The 10 reference contexts in paper A. Burmakou P., V. Kuleshov N., A. Stoliarov V., А. Бурмаков П., В. Кулешов Н., А. Столяров В. (2018) “СИСТЕМА СТАБИЛИЗАЦИИ ПРОЦЕССА РЕАКТИВНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ // SYSTEM OF STABILIZATION OF REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING PROCESS” / spz:neicon:pimi:y:2018:i:2:p:114-120

  1. Start
    7882
    Prefix
    В процессах нанесения пленок химических соединений основной проблемой магнетронных технологий является недостаточная воспроизводимость состава покрытий, обусловленная неустойчивостью параметров магнетронного разряда при наличии реактивного газа
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    . Для стабилизации процесса нанесения необходимо обеспечить обратную связь между параметрами магнетронного разряда и расходом инертного и реактивного газов [4] путем автоматического управления расходом газов в реальном времени, используя характеристики разряда.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    8060
    Prefix
    химических соединений основной проблемой магнетронных технологий является недостаточная воспроизводимость состава покрытий, обусловленная неустойчивостью параметров магнетронного разряда при наличии реактивного газа [1–3]. Для стабилизации процесса нанесения необходимо обеспечить обратную связь между параметрами магнетронного разряда и расходом инертного и реактивного газов
    Exact
    [4]
    Suffix
    путем автоматического управления расходом газов в реальном времени, используя характеристики разряда. Такое управление может базироваться на излучении разряда, регистрируемом методом оптической эмиссионной спектроскопии (оптическое управление), химическом составе плазмы разряда, регистрируемом методом масс-спектроскопии, или на электрических (ток, напряжение, мощность) параметрах разряда,
    (check this in PDF content)

  3. Start
    8862
    Prefix
    Наиболее простым в реализации является управление по электрическим параметрам разряда, однако его применение ограничено в силу слабой или неоднозначной зависимости этих параметров от свойств плазмы магнетронного разряда. Известные системы стабилизации
    Exact
    [5–7]
    Suffix
    реализующие указанные подходы имеют ряд общих недостатков: – малое максимальное количество подключаемых датчиков и исполнительных устройств, что является недостаточным для сложных технологических установок с большим числом распылителей; – цепи входных и выходных сигналов указанных систем подключаются к единому модулю, что вызывает определённые трудности с установкой устройств в случа
    (check this in PDF content)

  4. Start
    9846
    Prefix
    Осаждение пленочных покрытий сложного химического состава В технологиях реактивного магнетронного распыления подача реактивного газа в вакуумную камеру значительно усложняет физические процессы, сопровождающие распыление катода и формирование пленочного покрытия
    Exact
    [8, 9]
    Suffix
    . Магнетронный разряд становится неустойчивым, т. е. возможно самопроизвольное изменение параметров плазмы магнетронного разряда при сохранении на постоянном уровне характеристик процесса: мощности разряда, давления в вакуумной камере, расхода инертного и реактивного газов, скорости откачки газов из вакуумной камеры.
    (check this in PDF content)

  5. Start
    11788
    Prefix
    метод, использующий излучение плазмы магнетронного разряда, а именно оптическую эмиссионную спектроскопию. 116 Общий подход к алгоритмам оптическотронного распыления сводится к одновременной регистрации относительной интенсивности элементов эмиссионного спектра разряда (спектральных линий, молекулярных полос), которые однозначно характеризуют состав осаждаемого потока
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Используя интенсивности этих элементов, необходимо вырабатывать сигналы в реальном времени, управляющие параметрами разряда. При этом управляющие сигналы должны обеспечивать вывод химического состава плазмы на требуемые величины и его поддержание с необходимой точностью.
    (check this in PDF content)

  6. Start
    12322
    Prefix
    Если расположить параметры разряда по степени их влияния на воспроизводимость свойств пленочного покрытия, то, в первую очередь, необходимо управлять расходом реактивного газа, затем мощностью разряда и далее давлением в вакуумной камере
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Разработка системы стабилизации При разработке системы стабилизации, исходя из цели разработки, к ней предъявлялись следующие требования: – реализовать алгоритмы управления процессами реактивного магнетронного осаждения; – модульность системы для возможности адаптации её к различным технологическим установкам; – гибкая настройка системы для возможности реализации широкого круга технолог
    (check this in PDF content)

  7. Start
    14755
    Prefix
    Выбор этих элементов и их количество 117 определяется алгоритмом управления конкретного процесса нанесения пленочного покрытия. ДЦ состоит из светофильтра, выделяющего необходимый спектральный элемент из излучения плазмы разряда
    Exact
    [11]
    Suffix
    , фотодиода и контроллера, обеспечивающего передачу величины сигнала интенсивности на шину CAN. Для регистрации интенсивности каждого спектрального элемента используется по одному ДЦ. Исполнительными устройствами системы являются натекатели газов, регулирующие расход каждого рабочего газа и формирующие требуемую смесь газов, а также клапана, коммутирующие газовую смесь на распылител
    (check this in PDF content)

  8. Start
    17358
    Prefix
    Используемый протокол обмена между устройствами позволяет использовать до 127 датчиков и исполнительных устройств на шине CAN. Задачей микрокомпьютера является опрос сигналов с датчиков и управление исполнительными устройствами по алгоритмам, обеспечивающим воспроизводимость свойств покрытий
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Микрокомпьютер предоставляет пользовательский интерфейс, а также интерфейс для удаленного управления. Разработано клиентское приложение пользовательского интерфейса, которое доступно из сети по адресу устройства.
    (check this in PDF content)

  9. Start
    18771
    Prefix
    ДА–Н1 – контур поддержания общего давления в камере путём управления расходом аргона по величине сигнала давления. 2. ДЦ–Н2 – контур, реализующий для процесса осаждения оксида титана одноканальный алгоритм управления
    Exact
    [10]
    Suffix
    расходом кислорода по интенсивности спектральных линий титана. Тестирование системы проводилось следующим образом: 118 1. В предварительно откачанную вакуумную камеру до давления порядка 10-3 Па производился напуск аргона, давление которого поддерживалось на постоянном уровне 0,5 Па с помощью контура управления ДА–Н1. 2.
    (check this in PDF content)

  10. Start
    19754
    Prefix
    Управление расходом кислорода производилось с помощью контура управления ДЦ–Н2, который обеспечивал вывод интенсивности спектральных линий титана на заданный уровень, соответствующий осаждению плёнки оксида титана стехиометрического состава. Для контроля за ходом процесса фиксировалась динамика изменения интенсивности спектральных линий магнетронного разряда с помощью спектрометра S100
    Exact
    [12]
    Suffix
    . На рисунке 2 изображена динамика интенсивности спектральных линий кислорода 777,3 нм и титана 519,3 нм, начиная с момента подачи кислорода в вакуумную камеру. Эти линии являются характерными для процесса нанесения оксида титана, так как их интенсивности пропорциональны концентрации атомов кислорода и титана в осаждаемом потоке, следовательно, в формируемой пленке.
    (check this in PDF content)