The 10 reference contexts in paper O. Reutskaya G., Y. Pleskachevsky M., О. Реутская Г., Ю. Плескачевский М. (2017) “ИЗМЕРЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ГАЗОВ CO И NO2 МУЛЬТИСЕНСОРНОЙ МИКРОСИСТЕМОЙ В РЕЖИМЕ ИМПУЛЬСНОГО НАГРЕВА // MEASUREMENT OF CO AND NO2 GAS CONCENTRATION'S BY MULTISENSOR MICROSYSTEM IN THE MODE OF PULSE HEATING” / spz:neicon:pimi:y:2017:i:2:p:160-167

  1. Start
    6923
    Prefix
    В основной номенклатуре полупроводниковых сенсоров выделяют сенсоры, которые работают в режимах постоянного и импульсного нагревов чувствительного элемента. Потребляемая мощность в режиме постоянного нагрева составляет от 250 до 600 Вт в среднем, а в режиме импульсного нагрева – не более 20 Вт
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Принцип действия полупроводниковых сенсоров резистивного типа основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов [2]. В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pt, Pd [3–5].
    (check this in PDF content)

  2. Start
    7109
    Prefix
    Потребляемая мощность в режиме постоянного нагрева составляет от 250 до 600 Вт в среднем, а в режиме импульсного нагрева – не более 20 Вт [1]. Принцип действия полупроводниковых сенсоров резистивного типа основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов
    Exact
    [2]
    Suffix
    . В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pt, Pd [3–5].
    (check this in PDF content)

  3. Start
    7302
    Prefix
    Принцип действия полупроводниковых сенсоров резистивного типа основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов [2]. В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pt, Pd
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    . Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность высокая и составляет около 30 м2/г. Нагревателем служит резистивный слой, выполненный из инертных материалов (Pt, RuO2, Au и др.) и электрически изолированный от полупроводникового слоя [4, 5].
    (check this in PDF content)

  4. Start
    7651
    Prefix
    Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность высокая и составляет около 30 м2/г. Нагревателем служит резистивный слой, выполненный из инертных материалов (Pt, RuO2, Au и др.) и электрически изолированный от полупроводникового слоя
    Exact
    [4, 5]
    Suffix
    . Для того чтобы физико-химические процессы протекали на поверхности чувствительного слоя достаточно быстро, обеспечивая быстродействие на уровне нескольких секунд, сенсор периодически разогревается до температуры 450–500 °С [1, 4].
    (check this in PDF content)

  5. Start
    7884
    Prefix
    Для того чтобы физико-химические процессы протекали на поверхности чувствительного слоя достаточно быстро, обеспечивая быстродействие на уровне нескольких секунд, сенсор периодически разогревается до температуры 450–500 °С
    Exact
    [1, 4]
    Suffix
    . В результате этого чувствительность сенсора восстанавливается до исходного состояния. Во время отжига происходит активное освобождение поверхностных слоев полупроводника от сорбированных «отравляющих» газовых компонент [6, 7].
    (check this in PDF content)

  6. Start
    8118
    Prefix
    В результате этого чувствительность сенсора восстанавливается до исходного состояния. Во время отжига происходит активное освобождение поверхностных слоев полупроводника от сорбированных «отравляющих» газовых компонент
    Exact
    [6, 7]
    Suffix
    . Анализ развития рынка газовых сенсоров показал, что перспективными для массового применения в газоаналитической аппаратуре являются полупроводниковые газовые сенсоры, отличающиеся высокой надежностью, простотой в эксплуатации и относительно низкой стоимостью.
    (check this in PDF content)

  7. Start
    8805
    Prefix
    важных задач в повышении потребительских характеристик полупроводниковых газовых сенсоров – снижение их энергопотребления, что связано в первую очередь с условиями работы газоаналитических приборов нового поколения в автономном режиме, т.е. при электропитании от портативных аккумуляторов. Потребляемая мощность этих приборов должна составлять несколько десятков милливатт
    Exact
    [8, 9]
    Suffix
    . Целью данной работы являлось исследование эффективности режима импульсного нагрева для мультисенсорной микросистемы по сравнению с режимом постоянного нагрева с точки зрения повышенной чувствительности к низким концентрациям опасных газов СО и NO2 и обеспечение его заданной работоспособности, не превышая при этом значений мощности одиночных сенсорных аналогов.
    (check this in PDF content)

  8. Start
    10565
    Prefix
    Применение в топологии микросистемы сквозных отверстий и самой пористой подложки позволяет снизить потребляемую мощность за счет уменьшения объема контактирующего с нагревателем материала подложки и снижения коэффициента теплопроводности алюмооксидной подложки
    Exact
    [9]
    Suffix
    . Время предварительного отжига микросистем для формирования чувствительных слоев при мощности 60 мВт на каждом из сенсоров составило 360 ч. Зависимость сопротивления от приложенной мощности на каждом из сенсоров микросистемы после предварительного отжига представлена на рисунке 2.
    (check this in PDF content)

  9. Start
    12655
    Prefix
    Чувствительность S, % определяли по формуле: S = (Ro – Rg)/Ro×100 % (1) при воздействии газовоздушной смеси, содержащей CO, и по формуле: S = (Rg – Ro)/ Ro ×100 % (2) при воздействии газовоздушной смеси содержащей NO2. В обеих формулах Ro и Rg – электрическое сопротивление газочувствительного слоя на воздухе и при воздействии газовоздушной смеси соответственно
    Exact
    [10, 11]
    Suffix
    . Рисунок 1 – Схема мультисенсорной микросистемы в корпусе: 1 – корпус; 2 – кристалл микросистемы; 3 – чувствительный слой SnO2+Pt+Pd; 4 – чувствительный слой In2O3+Al2O3+Pt Figure 1 – Multisensor microsystem in the housing: 1 – housing; 2 – substrate of multisensor microsystem; 3 – sensitive layer SnO2+Pt+Pd; 4 – sensitive layer In2O3+Al2O3+Pt Приборы и методы измерений 2017.
    (check this in PDF content)

  10. Start
    13289
    Prefix
    +Pt+Pd; 4 – чувствительный слой In2O3+Al2O3+Pt Figure 1 – Multisensor microsystem in the housing: 1 – housing; 2 – substrate of multisensor microsystem; 3 – sensitive layer SnO2+Pt+Pd; 4 – sensitive layer In2O3+Al2O3+Pt Приборы и методы измерений 2017. – Т. 8, No 2. – С. 160–167 Реутская О.Г., Плескачевский Ю.М. Измерения проводились на специализированном стенде, который описан в работе
    Exact
    [11]
    Suffix
    . Было установлено, что при малых мощностях после воздействия детектируемого газа сопротивление сенсора не достигает значения Ro, и наблюдается постепенное уменьшение сигнала. Серия измерений для определения сенсорного отклика при постоянном нагреве для выше описанных режимов была проведена и для NO2 с концентрацией 4 ppm.
    (check this in PDF content)