The 7 reference contexts in paper S. Sianko F., V. Zelenin A., С. Сенько Ф., В. Зеленин А. (2018) “ОЦЕНКА РАЗМЕРОВ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР // ESTIMATION OF TOPOGRAPHIC DEFECTS DIMENSIONS OF SEMICONDUCTOR SILICON STRUCTURES” / spz:neicon:pimi:y:2018:i:1:p:74-84

  1. Start
    8080
    Prefix
    Это означает, что допустимая неплоскостность составляет 2 мкм на 1 см длины. В противном случае часть элементов кристалла будет находиться вне фокуса и их размеры уже не будут соответствовать требуемым нормам
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Нормативно-техническая документация на полупроводниковые пластины в качестве одного из основных требований выдвигает соответствие качества обработки поверхности 14 классу шероховатости [2, 3], что соответствует высоте неровностей профиля Rz менее 25 нм.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    8272
    Prefix
    В противном случае часть элементов кристалла будет находиться вне фокуса и их размеры уже не будут соответствовать требуемым нормам [1]. Нормативно-техническая документация на полупроводниковые пластины в качестве одного из основных требований выдвигает соответствие качества обработки поверхности 14 классу шероховатости
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    , что соответствует высоте неровностей профиля Rz менее 25 нм. Однако фактические требования к качеству поверхности гораздо выше, т.к. современные полупроводниковые приборы базируются на технологии, использующей пленки толщиной 10 нм и менее.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    8651
    Prefix
    Однако фактические требования к качеству поверхности гораздо выше, т.к. современные полупроводниковые приборы базируются на технологии, использующей пленки толщиной 10 нм и менее. Кроме того, многочисленные исследования качества поверхности пластин после полировки показали наличие разнообразных дефектов
    Exact
    [4–7]
    Suffix
    , связанных как непосредственно с полировкой, так и с предыдущими операциями, в частности выращиванием слитков, их резкой на пластины, травлением и т.д. Контроль поверхностей такого уровня качества достигается теневыми методами, которые позволяют выявлять дефекты размером порядка 1/100 длины волны, что для видимого света составляет величину порядка 7 нм.
    (check this in PDF content)

  4. Start
    9109
    Prefix
    Контроль поверхностей такого уровня качества достигается теневыми методами, которые позволяют выявлять дефекты размером порядка 1/100 длины волны, что для видимого света составляет величину порядка 7 нм. Среди них широкое распространение получил метод оптической топографии
    Exact
    [8–10]
    Suffix
    , называемый в зарубежной литературе методом Makyoh топографии [11, 12]. С помощью данного метода проведены обширные исследования топографических дефектов поверхности полупроводниковых пластин и их связи с другими видами дефектов [13–16].
    (check this in PDF content)

  5. Start
    9182
    Prefix
    Контроль поверхностей такого уровня качества достигается теневыми методами, которые позволяют выявлять дефекты размером порядка 1/100 длины волны, что для видимого света составляет величину порядка 7 нм. Среди них широкое распространение получил метод оптической топографии [8–10], называемый в зарубежной литературе методом Makyoh топографии
    Exact
    [11, 12]
    Suffix
    . С помощью данного метода проведены обширные исследования топографических дефектов поверхности полупроводниковых пластин и их связи с другими видами дефектов [13–16]. Установлены виды дефектов и причины их возникновения, в частности ямок, бугорков, волнистости поверхности и др.
    (check this in PDF content)

  6. Start
    9364
    Prefix
    Среди них широкое распространение получил метод оптической топографии [8–10], называемый в зарубежной литературе методом Makyoh топографии [11, 12]. С помощью данного метода проведены обширные исследования топографических дефектов поверхности полупроводниковых пластин и их связи с другими видами дефектов
    Exact
    [13–16]
    Suffix
    . Установлены виды дефектов и причины их возникновения, в частности ямок, бугорков, волнистости поверхности и др. Установлена их взаимосвязь с другими дефектами подложек, например свирл-дефектами, линиями скольжения.
    (check this in PDF content)

  7. Start
    14465
    Prefix
    Определим соотношение между расстояниями от источника света до контролируемой поверхности, от контролируемой поверхности до экрана и радиусами кривизны R элементов контролируемой поверхности. Воспользуемся формулой сферического зеркала
    Exact
    [4]
    Suffix
    : (2) где F – расстояние от контролируемой поверхности до точки фокусировки отраженного светового потока. Отсюда: (3) Для обеспечения однозначности результатов контроля различных неровностей одной и той же поверхности необходимо, чтобы изображения всех элементарных участков, составляющих контролируемую поверхность, формировались одинаковым образом.
    (check this in PDF content)