The 1 reference with contexts in paper V. Pilipenko A., A. Petlitsky N., V. Gorushko A., S. Shvedov V., V. Ponaryadov V., В. Пилипенко А., А. Петлицкий Н., В. Горушко А., С. Шведов В., В. Понарядов В. (2015) “МЕТОД И УСТАНОВКА КОНТРОЛЯ ПЛОСКОСТНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН // METHOD AND CONTROL SET-UP OF SILICON WAFER FLATNESS” / spz:neicon:pimi:y:2011:i:1:p:71-76

1
Пилипенко, В.А. Лазерный метод контроля профиля изгиба кремниевых пластин / В.А. Пилипенко [и др.] // Материалы
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2085
    Prefix
    Однако существующие методы не обеспечивают достаточно точный, экспрессный и автоматизированный контроль плоскостности полупроводниковых пластин. Основная часть Для характеристики плоскостности полупроводниковых пластин обычно пользуются такими понятиями, как радиус кривизны или стрела изгиба
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Под стрелой изгиба понимается отрезок перпендикуляра, опущенного из точки, максимально отстоящей от прямой, соединяющей два диаметрально противоположных конца пластины. Связь между стрелой изгиба f и радиусом кривизны  задается выражением: f2(2ρ),1R (1) где R – радиус пластины.