The 9 reference contexts in paper A. Ivashko M., V. Kisel E., N. Kuleshov V., А. Ивашко М., В. Кисель Э., Н. Кулешов В. (2017) “МАСШТАБИРОВАНИЕ ВЫХОДНОЙ МОЩНОСТИ НЕПРЕРЫВНОГО YB:YAG МИКРОЧИП-ЛАЗЕРА ДЛЯ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ // POWER SCALING IN CONTINUOUS-WAVE YB:YAG MICROCHIP LASER FOR MEASURING APPLICATIONS” / spz:neicon:pimi:y:2017:i:3:p:222-227

  1. Start
    7193
    Prefix
    В измерительных приборах, где необходимо сосредоточить энергию излучения в небольшом телесном угле и узком спектральном интервале, преимущество использования лазеров в качестве источника излучения очевидно: повышается чувствительность прибора, упрощается оптическая система приборов, значительно упрощается интерпретация полученной информации
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Поэтому уделяется большое внимание разработке лазеров для измерительных приборов и усовершенствованию их характеристик, в частности снижению массогабаритных характеристик и энергопотребления.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    7474
    Prefix
    Поэтому уделяется большое внимание разработке лазеров для измерительных приборов и усовершенствованию их характеристик, в частности снижению массогабаритных характеристик и энергопотребления. Твердотельные лазеры достаточно часто применяются в измерительной технике
    Exact
    [2−6]
    Suffix
    , например в лазерно-индуцированной плазменной спектроскопии (LIРS), мониторинге окружающей среды, дальнометрии, определении оптических характеристик материалов и др. Одним из перспективных направлений по уменьшению массогабаритных характеристик и энергопотребления для твердотельных лазеров является использование диодной накачки в сочетании с микрочип конфигурацией резонатора [7]
    (check this in PDF content)

  3. Start
    7877
    Prefix
    Одним из перспективных направлений по уменьшению массогабаритных характеристик и энергопотребления для твердотельных лазеров является использование диодной накачки в сочетании с микрочип конфигурацией резонатора
    Exact
    [7]
    Suffix
    . На пространственный профиль генерируемого излучения для большинства микрочип-лазеров значительное влияние оказывают тепловые эффекты [8]. Поэтому масштабирование выходной мощности в широких пределах при необходимости получения близкой к дифракционной расходимости и Гауссового пространственного профиля лазерного пучка, что соответствует генерации на основной TEM00 моде, для
    (check this in PDF content)

  4. Start
    8025
    Prefix
    Одним из перспективных направлений по уменьшению массогабаритных характеристик и энергопотребления для твердотельных лазеров является использование диодной накачки в сочетании с микрочип конфигурацией резонатора [7]. На пространственный профиль генерируемого излучения для большинства микрочип-лазеров значительное влияние оказывают тепловые эффекты
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Поэтому масштабирование выходной мощности в широких пределах при необходимости получения близкой к дифракционной расходимости и Гауссового пространственного профиля лазерного пучка, что соответствует генерации на основной TEM00 моде, для данного класса лазеров является затруднительным.
    (check this in PDF content)

  5. Start
    8563
    Prefix
    При увеличении мощности накачки для повышения выходной мощности из-за тепловых эффектов диаметр фундаментальной моды становится значительно меньше, чем диаметр пучка накачки, и происходит переход в многомодовый режим генерации
    Exact
    [7]
    Suffix
    с соответствующим снижением пространственного качества излучения. В нашей предыдущей работе [9] для реализации измерительного прибора для определения положения фокальной плоскости фокусирующих компонентов описан компактный микрочиплазер с диодной накачкой на основе кристалла Yb:YAG, построенный по принципу мультипликации прокачиваемых зон [10] и генерирующий два осесимметричных лаз
    (check this in PDF content)

  6. Start
    8660
    Prefix
    При увеличении мощности накачки для повышения выходной мощности из-за тепловых эффектов диаметр фундаментальной моды становится значительно меньше, чем диаметр пучка накачки, и происходит переход в многомодовый режим генерации [7] с соответствующим снижением пространственного качества излучения. В нашей предыдущей работе
    Exact
    [9]
    Suffix
    для реализации измерительного прибора для определения положения фокальной плоскости фокусирующих компонентов описан компактный микрочиплазер с диодной накачкой на основе кристалла Yb:YAG, построенный по принципу мультипликации прокачиваемых зон [10] и генерирующий два осесимметричных лазерных пучка с максимальной выходной мощностью 1,5 Вт на каждый пучок при сохранении Гауссов
    (check this in PDF content)

  7. Start
    8923
    Prefix
    В нашей предыдущей работе [9] для реализации измерительного прибора для определения положения фокальной плоскости фокусирующих компонентов описан компактный микрочиплазер с диодной накачкой на основе кристалла Yb:YAG, построенный по принципу мультипликации прокачиваемых зон
    Exact
    [10]
    Suffix
    и генерирующий два осесимметричных лазерных пучка с максимальной выходной мощностью 1,5 Вт на каждый пучок при сохранении Гауссового пространственного профиля. Целью данной работы было расширение возможности применения разработанного лазера в измерительной технике и в других прикладных сферах за счет увеличения его выходной мощности при сохранении качества генерируемого лазерного
    (check this in PDF content)

  8. Start
    9528
    Prefix
    применения разработанного лазера в измерительной технике и в других прикладных сферах за счет увеличения его выходной мощности при сохранении качества генерируемого лазерного пучка, близкого к дифракционному. Основная часть Принцип построения микрочип-лазера и его элементная база при исследованиях, результаты которых приведены в данной работе, аналогичны излучателю из работы
    Exact
    [9]
    Suffix
    : излучение от нескольких лазерных диодов накачки с волоконным выводом фокусировалось с помощью оптической системы в отдельные, пространственно независимые друг от друга области активного элемента Yb:YAG, на торцах которого нанесены зеркала резонатора, являющиеся общими для всех прокачиваемых зон, в результате чего реализуется генерация нескольких лазерных пучков, количеств
    (check this in PDF content)

  9. Start
    10799
    Prefix
    При увеличении количества лазерных диодов накачки, а соответственно, и количества прокачиваемых областей при их одновременном включении было обнаружено влияние прокачиваемых зон друг на друга и на характеристики генерируемого излучения. В описанном ранее в работе
    Exact
    [9]
    Suffix
    излучателе, в котором использовалось два лазерных диода накачки, данный эффект не был зафиксирован, т.к. излучатель предполагал поочередное задействование прокачиваемых областей и использование генерируемых лазерных пучков по отдельности.
    (check this in PDF content)