The 9 reference contexts in paper V. Pilipenko А., V. Saladukha A., V. Filipenya A., R. Vorobey I., O. Gusev K., A. Zharin L., K. Pantsialeyeu V., A. Svistun I., A. Tyavlovsky K., K. Tyavlovsky L., В. Пилипенко А., В. Солодуха А., В. Филипеня А., Р. Воробей И., О. Гусев К., А. Жарин Л., К. Пантелеев В., А. Свистун И., А. Тявловский К., К. Тявловский Л. (2017) “ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА КРЕМНИЙ-ДВУОКИСЬ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДОВ ЗОНДОВОЙ ЭЛЕКТРОМЕТРИИ // CHARACTERIZATION OF THE ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF SILICON-SILICON DIOXIDE INTERFACE USING PROBE ELECTROMETRY METHODS” / spz:neicon:pimi:y:2017:i:4:p:344-356

  1. Start
    8866
    Prefix
    Недостатки традиционных методов и средств контроля структурных слоев Si-SiO2, основанных на исследовании их вольтфарадных характеристик, определяются необходимостью создания в процессе измерений непосредственного электрического контакта с поверхностью образца, что изменяет ее состояние и может привести к повреждению структуры
    Exact
    [1]
    Suffix
    . В связи с этим в последнее время в мире уделяется большое внимание развитию бесконтактных методов характеризации полупроводниковых структур, в первую очередь основанных на использовании метода сканирующего зонда Кельвина.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    9413
    Prefix
    Одним из преимуществ использования сканирующего зонда является возможность представления результатов характеризации в виде наглядных цветных карт распределения контролируемого параметра. Определение конкретных физических параметров полупроводниковой структуры при этом не обеспечивается
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Для количественного определения таких характеристик полупроводниковых структур, как время жизни неравновесных носителей заряда, подвижность носителей заряда в слое инверсии, плотность заряда на ловушках на границе раздела кремний-диэлектрик, эквивалентная толщина диэлектрика, концентрация примеси тяжелых металлов (в частности, железа) в поверхностных слоях полупроводника,
    (check this in PDF content)

  3. Start
    10084
    Prefix
    толщина диэлектрика, концентрация примеси тяжелых металлов (в частности, железа) в поверхностных слоях полупроводника, разными авторами предлагалось дополнение методов зондовой электрометрии и, в частности, метода зонда Кельвина, дополнительными воздействиями на исследуемую полупроводниковую структуру в виде осаждения заряда в коронном разряде, освещения поверхности, нагрева
    Exact
    [2–6]
    Suffix
    . Указанные воздействия (в первую очередь, воздействие коронным разрядом) в большинстве случаев несовместимы с режимом сканирования либо же существенно увеличивают время единичного измерения, что лишает метод зонда Кельвина важного преимущества – возможности получения карт распределения контролируемого параметра.
    (check this in PDF content)

  4. Start
    10599
    Prefix
    с режимом сканирования либо же существенно увеличивают время единичного измерения, что лишает метод зонда Кельвина важного преимущества – возможности получения карт распределения контролируемого параметра. Проблема удаления сформированного дополнительными воздействиями заряда на поверхности полупроводниковой структуры к настоящему времени также удовлетворительно не решена
    Exact
    [7]
    Suffix
    . Вследствие этого в научной литературе отсутствуют данные о практическом применении методов зондовой электрометрии и, в частности метода сканирующего зонда Кельвина, в межоперационном контроле полупроводниковых структур в рамках реального производства.
    (check this in PDF content)

  5. Start
    11812
    Prefix
    В качестве объекта исследования использовались кремниевые пластины в процессе формирования двуокиси кремния, полученной пирогенным окислением. Методика исследований В основу характеризации границы раздела кремний-двуокись кремния методами зондовой электрометрии положен метод сканирующего зонда Кельвина
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Принцип действия зонда заключается в регистрации контактной разности потенциалов (КРП) между поверхностью чувствительного элемента, играющего роль эталонной обкладки динамического измерительного конденсатора, и локальным участком поверхности исследуемого образца.
    (check this in PDF content)

  6. Start
    13616
    Prefix
    Регистрация пространственного распределения поверхностного потенциала осуществлялась с помощью измерительной установки бесконтактной характеризации полупроводниковых структур СКАН-2013. РВЭ является комплексной характеристикой поверхности, зависящей от ее химического состава, кристаллической структуры, наличия и знака механических напряжений и др.
    Exact
    [8–11]
    Suffix
    . Вследствие этого анализ пространственного распределения КРП может применяться для выявления дефектов полупроводниковой структуры, таких как дислокации, поверхностные загрязнения, неравномерность толщины либо несплошность окисла и др. [8].
    (check this in PDF content)

  7. Start
    13863
    Prefix
    Вследствие этого анализ пространственного распределения КРП может применяться для выявления дефектов полупроводниковой структуры, таких как дислокации, поверхностные загрязнения, неравномерность толщины либо несплошность окисла и др.
    Exact
    [8]
    Suffix
    . При наличии на поверхности пластины диэлектрического слоя двуокиси кремния, как это имеет место в настоящем исследовании, значение КРП в значительной степени определяется встроенным зарядом в диэлектрике и на границе раздела кремний-двуокись кремния.
    (check this in PDF content)

  8. Start
    14236
    Prefix
    При наличии на поверхности пластины диэлектрического слоя двуокиси кремния, как это имеет место в настоящем исследовании, значение КРП в значительной степени определяется встроенным зарядом в диэлектрике и на границе раздела кремний-двуокись кремния. Плотность заряда может использоваться как характеристика дефектности границы раздела кремний-двуокись кремния
    Exact
    [12]
    Suffix
    . Теория взаимодействия электрического заряда в зазоре динамического конденсатора с его обкладками подробно рассмотрена в работе [13]. Заряд с ненулевой плотностью Q наводит на обкладках заряды с плотностями q1 и q2 (рисунок 1).
    (check this in PDF content)

  9. Start
    28108
    Prefix
    Уменьшению плотностей фиксированного заряда и быстрых поверхностных состояний при быстрой термической обработке может способствовать фотоионизация и ускорение процессов диффузии под воздействием светового потока, приводящие к уменьшению концентрации межузельных атомов кремния вблизи межфазной границы раздела
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Кроме того, такая обработка интенсифицирует процессы замены гидроксильных ионов мостиковыми ионами кислорода с высвобождением некоторого количества водорода. Снижение фиксированного заряда и плотности быстрых поверхностных гистрируемых значений КРП поверхности кор351 состояний при отжиге в неактивной среде также может быть обусловлено вышеуказанными причинами в условиях отсутс
    (check this in PDF content)