The 37 reference contexts in paper R. Vorobei I., O. Gusev K., A. Svistun I., A. Tyavlovsky K., K. Tyavlovsky L., L. Shadurskaya I., Р. Воробей И., О. Гусев К., А. Свистун И., А. Тявловский К., К. Тявловский Л., Л. Шадурская И. (2018) “Измерительные преобразователи систем оптической диагностики с многофункциональными одноэлементными фотоприемниками // Measuring transducers for optical diagnostic system with multifunctional unitary photovoltaic converters” / spz:neicon:pimi:y:2018:i:3:p:215-226

  1. Start
    7854
    Prefix
    В основе оптических методов диагностики лежат как определенные модели исследуемого объекта, так и модели оптического сигнала и процессов формирования оптических характеристик сложных объектов, какими являются, например, неоднородная нестационарная плазма, двигательные реактивные установки, биоткани
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    . Системы диагностики с использованием оптических методов контроля можно разделить на три группы: 1. Визуальный и визуально-оптический методы основаны на оценке качества изделия оператором, наиболее просты, но характеризуются субъективностью и нестабильностью оценок. 2.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    9792
    Prefix
    Задачи, стоящие перед измерительными преобразователями систем оптической диагностики, обусловлены процессами, происходящими при взаимодействии внешнего оптического излучения со средой объекта контроля
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    . В ряде случаев сам объект контроля является источником излучения. И именно способность фотоприемника и измерительного преобразователя производить предварительную обработку и регистрацию абсолютных и относительных значений мощности оптического сигнала, его спектрального состава, временных параметров и т. д. определяет возможности системы диагностики в целом [4–6].
    (check this in PDF content)

  3. Start
    10170
    Prefix
    И именно способность фотоприемника и измерительного преобразователя производить предварительную обработку и регистрацию абсолютных и относительных значений мощности оптического сигнала, его спектрального состава, временных параметров и т. д. определяет возможности системы диагностики в целом
    Exact
    [4–6]
    Suffix
    . Сложность объектов контроля, их временная и пространственная нестабильность и неоднородность, широкие динамические диапазоны изменения параметров определяют необходимость использования измерительных преобразователей способных автоматически оценивать величину сигнала и переключаться между несколькими диапазонами измерения [6], формировать измерительный сигнал, опреде
    (check this in PDF content)

  4. Start
    10526
    Prefix
    Сложность объектов контроля, их временная и пространственная нестабильность и неоднородность, широкие динамические диапазоны изменения параметров определяют необходимость использования измерительных преобразователей способных автоматически оценивать величину сигнала и переключаться между несколькими диапазонами измерения
    Exact
    [6]
    Suffix
    , формировать измерительный сигнал, определяемый несколькими входными факторами. Построение измерительных преобразователей систем оптической диагностики на базе традиционных фотоприемников требует применения нескольких фотоприемников, сложных оптических схем и сложных алгоритмов обработки измерительных сигналов.
    (check this in PDF content)

  5. Start
    11754
    Prefix
    . 217 Измерительные преобразователи систем оптической диагностики Многофункциональный датчик в общем случае может включать совокупность одного или нескольких конструктивно объединенных чувствительных элементов, размещенных в зоне действия нескольких физических величин, а также формирующих соответствующие сигналы посредством преобразовательных (передаточных) функций
    Exact
    [4, 6]
    Suffix
    . При этом многофункциональность датчика, включая внешнее или внутреннее управление диапазонами измерения, часто реализуется при изменении режимов и параметров питания и электрического смещения на управляющих электродах фотоэлектрического преобразователя ФЭП (рисунок 1).
    (check this in PDF content)

  6. Start
    13449
    Prefix
    Характеристиками: функциональностью и параметрами ФЭП можно управлять выбором структуры и материала основного полупроводника, технологией изготовления, режимами питания и смещения, дополнительным оптическим излучением
    Exact
    [4–8]
    Suffix
    . Поэтому важной задачей при разработке систем оптической диагностики является оценка возможностей первичных измерительных преобразователей с использованием фотоприемников. Многообразие свойств объектов контроля требует применения в измерительных преобразователях фотоприемников с различными функциональными свойствами, чувствительных или нечувствительных к спектральному составу
    (check this in PDF content)

  7. Start
    13989
    Prefix
    Многообразие свойств объектов контроля требует применения в измерительных преобразователях фотоприемников с различными функциональными свойствами, чувствительных или нечувствительных к спектральному составу оптического излучения, чувствительных к слабым оптическим сигналам или сохраняющим чувствительность при высокой интенсивности сигнала
    Exact
    [6–7]
    Suffix
    . В ряде случаев требуется применение фотоприемников чувствительных к нескольким физическим параметрам. 218 Многофункциональные фотоприемники на основе полупроводников с глубокими многозарядными примесями Фотоэлектрические преобразователи [4–7] изготавливают на основе либо полупроводников с примесной (с концентрацией до 1019 см−3) проводимостью, либо полупроводников с собственной
    (check this in PDF content)

  8. Start
    14399
    Prefix
    В ряде случаев требуется применение фотоприемников чувствительных к нескольким физическим параметрам. 218 Многофункциональные фотоприемники на основе полупроводников с глубокими многозарядными примесями Фотоэлектрические преобразователи
    Exact
    [4–7]
    Suffix
    изготавливают на основе либо полупроводников с примесной (с концентрацией до 1019 см−3) проводимостью, либо полупроводников с собственной фотопроводимостью. В первом случае достигается высокая чувствительность, но уже при малой плотности мощности наблюдается насыщение передаточной характеристики.
    (check this in PDF content)

  9. Start
    15151
    Prefix
    В основе предлагаемых для построения измерительных преобразователей систем оптической диагностики ФЭП лежит физическая интеграция процессов внутри объема чувствительного элемента, построенного на базе полупроводника с низкой концентрацией глубокой примеси
    Exact
    [6]
    Suffix
    , формирующей в запрещенной зоне несколько энергетических уровней для разных зарядовых состояний, с поверхностно-барьерной или резистивной структурой (рисунок 2). abc Рисунок 2 – Конструкция ФЭП (а) и энергетические диаграммы собственного полупроводника: (b) Ge, легированного Pt (Е1, Е2, E3 − энергетические уровни платины в зарядовых состояниях (−2, −1), (−3, −2), (−1, 0) eV) и энергетичес
    (check this in PDF content)

  10. Start
    16013
    Prefix
    design (a) and energy diagrams of intrinsic semiconductor: (b) Ge doped with Pt (Е1, Е2, E3 are Platinum energy levels for charge states (−2, −1), (−3, −2), (−1, 0) eV) and (с) energy levels of Se and S dopants in Silicon Для формирования таких ФЭП (рисунок 2а) вводится известная многозарядная примесь в заданной концентрации и путем использования механизмов управления зарядовым состоянием
    Exact
    [9]
    Suffix
    глубоких примесных центров (рисунок 2b, с) реализуется расширение функциональных возможностей ФЭП и диапазонов преобразования оптического излучения [6, 8]. Конструкция ФЭП на основе собственного полупроводника 1 (рисунок 2а), слаболегированного глубокой примесью акцепторного (рисунок 2b) или донорного типов (рисунок 2с), весьма проста.
    (check this in PDF content)

  11. Start
    16176
    Prefix
    , 0) eV) and (с) energy levels of Se and S dopants in Silicon Для формирования таких ФЭП (рисунок 2а) вводится известная многозарядная примесь в заданной концентрации и путем использования механизмов управления зарядовым состоянием [9] глубоких примесных центров (рисунок 2b, с) реализуется расширение функциональных возможностей ФЭП и диапазонов преобразования оптического излучения
    Exact
    [6, 8]
    Suffix
    . Конструкция ФЭП на основе собственного полупроводника 1 (рисунок 2а), слаболегированного глубокой примесью акцепторного (рисунок 2b) или донорного типов (рисунок 2с), весьма проста.
    (check this in PDF content)

  12. Start
    16670
    Prefix
    Однако относительная сложность физических процессов при перезарядке нескольких энергетических уровней многозарядной глубокой примеси позволяет реализовать многофункциональность фотоэлектрического преобразователя (ФЭП) при простой конструкции чувствительного элемента
    Exact
    [6]
    Suffix
    . ФЭП представляет собой фоторезистивную R1, R2 или барьерную структуру VD1 с длинной базой (рисунок 3) в зависимости от типа используемых контактов 2 и 3 (омический контакт или барьер Шоттки).
    (check this in PDF content)

  13. Start
    18622
    Prefix
    Рисунок 3 – Приборные структуры ФЭП на основе полупроводников с глубокими многозарядными примесями Figure 3 – Photovoltaic converter device structures based on semiconductors with deep multiply-charged dopants Физической основой работы объемно перезаряжаемых светом или электрическим смещением структур является изменение времени жизни и подвижности
    Exact
    [8–10]
    Suffix
    неравновесных носителей заряда в результате их перераспределения по уровням рекомбинации и прилипания многозарядной примеси (рисунок 2b, c). Причем для полупроводников с примесью акцепторного типа изменение постоянных времени жизни и рекомбинации достигает нескольких десятичных порядков [8–10], а для полупроводников с примесью донорного типа это изменение состав
    (check this in PDF content)

  14. Start
    18946
    Prefix
    смещением структур является изменение времени жизни и подвижности [8–10] неравновесных носителей заряда в результате их перераспределения по уровням рекомбинации и прилипания многозарядной примеси (рисунок 2b, c). Причем для полупроводников с примесью акцепторного типа изменение постоянных времени жизни и рекомбинации достигает нескольких десятичных порядков
    Exact
    [8–10]
    Suffix
    , а для полупроводников с примесью донорного типа это изменение составляет величину менее 1 %, что связано с тем, что энергетические уровни примеси уже заполнены (рисунок 2с). В фотоприемниках, слабо легированных рядом примесей с акцепторными свойствами [8, 11], примесь формирует два или три глубоких уровня в нескольких зарядовых состояниях.
    (check this in PDF content)

  15. Start
    19218
    Prefix
    акцепторного типа изменение постоянных времени жизни и рекомбинации достигает нескольких десятичных порядков [8–10], а для полупроводников с примесью донорного типа это изменение составляет величину менее 1 %, что связано с тем, что энергетические уровни примеси уже заполнены (рисунок 2с). В фотоприемниках, слабо легированных рядом примесей с акцепторными свойствами
    Exact
    [8, 11]
    Suffix
    , примесь формирует два или три глубоких уровня в нескольких зарядовых состояниях. При этом характеристики приборной структуры с глубокими многозарядными примесями определяются в основном характером рекомбинационных процессов через уровни примеси [11].
    (check this in PDF content)

  16. Start
    19474
    Prefix
    В фотоприемниках, слабо легированных рядом примесей с акцепторными свойствами [8, 11], примесь формирует два или три глубоких уровня в нескольких зарядовых состояниях. При этом характеристики приборной структуры с глубокими многозарядными примесями определяются в основном характером рекомбинационных процессов через уровни примеси
    Exact
    [11]
    Suffix
    . Закономерности формирования сигнала ФЭП связаны с изменением эффективного времени жизни и подвижности с уровнем инжекции. Зависимость времени жизни основных τn и неосновных τp носителей заряда от уровня возбуждения для германия и кремния, легированного глубокими примесями с несколькими многозарядными уровнями, характеризуется диапазоном изменения до четырех десятичных
    (check this in PDF content)

  17. Start
    19898
    Prefix
    Зависимость времени жизни основных τn и неосновных τp носителей заряда от уровня возбуждения для германия и кремния, легированного глубокими примесями с несколькими многозарядными уровнями, характеризуется диапазоном изменения до четырех десятичных порядков величины
    Exact
    [8, 11]
    Suffix
    . Моделирование рекомбинационных процессов в приборных структурах с многозарядными примесями [8] показывает, что на зависимости времени жизни основных и неосновных носителей заряда от плотности мощности оптического излучения существуют две области линейной рекомбинации, разделенной областью нелинейной рекомбинации (рисунок 4).
    (check this in PDF content)

  18. Start
    20010
    Prefix
    Зависимость времени жизни основных τn и неосновных τp носителей заряда от уровня возбуждения для германия и кремния, легированного глубокими примесями с несколькими многозарядными уровнями, характеризуется диапазоном изменения до четырех десятичных порядков величины [8, 11]. Моделирование рекомбинационных процессов в приборных структурах с многозарядными примесями
    Exact
    [8]
    Suffix
    показывает, что на зависимости времени жизни основных и неосновных носителей заряда от плотности мощности оптического излучения существуют две области линейной рекомбинации, разделенной областью нелинейной рекомбинации (рисунок 4).
    (check this in PDF content)

  19. Start
    21375
    Prefix
    в скобках) Figure 4 – Dependence graphs of Cuprum ion concentration in n-type Germanium for charge states (−3), (−2), (−1), respective lines 3, 2 and 1, on optical power density (right: energy diagram; charge states are given in brackets) 220 Автоматическая перезарядка зарядовых состояний глубокой многозарядной примеси при увеличении плотности мощности оптического сигнала приводит
    Exact
    [8]
    Suffix
    к формированию двух поддиапазонов энергетической характеристики фотоприемника (рисунок 5). Рисунок 5 – Энергетические характеристики ФЭП с примесной (а) и собственной (b) проводимостью, с многозарядными примесными центрами акцепторного (с) и донорного (d) типа; и соответствующие энергетические диаграммы материалов этих ФЭП Figure 5 – Energetic performance of photovoltaic converters with dopan
    (check this in PDF content)

  20. Start
    23247
    Prefix
    Отметим, что внутри поддиапазонов J > JL и J < JH энергетическая характеристика фотоприемника практически линейна (с отклонением от линейности не более 1 %), а внутри поддиапазона JL < J < JH вид энергетической характеристики может отличаться от линейной
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Основой модели, описывающей поведение фоторезистивного ФЭП [4, 8], является система кинетических уравнений, описывающая процессы рекомбинации с участием многозарядной примеси, имеющей произвольное количество (i) уровней в запрещенной зоне полупроводника.
    (check this in PDF content)

  21. Start
    23314
    Prefix
    Отметим, что внутри поддиапазонов J > JL и J < JH энергетическая характеристика фотоприемника практически линейна (с отклонением от линейности не более 1 %), а внутри поддиапазона JL < J < JH вид энергетической характеристики может отличаться от линейной [8]. Основой модели, описывающей поведение фоторезистивного ФЭП
    Exact
    [4, 8]
    Suffix
    , является система кинетических уравнений, описывающая процессы рекомбинации с участием многозарядной примеси, имеющей произвольное количество (i) уровней в запрещенной зоне полупроводника.
    (check this in PDF content)

  22. Start
    23546
    Prefix
    Основой модели, описывающей поведение фоторезистивного ФЭП [4, 8], является система кинетических уравнений, описывающая процессы рекомбинации с участием многозарядной примеси, имеющей произвольное количество (i) уровней в запрещенной зоне полупроводника. В результате моделирования
    Exact
    [8]
    Suffix
    определяются зависимости концентрации ионов примеси в различных зарядовых состояниях (рисунок 4) и зависимости времени жизни основных и неосновных носителей заряда от плотности мощности оптического излучения: Границами поддиапазонов энергетической характеристики чувствительности JL и JH можно управлять изменением концентрации многозарядной примеси и ее типом [6, 8].
    (check this in PDF content)

  23. Start
    23932
    Prefix
    [8] определяются зависимости концентрации ионов примеси в различных зарядовых состояниях (рисунок 4) и зависимости времени жизни основных и неосновных носителей заряда от плотности мощности оптического излучения: Границами поддиапазонов энергетической характеристики чувствительности JL и JH можно управлять изменением концентрации многозарядной примеси и ее типом
    Exact
    [6, 8]
    Suffix
    . Отметим, что при переходе от одного поддиапазона к другому, вследствие задействования различных энергетических переходов, изменяется и вид спектральной характеристики чувствительности такого ФЭП [6, 11].
    (check this in PDF content)

  24. Start
    24149
    Prefix
    Отметим, что при переходе от одного поддиапазона к другому, вследствие задействования различных энергетических переходов, изменяется и вид спектральной характеристики чувствительности такого ФЭП
    Exact
    [6, 11]
    Suffix
    . При этом диапазон спектральной чувствительности ФЭП перекрывает ной рекомбинации при низких плотностях мощ∆∆ np++nnpp np UU UU ,. τ=τ= 1212 221 значения ближнего и среднего ИК излучения (1,2 мкм – 10 мкм), а положение «красной» границы чувствительности может смещаться на величину до нескольких (2–4) мкм.
    (check this in PDF content)

  25. Start
    24967
    Prefix
    Несмотря на простоту конструкции фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с собственной проводимостью, на их основе можно построить ряд многофункциональных одноэлементных сенсоров, чувствительных как к нескольким параметрам оптического излучения, так и к другим воздействующим факторам
    Exact
    [6]
    Suffix
    . Наибольший интерес вызывают некоторые из них. Например, наличие в структуре ФЭП встречно включенных барьерных структур (рисунок 6а) может привести к появлению на спектральной характеристике чувствительности (рисунок 6b) области с инверсией знака фото-ЭДС [6, 11–12].
    (check this in PDF content)

  26. Start
    25243
    Prefix
    Например, наличие в структуре ФЭП встречно включенных барьерных структур (рисунок 6а) может привести к появлению на спектральной характеристике чувствительности (рисунок 6b) области с инверсией знака фото-ЭДС
    Exact
    [6, 11–12]
    Suffix
    . Такая структура представляет собой по существу функциональный преобразователь, в котором взаимосвязь четырех параметров I, λ, V, Δz дает возможность функционального выражения одной физической величины через другую (или совокупность нескольких величин) и использования прибора в качестве фотоприемника для сравнения интенсивностей излучения в разных спектральных ди
    (check this in PDF content)

  27. Start
    25788
    Prefix
    дает возможность функционального выражения одной физической величины через другую (или совокупность нескольких величин) и использования прибора в качестве фотоприемника для сравнения интенсивностей излучения в разных спектральных диапазонах, детектора длины волны монохроматического излучения и др., приема и передачи информации, координатночувствительного элемента
    Exact
    [6]
    Suffix
    . Рисунок 6 – Одноэлементный двухбарьерный ФЭП (а) и спектральные характеристики фототока короткого замыкания преобразователя (Ni–nGe(Cu)–Ni) для различных плотностей мощности оптического излучения: 1 – J = 10 мкВт/см2; 2 – J = 5 мкВт/см2; 3 – J = 3 мкВт/см2; 4 – J = 1,5 мкВт/см2 (b); с – характеристика преобразования двухбарьерного ФЭП Figure 6 – Unitary two-barrier photovoltaic
    (check this in PDF content)

  28. Start
    26761
    Prefix
    cm2; 3 – J = 3 μW/cm2; 4 – J = 1,5 μW/cm2 (b); с – transducer characteristic of two-barrier photovoltaic converter При освещении оптическим излучением с одной стороны (только сигнал S1 или только S2) двухбарьерный ФЭП характеризуется линейной передаточной характеристикой интенсивности света I и нелинейной характеристикой чувствительности к длине волны (рисунок 6с) вследствие
    Exact
    [6]
    Suffix
    поглощения света по глубине структуры, 222 a b c отражения от передней и тыльной сторон структуры и т. д. Однако при освещении ФЭП с двух сторон оптическим сигналом S1 анализируемого изображения и сигналом S2 опорного изображения нелинейности передаточных характеристик взаимно компенсируются и выходной сигнал J будет равен нулю при равенстве оптических сигналов S1, S2 по обоим параме
    (check this in PDF content)

  29. Start
    27742
    Prefix
    Если выводы на противоположных сторонах ФЭП выполнить не в виде полупрозрачных электродов на всей поверхности структуры, а в виде совокупности электродов 1–4 и 5–6, размещенных по контуру структуры (рисунок 7), то такой ФЭП, реализующий функцию оптического компаратора, будет чувствителен также к форме и положению элементов изображения относительно центра структуры
    Exact
    [6]
    Suffix
    . Отметим, что в оптико-электронных компараторах сравниваются не собственно изображения, а сигналы, несущие информацию о наиболее важных свойствах изображения. В простейшем случае используются два фотоприемника, сигналы с выхода которых поступают на входы обычного электронного компаратора для формирования признака равенства оптических сигналов в виде выходного электрического сиг
    (check this in PDF content)

  30. Start
    28402
    Prefix
    Недостатком таких компараторов является низкое быстродействие и невозможность сравнения оптических сигналов по нескольким параметрам одновременно. Оптические компараторы, образованные связанными волноводными разветвлениями
    Exact
    [13]
    Suffix
    , характеризуются высоким быстродействием, но имеют сложную конструкцию, приводящую к оптическим потерям, и также не позволяют сравнивать изображения по нескольким параметрам. Одноэлементный координатно-чувствительный ФЭП (рисунок 7) будет формировать нулевой выходной электрический сигнал, как ФЭП со сплошными электродами, при равенстве всех параметров величин I, λ и Z, где Z –
    (check this in PDF content)

  31. Start
    29590
    Prefix
    Дополнительно параметрами преобразования оптико-электронного компаратора, если в качестве основы ФЭП используется полупроводник слабо легированный глубокой примесью, формирующей несколько уровней с различными зарядовыми состояниями, можно управлять, используя внешнее оптическое излучение
    Exact
    [11]
    Suffix
    . Изменяя интенсивность управляющего излучения, можно управлять концентрацией примеси в различных зарядовых состояниях с разными уровнями энергии ионизации. В зависимости от плотности мощности оптического сигнала (дополнительного или основных сигналов S1, S2) реализуются различные зарядовые состояния многозарядной примеси.
    (check this in PDF content)

  32. Start
    32073
    Prefix
    Фотоприемники на основе полупроводниковых структур с многозарядной примесью характеризуются свойствами управляемости своих параметров (энергетической характеристикой, спектральной характеристикой чувствительности, быстродействием и др.) под действием внешних и внутренних факторов, в первую очередь дополнительного освещения
    Exact
    [6, 11]
    Suffix
    . В связи с этим вызывает интерес дополнение базовых структур одноэлементных фотоприемников [6] комбинированными полупроводниковыми структурами на сапфировых подложках [14]. Важные достоинства сапфировой подложки – отличные диэлектрические характеристики, инертность, способность работы при высоких температурах и механических нагрузках.
    (check this in PDF content)

  33. Start
    32178
    Prefix
    многозарядной примесью характеризуются свойствами управляемости своих параметров (энергетической характеристикой, спектральной характеристикой чувствительности, быстродействием и др.) под действием внешних и внутренних факторов, в первую очередь дополнительного освещения [6, 11]. В связи с этим вызывает интерес дополнение базовых структур одноэлементных фотоприемников
    Exact
    [6]
    Suffix
    комбинированными полупроводниковыми структурами на сапфировых подложках [14]. Важные достоинства сапфировой подложки – отличные диэлектрические характеристики, инертность, способность работы при высоких температурах и механических нагрузках.
    (check this in PDF content)

  34. Start
    32258
    Prefix
    (энергетической характеристикой, спектральной характеристикой чувствительности, быстродействием и др.) под действием внешних и внутренних факторов, в первую очередь дополнительного освещения [6, 11]. В связи с этим вызывает интерес дополнение базовых структур одноэлементных фотоприемников [6] комбинированными полупроводниковыми структурами на сапфировых подложках
    Exact
    [14]
    Suffix
    . Важные достоинства сапфировой подложки – отличные диэлектрические характеристики, инертность, способность работы при высоких температурах и механических нагрузках. Поэтому их применяют даже в случаях, когда параметры кристаллической решетки не совсем совпадают с параметрами гетероэпитаксиальных структур.
    (check this in PDF content)

  35. Start
    32783
    Prefix
    Сапфировые подложки используются для эпитаксии многих полупроводниковых материалов (Si, SiGe, GaN, AlGaN, тройных и четверных соединений типа А3В5 и других) и изготовления интегральных схем
    Exact
    [15]
    Suffix
    . Приблизительное совпадение кристалофизических свойств сапфира (постоянная кристаллической решетки, коэффициенты термического расширения) и ряда полупроводниковых материалов позволяют использовать сапфировые подложки для изготовления приборных структур на основе нескольких разнородных материалов, в том числе со свойствами [14–16], не реализуемыми методами традиционных те
    (check this in PDF content)

  36. Start
    33132
    Prefix
    Приблизительное совпадение кристалофизических свойств сапфира (постоянная кристаллической решетки, коэффициенты термического расширения) и ряда полупроводниковых материалов позволяют использовать сапфировые подложки для изготовления приборных структур на основе нескольких разнородных материалов, в том числе со свойствами
    Exact
    [14–16]
    Suffix
    , не реализуемыми методами традиционных технологий. На рисунке 8 приведена упрощенная приборная структура фотоэлектрического преобразователя 2 на основе полупроводника с глубокой многозарядной примесью и управляющим его характеристиками излучателем 4.
    (check this in PDF content)

  37. Start
    34299
    Prefix
    -charged dopant; 3 – photovoltaic converter stubs; 4 – controlling p-n LED; 5 – LED stubs; 6 – insulating dielectric layers; 7 – incoming optical signal; 8 – controlling optical emission В одной приборной структуре совмещаются технологии светодиодных 4 приборов на основе полупроводниковых соединений А3В5 и фотоприемных структур 2 на основе Si, Ge, Si: Ge и других материалов
    Exact
    [14–17]
    Suffix
    . При этом входной оптический сигнал 7 может вводиться в структуру ФЭП как со стороны полупроводниковых слоев 7, так и через подложку 7*, так как сапфир характеризуется и отличными оптическими свойствами в ближнем и среднем ИК оптическом диапазоне. 224 Заключение Установлено, что одноэлементные фотоэлектрические преобразователи на базе полупроводников с низкой конце
    (check this in PDF content)