The 7 references with contexts in paper N. Koritko N., V. Zalesskij B., V. Malishev S., V. Khatko V., Н. Корытко Н., В. Залесский Б., В. Малышев С., В. Хатько В. (2015) “МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНСТРУКЦИИ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ С ОХРАННЫМИ ОБЛАСТЯМИ ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ МАЛОМОЩНЫХ СВЕТОВЫХ ПОТОКОВ // SIMULATION OF AVALANCHE PHOTODIODE CONSTRUCTION WITH GUARD AREAS” / spz:neicon:pimi:y:2011:i:1:p:32-39

1
Розеншер, Э. Оптоэлектроника / Э. Розеншер, Б. Винтер. – М. : Техносфера, 2004. – 416 c.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1473
    Prefix
    Поскольку обычные фотодиоды не позволяют решать подобные задачи, возникает необходимость использования других средств. Один из подходов заключается в применении оптических детекторов на эффекте лавинного умножения
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Лавинные фотодетекторы или фотодиоды (ЛФД) обеспечивают внутреннее усиление регистрируемого сигнала в объёме полупроводника в 50–1000 раз. Отличительными особенностями приборов данного типа являются компактные размеры, высокая чувствительность, даже к малым световым сигналам, хорошая квантовая эффективность, низкая стоимость, а также возможность использования как в качес

2
Taurus -WorkBench. User manual. – Synopsys, 2003.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5406
    Prefix
    Для инженеров нового поколения главной проблемой производства является решение задачи за кратчайшие сроки и с наименьшими материальными затратами. Данная проблема может быть решена с использованием физикоматематического моделирования, которое реализовано в Taurus-WorkBench
    Exact
    [2–4]
    Suffix
    . Для приведения теоретических расчетов в соответствие с экспериментальными значениями на первом этапе была выполнена работа по проверке модели рассчитываемой двумерной вертикальной структуры представленной на рисунке 1, моделей расчета ее пробивного напряжения и вольтамперной характеристики с подбором основных электрофизических параметров.

3
Taurus - TSUPREM4. User manual. – Synopsys, 2003.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5406
    Prefix
    Для инженеров нового поколения главной проблемой производства является решение задачи за кратчайшие сроки и с наименьшими материальными затратами. Данная проблема может быть решена с использованием физикоматематического моделирования, которое реализовано в Taurus-WorkBench
    Exact
    [2–4]
    Suffix
    . Для приведения теоретических расчетов в соответствие с экспериментальными значениями на первом этапе была выполнена работа по проверке модели рассчитываемой двумерной вертикальной структуры представленной на рисунке 1, моделей расчета ее пробивного напряжения и вольтамперной характеристики с подбором основных электрофизических параметров.

4
Taurus - Medici. User manual. – Synopsys, 2003.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5406
    Prefix
    Для инженеров нового поколения главной проблемой производства является решение задачи за кратчайшие сроки и с наименьшими материальными затратами. Данная проблема может быть решена с использованием физикоматематического моделирования, которое реализовано в Taurus-WorkBench
    Exact
    [2–4]
    Suffix
    . Для приведения теоретических расчетов в соответствие с экспериментальными значениями на первом этапе была выполнена работа по проверке модели рассчитываемой двумерной вертикальной структуры представленной на рисунке 1, моделей расчета ее пробивного напряжения и вольтамперной характеристики с подбором основных электрофизических параметров.

5
Arora, N. D. Electron and hole mobilities in silicon as a function of concentration and temperature / N. D. Arora, J. R. Hauser, D. J. Roulston // IEEE Trans. Electron Devices. –1982. – Vol. ED–29, No 2. – P. 292–295.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8207
    Prefix
    Для расчета пробивного напряжения UПР:  SRH – показывает, что используется рекомбинация Шокли-Рида-Холла с фиксированным временем жизни;  ARORA – модель описания подвижности электронов и дырок в кремнии как функции, зависящей от концентрации и температуры
    Exact
    [5]
    Suffix
    ;  AUGER – показывает, что в расчетах учитывается Оже-рекомбинация носителей заряда;  impact.i – показывает, что генерации носителей, происходящая при ионизации носителей, включена в решение независимо;  параметры на границе раздела кремнийдиэлектрик: подвижность электронов 500 см/с; подвижность дырок 500 см/с; заряд на границе раздела диэлектрик-полупроводник 1×1011 см-2; заряд в

6
Зи, С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи. – М. : Мир, 1984. – Т.2. – 456 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=11122
    Prefix
    10-14 мкм и без охранных областей, соответственно а б в г Рисунок 3 – Область пробоя (белый цвет) в зависимости от расстояния между охранными областями: a, б, в, г – топологическое расстояние между охранными областями 6-6-6, 6-8-10, 6-10-14 мкм и без охранных областей, соответственно Это достигается созданием электрического поля с напряжённостью Е=(12)·105 В/см
    Exact
    [6]
    Suffix
    . Такая величина поля в области пространственного заряда создается соответствующим профилем примеси в структуре типа n+-p-p--p+ (рисунок 1). Аналогичный подход применим и к структуре типа p+-n-n--n+, изготовленной на эпитаксиальной пленке n-типа.

7
Корытко, Н.Н. Оптимизация конструкции лавинных фотодиодов с охранными областями / Н.Н. Корытко [и др.]// Материалы 2-й Международной конференции «Приборостроение-2009», Минск, Республика Беларусь,
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12414
    Prefix
    Рассчитанная величина концентрации примеси в кармане составила ~5·1015 см-3 (рисунок 4). Требуемый профиль примеси получался в результате разгонки кармана при Т = 1200 С в течение 360 минут после ионной имплантации сюда бора с дозой ~2,6·1012 ион/см2 при энергии Е=40 КэВ
    Exact
    [7]
    Suffix
    . Из рисунка 5 видно, что электрическое поле с напряженностью ~3,3·105 В/см в области пробоя ЛФД, уменьшаясь по величине, имеет довольно широкую пространственную составляющую в направлении вдоль поверхности диода.