The 7 references with contexts in paper O. Gusev K., A. Svistun I., L. Shadurskaya I., N. Yarjembitskaya V., О. Гусев К., А. Свистун И., Л. Шадурская И., Н. Яржембицкая В. (2015) “АЛГОРИТМ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕТРОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ШИРОКОДИАПАЗОННЫХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ С МНОГОЗАРЯДНЫМИ ПРИМЕСЯМИ // THE IDENTIFICATION ALGORITHM OF METROLOGICAL CHARACTERISTICS OF WIDE-RANGE PHOTOVOLTAIC SEMICONDUCTOR CONVERTERS WITH MULTIPLY IMPURITIES” / spz:neicon:pimi:y:2011:i:2:p:99-103

1
Арутюнов, В.А. Перспективы разработок монолитных охлаждаемых матричных ИК-приборов для комплексированных многоспектральных систем обнаружения в диапазонах 1,5–5 и 8–12 мкм / В.А. Арутюнов [и др.] // Прикладная физика. – 2005. – Вып. 5. – С. 84–91.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1494
    Prefix
    Введение Фотоэлектрические полупроводниковые преобразователи (ФЭПП) на основе полупроводников с многозарядными примесями используются для создания матричных приборов и систем обнаружения в диапазонах длин волн 1,5–5 мкм и 8–12 мкм, для волоконно-оптических линий передачи информации
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    . Повышение плотности мощности оптического излучения, а также расширение спектрального диапазона источников оптического излучения актуально с точки зрения совершенствования волоконно-оптических линий передачи информации, создания фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей 2-го поколения на основе германия и кремния с многозарядными примесями (медь, золото, никел

2
Semiconductor and integrate optoelectronics. Conference, Cardiff 2005. – IEEE Proc. Optoelectron. 2006. – No 1. – 146 р.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1494
    Prefix
    Введение Фотоэлектрические полупроводниковые преобразователи (ФЭПП) на основе полупроводников с многозарядными примесями используются для создания матричных приборов и систем обнаружения в диапазонах длин волн 1,5–5 мкм и 8–12 мкм, для волоконно-оптических линий передачи информации
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    . Повышение плотности мощности оптического излучения, а также расширение спектрального диапазона источников оптического излучения актуально с точки зрения совершенствования волоконно-оптических линий передачи информации, создания фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей 2-го поколения на основе германия и кремния с многозарядными примесями (медь, золото, никел

3
Ермаков, О.Н. Прикладная оптоэлектроника / О.Н. Ермаков. – М. : Техносфера, 2004. – 416 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2172
    Prefix
    преобразователей 2-го поколения на основе германия и кремния с многозарядными примесями (медь, золото, никель, галлий) в качестве элементной базы, обеспечивающей соответствие метрологических характеристик современным требованиям и одновременно невысокую стоимость, серийноспособность, высокую надежность и долговечность фотоприемных устройств инфракрасного диапазона
    Exact
    [3]
    Suffix
    . Особенностью ФЭПП на основе полупроводников с многозарядными примесями является то, что метрологические характеристики таких приборов определяются рекомбинационными процессами с участием глубоких многозарядных примесей и, следовательно, таким параметром полупроводников, как время жизни неравновесных носителей заряда .

4
Гусев, О.К. Моделирование метрологических характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с глубокими примесями / О.К. Гусев, Л.И. Шадурская, Н.В. Яржембицкая // Метрология и приборостроение. – 2008. – No 2. – С. 22–25.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2749
    Prefix
    Исследование ФЭПП на основе полупроводников с многозарядными примесями показало, что существуют 2 диапазона линейности энергетических характеристик таких приборов – при малых плотностях мощности оптического излучения и высоких
    Exact
    [4, 5, 6]
    Suffix
    . Причем границы области нелинейной рекомбинации существенно зависят от концентрации многозарядной примеси и ее параметров. Известно, что даже в одной партии ФЭПП на основе полупроводников с многозарядными примесями в силу технологических особенностей легирования полупроводникового материала согласно нормативным документам допускается определенный разброс концентрации м

5
Гусев, О.К. Влияние плотности мощности оптического излучения на динамические метрологические характеристики фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей с многозарядными примесями / О.К. Гусев [и др.] // Метрология и приборостроение. – 2009. – No 3. – С. 13–16.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2749
    Prefix
    Исследование ФЭПП на основе полупроводников с многозарядными примесями показало, что существуют 2 диапазона линейности энергетических характеристик таких приборов – при малых плотностях мощности оптического излучения и высоких
    Exact
    [4, 5, 6]
    Suffix
    . Причем границы области нелинейной рекомбинации существенно зависят от концентрации многозарядной примеси и ее параметров. Известно, что даже в одной партии ФЭПП на основе полупроводников с многозарядными примесями в силу технологических особенностей легирования полупроводникового материала согласно нормативным документам допускается определенный разброс концентрации м

6
Гусев, О.К. Проектирование и управление метрологическими характеристиками фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с многозарядными примесями / О.К. Гусев [и др.] // Датчики и системы. − 2011. – No 1. − С. 19−24.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2749
    Prefix
    Исследование ФЭПП на основе полупроводников с многозарядными примесями показало, что существуют 2 диапазона линейности энергетических характеристик таких приборов – при малых плотностях мощности оптического излучения и высоких
    Exact
    [4, 5, 6]
    Suffix
    . Причем границы области нелинейной рекомбинации существенно зависят от концентрации многозарядной примеси и ее параметров. Известно, что даже в одной партии ФЭПП на основе полупроводников с многозарядными примесями в силу технологических особенностей легирования полупроводникового материала согласно нормативным документам допускается определенный разброс концентрации м

7
ГОСТ 17772-88. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3288
    Prefix
    , что даже в одной партии ФЭПП на основе полупроводников с многозарядными примесями в силу технологических особенностей легирования полупроводникового материала согласно нормативным документам допускается определенный разброс концентрации многозарядной примеси (20 %). Следовательно, с точки зрения метрологии при реализации базовой измерительной процедуры ГОСТа 17772-88
    Exact
    [7]
    Suffix
    при одной и той же плотности мощности оптического излучения для ФЭПП, незначительно отличающихся концентрацией многозарядной примеси за счет перехода в область нелинейной рекомбинации, может изменяться связь между метрологическими характеристиками ФЭПП на основе полупроводников с многозарядными примесями и измерительными воздействиями, при этом изменяется функция преобразо