The 11 references with contexts in paper E. Kaniukov Yu., S. Demyanov E., Е. Канюков Ю., С. Демьянов Е. (2015) “РАЗРАБОТКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СЕНСОРОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР SI/SIO2/NI // ENGINEERING OF LOW-TEMPERATURE MAGNETIC FIELD SENSORS BASED ON HETEROSTRUCTURES SI/SIO2/NI” / spz:neicon:pimi:y:2011:i:1:p:10-16

1
Fink, D. Fundamentals of Ion-Irradiated Polymers / ed. D. Fink // Springer Series in Materials Science, Heidelberg – 2004. – Vol. 63. – Р. 391.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2617
    Prefix
    Последующее травление латентных треков приводит к образованию в поверхностном слое структуры стохастически распределенных нанопор, форма и размеры которых задается выбором параметров облучения и травления
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    . Как показали предыдущие исследования [4], такие нанопоры целесообразно создавать в слое оксида кремния на кремнии. После селективного заполнения различными металлами и/или их композициями они позволяют сформировать гетероструктуры с различными электропроводящими характеристиками, весьма чувствительными к температуре и магнитному полю.

2
Zollondz, J.-H. Towards new applications of ion tracks / J.-H.Zollondz, A.Weidinger // Nuclear Instruments and Methods. – 2004. – B. 225. – Р. 178–183
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2617
    Prefix
    Последующее травление латентных треков приводит к образованию в поверхностном слое структуры стохастически распределенных нанопор, форма и размеры которых задается выбором параметров облучения и травления
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    . Как показали предыдущие исследования [4], такие нанопоры целесообразно создавать в слое оксида кремния на кремнии. После селективного заполнения различными металлами и/или их композициями они позволяют сформировать гетероструктуры с различными электропроводящими характеристиками, весьма чувствительными к температуре и магнитному полю.

3
Fink, D. Ion track-based electronic elements / D. Fink [et al.] // Nuclear Instruments and Methods. – 2004. – B218. – Р. 355–361.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2617
    Prefix
    Последующее травление латентных треков приводит к образованию в поверхностном слое структуры стохастически распределенных нанопор, форма и размеры которых задается выбором параметров облучения и травления
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    . Как показали предыдущие исследования [4], такие нанопоры целесообразно создавать в слое оксида кремния на кремнии. После селективного заполнения различными металлами и/или их композициями они позволяют сформировать гетероструктуры с различными электропроводящими характеристиками, весьма чувствительными к температуре и магнитному полю.

4
Sinha, D. Tempos Structures with Gold Nanoclusters / D.Sinha [et al.] // Radiation Effects and Defects in Solids. – 2004. – Vol. 159, No8–9. – P. 517–533.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2663
    Prefix
    Последующее травление латентных треков приводит к образованию в поверхностном слое структуры стохастически распределенных нанопор, форма и размеры которых задается выбором параметров облучения и травления [1–3]. Как показали предыдущие исследования
    Exact
    [4]
    Suffix
    , такие нанопоры целесообразно создавать в слое оксида кремния на кремнии. После селективного заполнения различными металлами и/или их композициями они позволяют сформировать гетероструктуры с различными электропроводящими характеристиками, весьма чувствительными к температуре и магнитному полю.

5
Ivanova, Yu.A. Electrochemical Deposition of Ni and Cu onto Monocrystalline n-Si(100) Wafers and into Nanopores in Si/SiO2 Template / Yu.A. Ivanova [et al.] // Journal of Materials Science. – 2007. – Vol. 42, No. 22. – P. 9163 – 9169.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=5022
    Prefix
    Последующая обработка структур в плавиковой кислоте приводила к формированию стохастически распределенных протравленных вплоть до кремниевой подложки треков (пор) в оксиде кремния при общем уменьшении толщины SiO2
    Exact
    [5–6]
    Suffix
    . Далее поры электрохимическим методом заполнялись никелем, причем выбор типа электролита и параметров осаждения определялся целью добиться селективного осаждения металла непосредственно и только в протравленные треки [5].

  2. In-text reference with the coordinate start=5254
    Prefix
    Далее поры электрохимическим методом заполнялись никелем, причем выбор типа электролита и параметров осаждения определялся целью добиться селективного осаждения металла непосредственно и только в протравленные треки
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Исследование морфологии структуры рабочего элемента сенсора проводилось на металлографическом оптическом микроскопе «OLYMPUS GX41» (ОМ), сканирующем электронном микроскопе «LEO-1455VP» (СЭМ) и атомно-силовом микроскопе «Solver P47» (АСМ).

  3. In-text reference with the coordinate start=7354
    Prefix
    На границе раздела n-Si/SiO2 контакт металла с кремнием составляет несколько десятков нанометров и, как было показано ранее металл осаждается в поры в виде контактирующих между собой кластеров с размерами 30–50 нм
    Exact
    [5]
    Suffix
    . 500 nm а б Рисунок 2 – Изображения СЭМ : а – поверхность образца; б – скол; 1 – никель, осажденный в поры оксида кремния; 2 – слой оксида кремния; 3 –подложка кремния Градиентное изображение поверхности SiO2 с порами заполненными металлом, полученное методом АСМ (рисунок 3а) отражает изменение ее рельефа и свидетельствует о формировании выростов металла на

6
Демьянов, С.Е. Наноструктуры систем Si/SiO2/металл с треками быстрых тяжелых ионов / С.Е. Демьянов [и др.] // Журнал «Известия РАН. Серия Физическая». – 2008. T. 72, No 9. – C. 1262–1264.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5022
    Prefix
    Последующая обработка структур в плавиковой кислоте приводила к формированию стохастически распределенных протравленных вплоть до кремниевой подложки треков (пор) в оксиде кремния при общем уменьшении толщины SiO2
    Exact
    [5–6]
    Suffix
    . Далее поры электрохимическим методом заполнялись никелем, причем выбор типа электролита и параметров осаждения определялся целью добиться селективного осаждения металла непосредственно и только в протравленные треки [5].

7
Канюков, Е.Ю. Особенности электропереноса в наноструктурах Si/SiO2/Ni в сильных магнитных полях / Е.Ю. Канюков, С.Е. Демьянов // Журнал «Материаловедение». – 2010. – No 6. – C. 53 – 58.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12613
    Prefix
    12 Тл; б – относительное магнетосопротивление По всей видимости, это обусловлено тем, что электроперенос частично осуществляется через металлические кластеры в порах (а это ~ 20 % токового пути), а между порами – в приповерхностных слоях кремния, которые содержат локализованные состояния. Подробно механизмы проводимости в таких гетероструктурах рассмотрены в работе
    Exact
    [7]
    Suffix
    . Температурная зависимость относительного магнетосопротивления свидетельствует, что R(B)/R(0) имеет положительное значение, растущее с понижением температуры и достигающие при Т < 25 К значения 600 % (рисунок 7б).

8
Baibich, M.N. Giant magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr magnetic superlattices / M.N. Baibich [et al.] // Phys. Rev. Lett. – 1988. – Vol. 61, No 21. – P. 2472–2475.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=13446
    Prefix
    Перспективы использования гетероструктур Si/SiO2/металл Развитие дальнейшей работы с гетероструктурами Si/SiO2/металл с целью расширения температурного интервала существования магниторезистивного эффекта перспективно в двух направлениях. Первое связано с созданием многослойных структур с чередующимися слоями из ферромагнитных и немагнитных металлов в порах
    Exact
    [8–10]
    Suffix
    . Второе предусматривает применение технологии TEMPOS («Tunable Electronic Material in Pores in Oxide on Semiconductors» – «Управляемый электронный материал с порами в оксиде кремния») [11].

9
Ведяев, А.В. Гигантское магнитосопротивление / А.В. Ведяев, А.Б. Грановский // Природа. – 1995. – No 8– C. 2–79.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=13446
    Prefix
    Перспективы использования гетероструктур Si/SiO2/металл Развитие дальнейшей работы с гетероструктурами Si/SiO2/металл с целью расширения температурного интервала существования магниторезистивного эффекта перспективно в двух направлениях. Первое связано с созданием многослойных структур с чередующимися слоями из ферромагнитных и немагнитных металлов в порах
    Exact
    [8–10]
    Suffix
    . Второе предусматривает применение технологии TEMPOS («Tunable Electronic Material in Pores in Oxide on Semiconductors» – «Управляемый электронный материал с порами в оксиде кремния») [11].

10
Berkowitz, А.Е. Giant magnetoresistance in heterogeneous Cu-Co and Ag-Co alloy films / A.E. Berkowitz [et al.] // J. Appl. Phys. – 1993. – Vol. 73, No 10. – P. 5320–5325.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=13446
    Prefix
    Перспективы использования гетероструктур Si/SiO2/металл Развитие дальнейшей работы с гетероструктурами Si/SiO2/металл с целью расширения температурного интервала существования магниторезистивного эффекта перспективно в двух направлениях. Первое связано с созданием многослойных структур с чередующимися слоями из ферромагнитных и немагнитных металлов в порах
    Exact
    [8–10]
    Suffix
    . Второе предусматривает применение технологии TEMPOS («Tunable Electronic Material in Pores in Oxide on Semiconductors» – «Управляемый электронный материал с порами в оксиде кремния») [11].

11
Petrov, A.V. Novel Electronic Devices For Nanotechnology Based on Materials with Ion Tracks / A.V. Petrov [et al.] // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures : Materials of the «Nanomeeting – 2005», Minsk, Belarus, 24 – 27
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=13650
    Prefix
    Первое связано с созданием многослойных структур с чередующимися слоями из ферромагнитных и немагнитных металлов в порах [8–10]. Второе предусматривает применение технологии TEMPOS («Tunable Electronic Material in Pores in Oxide on Semiconductors» – «Управляемый электронный материал с порами в оксиде кремния»)
    Exact
    [11]
    Suffix
    . Применительно к таким гетероструктурам схема TEMPOS представлена на рисунке 8. 1 2 43 5 Рисунок 8 – Принципиальная схема TEMPOS-структуры: 1 – подложка Si; 2 – слой SiO2; 3 – каналы ионных треков заполненные металлом (-ами); 4 – электрические контакты на SiO2; 5 – управляющий контакт на Si TEMPOS-структуры проявляют свойства схожие со свойствами электронных устройств