The 11 reference contexts in paper K. Pantsialeyeu U., A. Krautsevich U., I. Rovba A., V. Lysenko I., R. Vorobey I., O. Gusev K., A. Zharin L., К. Пантелеев В., А. Кравцевич В., И. Ровба А., В. Лысенко И., Р. Воробей И., О. Гусев К., А. Жарин Л. (2017) “АНАЛИЗ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ НАНОКОМПОЗИТНЫХ ПОЛИМЕРОВ МОДИФИЦИРОВАННЫМ ЗОНДОМ КЕЛЬВИНА // ANALYSIS OF THE ELECTROPHYSICAL AND PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF NANOCOMPOSITE POLYMERS BY THE MODIFIED KELVIN PROBE” / spz:neicon:pimi:y:2017:i:4:p:386-397

  1. Start
    7542
    Prefix
    Methods of Measurements. 2017, vol. 8, no. 4, pp. 386–397 (in Russian) DOI: 10.21122/2220-9506-2017-8-4-386-397 387 Введение В настоящее время широкое распространение получают различные модификации сканирующего зонда Кельвина, позволяющие получать карты пространственного распределения электростатического потенциала поверхностей материалов с микрометровым пространственным разрешением
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    . Высокая чувствительность электростатического потенциала к каким-либо изменениям состояния поверхности позволяет использовать данный параметр для выявления неоднородностей свойств материалов, часто не разрешаемых прочими методами физического материаловедения.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    8045
    Prefix
    Традиционно зонд Кельвина используют для контроля состояния прецизионных поверхностей металлов, сплавов, полупроводниковых материалов и объектов по параметрам пространственного распределения работы выхода электрона
    Exact
    [3]
    Suffix
    , измеряемой по контактной разности потенциалов (КРП) относительно зондового образца. В то же время анализ литературных данных [4–6], а также проведенные ранее исследования [7] показывают, что методы КРП, в частности такие модификации, как сканирующий Кельвин-зондовый силовой микроскоп и сканирующий зонд Кельвина, применимы и к твердым диэлектрикам.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    8175
    Prefix
    Традиционно зонд Кельвина используют для контроля состояния прецизионных поверхностей металлов, сплавов, полупроводниковых материалов и объектов по параметрам пространственного распределения работы выхода электрона [3], измеряемой по контактной разности потенциалов (КРП) относительно зондового образца. В то же время анализ литературных данных
    Exact
    [4–6]
    Suffix
    , а также проведенные ранее исследования [7] показывают, что методы КРП, в частности такие модификации, как сканирующий Кельвин-зондовый силовой микроскоп и сканирующий зонд Кельвина, применимы и к твердым диэлектрикам.
    (check this in PDF content)

  4. Start
    8221
    Prefix
    Традиционно зонд Кельвина используют для контроля состояния прецизионных поверхностей металлов, сплавов, полупроводниковых материалов и объектов по параметрам пространственного распределения работы выхода электрона [3], измеряемой по контактной разности потенциалов (КРП) относительно зондового образца. В то же время анализ литературных данных [4–6], а также проведенные ранее исследования
    Exact
    [7]
    Suffix
    показывают, что методы КРП, в частности такие модификации, как сканирующий Кельвин-зондовый силовой микроскоп и сканирующий зонд Кельвина, применимы и к твердым диэлектрикам. В отличие от металлов и сплавов электростатический потенциал диэлектрика будет обусловлен собственными и/или приобретенными в результате внешних воздействий зарядами.
    (check this in PDF content)

  5. Start
    8748
    Prefix
    В отличие от металлов и сплавов электростатический потенциал диэлектрика будет обусловлен собственными и/или приобретенными в результате внешних воздействий зарядами. На практике прямой анализ однородности электропотенциального профиля не является достаточно информативным для описания каких-либо конкретных физических параметров
    Exact
    [7, 8]
    Suffix
    . Во-первых, в измерениях участвует весь объем диэлектрика, а не его поверхность, как в случае металлов. Во-вторых, неоднозначны факторы, приводящие к изменению электронной подсистемы диэлектрика.
    (check this in PDF content)

  6. Start
    9197
    Prefix
    Поэтому в случае полимеров наиболее информативно использование методов КРП в совокупности с каким-либо внешним энергетическим воздействием, например, при осаждении зарядов в коронном разряде или оптическом зондировании поверхности
    Exact
    [9]
    Suffix
    . Для анализа электронных явлений и процессов, имеющих место в полимерных композиционных материалах (ПКМ), особый интерес представляет световое воздействие, позволяющее зондировать строго определенные энергетические состояния электронов [10, 11].
    (check this in PDF content)

  7. Start
    9446
    Prefix
    Для анализа электронных явлений и процессов, имеющих место в полимерных композиционных материалах (ПКМ), особый интерес представляет световое воздействие, позволяющее зондировать строго определенные энергетические состояния электронов
    Exact
    [10, 11]
    Suffix
    . Несмотря на высокую актуальность, исследования в данном направлении практически не проводятся. Целью данной работы являлись модификация сканирующего зонда Кельвина и проведение экспериментальных исследований пространственного распределения электростатического потенциала актуальных композитных полимеров и его отклика на зондирующее воздействие оптическим излучение.
    (check this in PDF content)

  8. Start
    10794
    Prefix
    Третий привод обеспечивает вертикальное перемещение системы из измерителя КРП и источника видимого оптического излучения. Измеритель КРП (рисунок 1) реализован по традиционному методу Кельвина–Зисмана
    Exact
    [12, 13]
    Suffix
    . Поверхности эталонного (зондового) M1 и измеряемого M2 (закреплен на заземленном предметном столике) образцов формируют обкладки плоскопараллельного конденсатора. Зондовый образец приводится в возвратно-поступательное движение с помощью электромеханического вибратора 1 (частота модуляции 300 Гц).
    (check this in PDF content)

  9. Start
    14059
    Prefix
    Разрешающая способность сканирующего зонда Кельвина в общем случае определяется геометрическими размерами чувствительного элемента измерительного преобразователя и может достигать уровня атомно-силовой микроскопии
    Exact
    [14, 15]
    Suffix
    . Материалы Исследования выполнены на опытных образцах ПКМ на основе полиэтилена высокого давления (ПЭВД) марки 12203-250, промышленно выпускаемом заводом «Полимир» ОАО «Нафтан». Данная марка ПЭВД характеризуется наиболее высоким индексом текучести расплава (25 г/10 мин), поэтому главным образом применяется для получения концентратов красителей, т.е. высоконаполненных полимерных си
    (check this in PDF content)

  10. Start
    15196
    Prefix
    ; А – блок-схема модулятора (1 – вибратор, 2 – фазосдвигатель, 3 – формирователь сигнала); В – блок-схема предусилителя (преобразователь ток-напряжение, образованный операционным усилителем с высокоомным резистором RL); С – блок-схема фазового детектора-интегратора (4 – электронный ключ, 5 – интегратор); UCPD – сигнал контактной разности потенциалов; Ubias – напряжение компенсации
    Exact
    [13]
    Suffix
    Figure 1 – Structure diagram of contact potential difference probes: М1, М2 – surfaces of the probe and sample respectively; А – flowchart of the modulator (1 – vibrator, 2 – phase shifter, 3 – convertor); В – flowchart of the preamplifier (current-voltage converter are formed by an operational amplifier with a high value resistor RL); С – flowchart of the phase detector-integrator (
    (check this in PDF content)

  11. Start
    15704
    Prefix
    sample respectively; А – flowchart of the modulator (1 – vibrator, 2 – phase shifter, 3 – convertor); В – flowchart of the preamplifier (current-voltage converter are formed by an operational amplifier with a high value resistor RL); С – flowchart of the phase detector-integrator (Lock-In, 4 – analog switch, 5 – integrator); UCPD – contact potential difference; Ubias – compensating voltage
    Exact
    [13]
    Suffix
    использованы углеродный наноматериал (УНМ), наночастицы диоксида кремния или алюминия. УНМ представляет собой продукт пиролиза углеродсодержащих газов в каталитическом кипящем слое, получаемый в лаборатории дисперсных систем Института тепло- и массообмена НАН Беларуси.
    (check this in PDF content)