The 10 references with contexts in paper A. Mudryi V., F. Mofidnahai , A. Karotki V., A. Dvurechensky V., Zh. Smagina V., V. Volodin A., P. Novikov L., А. Мудрый В., Ф. Мофиднахаи, А. Короткий В., А. Двуреченский В., Ж. Смагина В., В. Володин А., П. Новиков Л. (2015) “КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫЕ ПРИБОРНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ // SILICON-GERMANIUM NANOSTRUCTURES WITH GERMANIUM QUANTUM DOTS FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS” / spz:neicon:pimi:y:2012:i:1:p:44-50

1
Герасименко, Н.Н. Кремний – материал наноэлектроники / Н.Н. Герасименко, Ю.Н. Пархоменко. – М. : Техносфера, 2007. – 352 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1683
    Prefix
    Введение Многочисленные исследования физических свойств кремния, структур и приборов, созданных на его основе (диоды, транзисторы, тиристоры, интегральные микросхемы, фотодиоды и т.д.), показали, что в ближайшем обозримом будущем кремний будет базовым и основным материалом полупроводниковой микроэлектроники
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Однако кремний имеет непрямозонную структуру электронного спектра и, как следствие, низкую эффективность излучательной рекомбинации и его использование в оптоэлектронике ограничено. Поэтому на современном этапе развития полупроводниковой оптоэлектроники на основе кремния разрабатываются различные подходы по повышению эффективности люминесценции материала.

2
Schmidt, O.G. Photoluminescence study of the initial stages of island formation for Ge pyramids/domes and hut clusters on Si (001) / O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl // Appl. Phys. Lett. – 1999. – Vol. 75. – No 13. – P. 1095–1097.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2246
    Prefix
    Поэтому на современном этапе развития полупроводниковой оптоэлектроники на основе кремния разрабатываются различные подходы по повышению эффективности люминесценции материала. Одним из перспективных способов, считается создание Si/Ge наноструктур с квантовыми точками (КТ) Ge, обладающих повышенной вероятностью излучательных переходов в системе Si-КT Ge
    Exact
    [2–7]
    Suffix
    . При этом важным является создание наноструктур Si/Ge с возможностью контролируемого управления их оптическими свойствами за счет изменения размеров и плотности КТ Ge. Установлено, что эффективным способом модификации электронных свойств наноструктур Si/Ge с КТ Ge является температура эпитаксии и скоростm роста нанора змерных эпитаксиальных слоев германия.

  2. In-text reference with the coordinate start=14288
    Prefix
    В с лучае наличия более толстого слоя Ge (образец R14), в спектрах ФЛ наблюдается образование двух широких полос с максимумами в области 0,77 эВ и 0,82 эВ, обычно приписываемых квантовым точкам Ge
    Exact
    [2, 7, 9, 10]
    Suffix
    . Более ярко и отчетливо существование этих двух полос проявилось в случае формирования 6 слоев Ge квантовых точек (образец R18). При этом важно отметить, что с увеличением числа слоев в наноструктуре Si/Ge интенсивность люминесценции значительно увеличивается, а низкоэнергетическое смещение максиму ма полосы с 0,82 эВ (образец R14) до 0,81 эВ (образец R18) можно связать с сущ

3
Пчеляков, О.П. Кремний-германиевые наностру ктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства / О.П. Пчеляков [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2000. – Т. 34. – No 11. – С. 1281–1299.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2246
    Prefix
    Поэтому на современном этапе развития полупроводниковой оптоэлектроники на основе кремния разрабатываются различные подходы по повышению эффективности люминесценции материала. Одним из перспективных способов, считается создание Si/Ge наноструктур с квантовыми точками (КТ) Ge, обладающих повышенной вероятностью излучательных переходов в системе Si-КT Ge
    Exact
    [2–7]
    Suffix
    . При этом важным является создание наноструктур Si/Ge с возможностью контролируемого управления их оптическими свойствами за счет изменения размеров и плотности КТ Ge. Установлено, что эффективным способом модификации электронных свойств наноструктур Si/Ge с КТ Ge является температура эпитаксии и скоростm роста нанора змерных эпитаксиальных слоев германия.

4
Bruner, K. Si-Ge nanostructures / K. Bruner // Rep. Prog. Phys. – 2002. – Vol. 65. – P. 27–72.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2246
    Prefix
    Поэтому на современном этапе развития полупроводниковой оптоэлектроники на основе кремния разрабатываются различные подходы по повышению эффективности люминесценции материала. Одним из перспективных способов, считается создание Si/Ge наноструктур с квантовыми точками (КТ) Ge, обладающих повышенной вероятностью излучательных переходов в системе Si-КT Ge
    Exact
    [2–7]
    Suffix
    . При этом важным является создание наноструктур Si/Ge с возможностью контролируемого управления их оптическими свойствами за счет изменения размеров и плотности КТ Ge. Установлено, что эффективным способом модификации электронных свойств наноструктур Si/Ge с КТ Ge является температура эпитаксии и скоростm роста нанора змерных эпитаксиальных слоев германия.

  2. In-text reference with the coordinate start=3862
    Prefix
    Исследовались наноструктуры Si/Ge, выращенные с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках Si с ориентацией (001) и толщиной ~ 300 мкм, обладающих p-типом проводимости (легирование бором) с удельным сопротивлением ~ 50 Ом⋅см. Наноструктуры Si/Ge создавались в условиях сверхвысокого вакуума на установке RiberSIVA21 в Институте физики полупроводников СО РАН
    Exact
    [4, 5]
    Suffix
    . Для уменьшения влияния внутренних напряжений в Si/Ge нанослоях на подложках монокристаллического Si методом МЛЭ создавался эпитаксиальный слой Si с толщиной ~ 500 Å при температуре роста 750 °С.

5
Володин, В.А. Определение из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света состава и деформаций в наноструктурах на основе GexSi1-x с учетом вклада геретрограницы / В.А. Володин [и др.] // Физика и тех ника полупроводников. – 2007. – Т. 41. – No 8 . – С. 950–954.
Total in-text references: 7
  1. In-text reference with the coordinate start=2246
    Prefix
    Поэтому на современном этапе развития полупроводниковой оптоэлектроники на основе кремния разрабатываются различные подходы по повышению эффективности люминесценции материала. Одним из перспективных способов, считается создание Si/Ge наноструктур с квантовыми точками (КТ) Ge, обладающих повышенной вероятностью излучательных переходов в системе Si-КT Ge
    Exact
    [2–7]
    Suffix
    . При этом важным является создание наноструктур Si/Ge с возможностью контролируемого управления их оптическими свойствами за счет изменения размеров и плотности КТ Ge. Установлено, что эффективным способом модификации электронных свойств наноструктур Si/Ge с КТ Ge является температура эпитаксии и скоростm роста нанора змерных эпитаксиальных слоев германия.

  2. In-text reference with the coordinate start=3862
    Prefix
    Исследовались наноструктуры Si/Ge, выращенные с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках Si с ориентацией (001) и толщиной ~ 300 мкм, обладающих p-типом проводимости (легирование бором) с удельным сопротивлением ~ 50 Ом⋅см. Наноструктуры Si/Ge создавались в условиях сверхвысокого вакуума на установке RiberSIVA21 в Институте физики полупроводников СО РАН
    Exact
    [4, 5]
    Suffix
    . Для уменьшения влияния внутренних напряжений в Si/Ge нанослоях на подложках монокристаллического Si методом МЛЭ создавался эпитаксиальный слой Si с толщиной ~ 500 Å при температуре роста 750 °С.

  3. In-text reference with the coordinate start=5877
    Prefix
    Использовалась геометрия обратного рассеяния, вектор поляризации падающего излучения был направлен вдоль кристаллографического направления <100> структур, рассеянный свет регистрировался в поляризации <010>
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Спектры фотолюминесценции (ФЛ) регистрировались с использованием оптического криостата при непосредственном погружении исследуемых образцов в жидки й гелий и их охлаждении до 4,2 К.

  4. In-text reference with the coordinate start=8170
    Prefix
    В спектрах Si подложек видна слабоинтенсивная линия в области 300 см-1, обусловленная двухфононным рассеянием на поперечных акустических (ТА) фононах в Si. Существование этой особенности от подложки Si, согласно сложившимся представлениям, приводит к определенным трудностям при анализе спектров КРС квантовых точек Ge в Si
    Exact
    [5, 8]
    Suffix
    . Вместе с тем из с пектров КРС отчетливо видно, что оптический сигнал в спектральной области ~ 300 см-1 от образцов, содержащих даже один слой Ge, значительно интенсивнее сигнала от подложки Si (рисунок 2).

  5. In-text reference with the coordinate start=8525
    Prefix
    Вместе с тем из с пектров КРС отчетливо видно, что оптический сигнал в спектральной области ~ 300 см-1 от образцов, содержащих даже один слой Ge, значительно интенсивнее сигнала от подложки Si (рисунок 2). Известно, что спектральное положение линий КРС от связей Ge-Ge в объ емном монокристаллическом германии составляет ~ 300–302 см-1
    Exact
    [5, 8]
    Suffix
    . Для большинства исследованных нами Si/Ge наноструктур спектральное положение линии КРС, обусловленной связями Ge-Ge, варьировалось в пределах от 304 до 312,2 см-1, что свидетельствует о существовании значительных внутренних напряжений в гетероструктурах Si/Ge.

  6. In-text reference with the coordinate start=12208
    Prefix
    Обращает на себя внимание существование низкочастотного крыла линии связи Si-Ge по аналогии с линией КРС для связи Ge-Ge, что может быть обусловлено существованием градиента размытия состава вблизи гетерограницы (диффузионное перемешивание границы раздела) для разных слоев Ge в гетероструктурах SiGe
    Exact
    [5,8]
    Suffix
    (рисунки 1 и 2). Наиболее интенсивная лин ия в области 520 см-1 относится к рассеянию фононов на связях Si-Si и является основной модой подложки кремния, а также буферного и закрывающего слоев Si [5].

  7. In-text reference with the coordinate start=12476
    Prefix
    Ge-Ge, что может быть обусловлено существованием градиента размытия состава вблизи гетерограницы (диффузионное перемешивание границы раздела) для разных слоев Ge в гетероструктурах SiGe [5,8] (рисунки 1 и 2). Наиболее интенсивная лин ия в области 520 см-1 относится к рассеянию фононов на связях Si-Si и является основной модой подложки кремния, а также буферного и закрывающего слоев Si
    Exact
    [5]
    Suffix
    . В качестве примера на рисунке 3 приведены спектры ФЛ кремния и кремния с буферным эпитаксиальным слоем Si, а также Si/Ge гетероструктур с различным количеством слоев Ge. Спектры ФЛ сняты при 4,2 К со спектральным разрешением 2,5 мэВ.

6
Смагина, Ж.В. Самоорганизация наноостровков германия при импульсном облучении пучком низкоэнергетических ионов в процессе гетероэпитаксии структур Ge/Si (100) / Ж.В. Смагина [и др.] // ЖЭТФ. – 2008. – Т. 133. – No 3. – С. 593–604.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2246
    Prefix
    Поэтому на современном этапе развития полупроводниковой оптоэлектроники на основе кремния разрабатываются различные подходы по повышению эффективности люминесценции материала. Одним из перспективных способов, считается создание Si/Ge наноструктур с квантовыми точками (КТ) Ge, обладающих повышенной вероятностью излучательных переходов в системе Si-КT Ge
    Exact
    [2–7]
    Suffix
    . При этом важным является создание наноструктур Si/Ge с возможностью контролируемого управления их оптическими свойствами за счет изменения размеров и плотности КТ Ge. Установлено, что эффективным способом модификации электронных свойств наноструктур Si/Ge с КТ Ge является температура эпитаксии и скоростm роста нанора змерных эпитаксиальных слоев германия.

  2. In-text reference with the coordinate start=3062
    Prefix
    Регулирование величины внутренних напряжений может быть реализовано путем создания буферных слоев Si различной толщины на подложках Si или введением активаторов (примесных атомов) как центров зарождения наноразмерных КТ Ge. В ряде случаев исследователи использовали ионные пучки как способ стимуляции роста наноостровков Ge
    Exact
    [6]
    Suffix
    . В данной работе приведены новые данные по исследованию влияния нескольких технологических факторов, таких как: температура роста нанослоев Si и Ge, количество слоев KT Ge, обработка структур в плазме водорода при температуре ~ 200°С на оптические свойства наноструктур Si-Ge с КТ Ge.

7
Шкляев, А.А. Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния / А.А. Шкля ев, М. Ичикава // Успехи физических наук. – 2008. – Т. 178. No 2. – С. 139–169.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2246
    Prefix
    Поэтому на современном этапе развития полупроводниковой оптоэлектроники на основе кремния разрабатываются различные подходы по повышению эффективности люминесценции материала. Одним из перспективных способов, считается создание Si/Ge наноструктур с квантовыми точками (КТ) Ge, обладающих повышенной вероятностью излучательных переходов в системе Si-КT Ge
    Exact
    [2–7]
    Suffix
    . При этом важным является создание наноструктур Si/Ge с возможностью контролируемого управления их оптическими свойствами за счет изменения размеров и плотности КТ Ge. Установлено, что эффективным способом модификации электронных свойств наноструктур Si/Ge с КТ Ge является температура эпитаксии и скоростm роста нанора змерных эпитаксиальных слоев германия.

  2. In-text reference with the coordinate start=14288
    Prefix
    В с лучае наличия более толстого слоя Ge (образец R14), в спектрах ФЛ наблюдается образование двух широких полос с максимумами в области 0,77 эВ и 0,82 эВ, обычно приписываемых квантовым точкам Ge
    Exact
    [2, 7, 9, 10]
    Suffix
    . Более ярко и отчетливо существование этих двух полос проявилось в случае формирования 6 слоев Ge квантовых точек (образец R18). При этом важно отметить, что с увеличением числа слоев в наноструктуре Si/Ge интенсивность люминесценции значительно увеличивается, а низкоэнергетическое смещение максиму ма полосы с 0,82 эВ (образец R14) до 0,81 эВ (образец R18) можно связать с сущ

8
Kolobov, A.V. Raman scattering from Ge nanostructures grown on Si substrates: Power and limitations / A.V. Kolobov // J. Appl. Phys. – 2000. – Vol. 87. – No 6. – P. 2926–2930.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=8170
    Prefix
    В спектрах Si подложек видна слабоинтенсивная линия в области 300 см-1, обусловленная двухфононным рассеянием на поперечных акустических (ТА) фононах в Si. Существование этой особенности от подложки Si, согласно сложившимся представлениям, приводит к определенным трудностям при анализе спектров КРС квантовых точек Ge в Si
    Exact
    [5, 8]
    Suffix
    . Вместе с тем из с пектров КРС отчетливо видно, что оптический сигнал в спектральной области ~ 300 см-1 от образцов, содержащих даже один слой Ge, значительно интенсивнее сигнала от подложки Si (рисунок 2).

  2. In-text reference with the coordinate start=8525
    Prefix
    Вместе с тем из с пектров КРС отчетливо видно, что оптический сигнал в спектральной области ~ 300 см-1 от образцов, содержащих даже один слой Ge, значительно интенсивнее сигнала от подложки Si (рисунок 2). Известно, что спектральное положение линий КРС от связей Ge-Ge в объ емном монокристаллическом германии составляет ~ 300–302 см-1
    Exact
    [5, 8]
    Suffix
    . Для большинства исследованных нами Si/Ge наноструктур спектральное положение линии КРС, обусловленной связями Ge-Ge, варьировалось в пределах от 304 до 312,2 см-1, что свидетельствует о существовании значительных внутренних напряжений в гетероструктурах Si/Ge.

  3. In-text reference with the coordinate start=12208
    Prefix
    Обращает на себя внимание существование низкочастотного крыла линии связи Si-Ge по аналогии с линией КРС для связи Ge-Ge, что может быть обусловлено существованием градиента размытия состава вблизи гетерограницы (диффузионное перемешивание границы раздела) для разных слоев Ge в гетероструктурах SiGe
    Exact
    [5,8]
    Suffix
    (рисунки 1 и 2). Наиболее интенсивная лин ия в области 520 см-1 относится к рассеянию фононов на связях Si-Si и является основной модой подложки кремния, а также буферного и закрывающего слоев Si [5].

9
Ray, S.K. Structural and optical properties of germanium nanostructures on Si (100) and embedded in high-k oxides / S.K. Ray [et al.] // Nanoscale Research Letters. – 2011. – Vol. 6. – No 1. – P. 224-1–224-10.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=14288
    Prefix
    В с лучае наличия более толстого слоя Ge (образец R14), в спектрах ФЛ наблюдается образование двух широких полос с максимумами в области 0,77 эВ и 0,82 эВ, обычно приписываемых квантовым точкам Ge
    Exact
    [2, 7, 9, 10]
    Suffix
    . Более ярко и отчетливо существование этих двух полос проявилось в случае формирования 6 слоев Ge квантовых точек (образец R18). При этом важно отметить, что с увеличением числа слоев в наноструктуре Si/Ge интенсивность люминесценции значительно увеличивается, а низкоэнергетическое смещение максиму ма полосы с 0,82 эВ (образец R14) до 0,81 эВ (образец R18) можно связать с сущ

10
Schmidt, O.G. Effects of overgrowth temperature on the photoluminescence of Ge/Si islands / O.G. Schmidt [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 2000. – Vol. 77. – No 16. – P. 2509–2511.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=14288
    Prefix
    В с лучае наличия более толстого слоя Ge (образец R14), в спектрах ФЛ наблюдается образование двух широких полос с максимумами в области 0,77 эВ и 0,82 эВ, обычно приписываемых квантовым точкам Ge
    Exact
    [2, 7, 9, 10]
    Suffix
    . Более ярко и отчетливо существование этих двух полос проявилось в случае формирования 6 слоев Ge квантовых точек (образец R18). При этом важно отметить, что с увеличением числа слоев в наноструктуре Si/Ge интенсивность люминесценции значительно увеличивается, а низкоэнергетическое смещение максиму ма полосы с 0,82 эВ (образец R14) до 0,81 эВ (образец R18) можно связать с сущ