The 4 reference contexts in paper V. Solodukha A., G. Chigir G., V. Pilipenko A., V. Filipenya A., V. Gorushko A., В. Солодуха А., В. Пилипенко А., Г. Чигирь Г., В. Филипеня А., В. Горушко А. (2018) “Экспрессный контроль надежности подзатворного диэлектрика полупроводниковых приборов // Reliability Express Control of the Gate Dielectric of Semiconductor Devices” / spz:neicon:pimi:y:2018:i:4:p:308-313

  1. Start
    7261
    Prefix
    : 10.21122/2220-9506-2018-9-4-306-313 307 Введение Одним из важнейших параметров подзатворного диэлектрика, в особенности используемого в электронной элементной базе для аэрокосмической техники, является время его наработки на отказ. Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов на этапе их изготовления
    Exact
    [1–6]
    Suffix
    . В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется метод, основанный на измерении величины заряда пробоя [7]. В процессе эксплуатации приборов к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием которого происходит деградация его структуры, приводящая к пробою диэлектрика
    (check this in PDF content)

  2. Start
    7455
    Prefix
    Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов на этапе их изготовления [1–6]. В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется метод, основанный на измерении величины заряда пробоя
    Exact
    [7]
    Suffix
    . В процессе эксплуатации приборов к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием которого происходит деградация его структуры, приводящая к пробою диэлектрика.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    8810
    Prefix
    Более эффективным методом определения времени наработки на отказ подзатворного диэлектрика МДП-микросхемы является метод, включающий испытание тестовой МДП-структуры путем приложения постоянного электрического напряжения к подзатворному диэлектрику до пробоя структуры и расчета времени наработки на отказ
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Данный метод позволяет определять время наработки на отказ подзатворного диэлектрика МДП-микросхемы в широком диапазоне времени и таким образом оценивать реальную надежность полупроводниковых приборов.
    (check this in PDF content)

  4. Start
    11928
    Prefix
    времени наработки на отказ подзатворного 308 диэлектрика, базирующийся на результатах Входящая в (4) величина β рассчитывается по данным двух измерений, проведенных с различной скоростью развертки, в соответствии с выражением: испытаний тестовых МДП-структур путем подачи на затвор ступенчато-нарастающего напряжения до пробоя структуры при разных скоростях развертки
    Exact
    [9–10]
    Suffix
    . Такой подход основывается на экспоненциальной зависимости времени наработки на отказ от приложенного напряжения. В процессе эксплуатации полупроводниковый прибор работает при напряжении Uop и время наработки на отказ Terror-free в этом случае может быть рассчитано из соотношения: где А0, β – константы.
    (check this in PDF content)