Методологические аспекты сканирующей зондовой микроскопии: сб. докл. VII Междунар. семи-
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2135
    Prefix
    Метод позволяет наблюдать как большие участки кремниевой платины, так и отдельные элементы интегральных микросхем (ИМС). В то же время оптическая микроскопия в основном используется для характеризации двумерных (плоских) объектов, так как не дает данных о высоте элемента структуры. В работе
    Exact
    [4]
    Suffix
    показано, что посредством оптической микроскопии можно контролировать лишь грубые нарушения технологического процесса изготовления ИМС с субмикронными элементами, так как метод не позволяет эффективно выявлять двумерную топологию размерами менее 0,5 мкм.