The 17 reference contexts in paper O. Reutskaya G., I. Taratyn A., Y. Pleskachevsky M., О. Реутская Г., И. Таратын А., Ю. Плескачевский М. (2016) “МУЛЬТИСЕНСОРНАЯ МИКРОСИСТЕМА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ГАЗОВ СО, H2 , C3H8 , CO2 // MULTISENSOR MICROSYSTEM FOR MEASURING THE CONCENTRATION OF GASES CO, H2 , C3 H8 , CO2” / spz:neicon:pimi:y:2016:i:3:p:271-278

  1. Start
    7464
    Prefix
    Потребляемая мощность в режиме постоянного нагрева составляет от 280 до 650 мВт в среднем, а в режиме импульсного нагрева – ≤ 55 мВт. Данные значения приведены для одиночных сенсоров
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Принцип действия полупроводниковых сенсоров основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов [2]. В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pl, Pd и др. [3–5].
    (check this in PDF content)

  2. Start
    7634
    Prefix
    Данные значения приведены для одиночных сенсоров [1]. Принцип действия полупроводниковых сенсоров основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов
    Exact
    [2]
    Suffix
    . В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pl, Pd и др. [3–5]. Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность составляет около 30 м2/г.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    7822
    Prefix
    Принцип действия полупроводниковых сенсоров основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов [2]. В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pl, Pd и др.
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    . Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность составляет около 30 м2/г. Нагревателем служит резистивный слой, выполненный из инертных материалов (Pl, RuO2, Au и др.) и электрически изолированный от полупроводникового слоя [4, 5].
    (check this in PDF content)

  4. Start
    8152
    Prefix
    Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность составляет около 30 м2/г. Нагревателем служит резистивный слой, выполненный из инертных материалов (Pl, RuO2, Au и др.) и электрически изолированный от полупроводникового слоя
    Exact
    [4, 5]
    Suffix
    . Для обеспечения быстродействия протекающих на поверхности чувствительного слоя физико-химических процессов на уровне нескольких секунд сенсор периодически разогревается до температуры 450–500 °С [1, 4].
    (check this in PDF content)

  5. Start
    8357
    Prefix
    Для обеспечения быстродействия протекающих на поверхности чувствительного слоя физико-химических процессов на уровне нескольких секунд сенсор периодически разогревается до температуры 450–500 °С
    Exact
    [1, 4]
    Suffix
    . В результате этого сопротивление сенсора восстанавливается до начального значения. При отжиге происходит активное освобождение поверхностных слоев полупроводника от сорбированных «отравляющих» газовых компонент [6, 7].
    (check this in PDF content)

  6. Start
    8593
    Prefix
    В результате этого сопротивление сенсора восстанавливается до начального значения. При отжиге происходит активное освобождение поверхностных слоев полупроводника от сорбированных «отравляющих» газовых компонент
    Exact
    [6, 7]
    Suffix
    . Время измерения концентрации газов одиночным сенсором составляет приблизительно 5 мин в режиме постоянного нагрева и 2 мин – в режиме импульсного нагрева [1, 5]. Контроль химического состава воздуха, резко изменяющегося из-за термического разложения перегретых или начинающих тлеть горючих материалов, позволяет обнаружить очаг пожара еще до появления пламени [8].
    (check this in PDF content)

  7. Start
    8764
    Prefix
    При отжиге происходит активное освобождение поверхностных слоев полупроводника от сорбированных «отравляющих» газовых компонент [6, 7]. Время измерения концентрации газов одиночным сенсором составляет приблизительно 5 мин в режиме постоянного нагрева и 2 мин – в режиме импульсного нагрева
    Exact
    [1, 5]
    Suffix
    . Контроль химического состава воздуха, резко изменяющегося из-за термического разложения перегретых или начинающих тлеть горючих материалов, позволяет обнаружить очаг пожара еще до появления пламени [8].
    (check this in PDF content)

  8. Start
    8987
    Prefix
    Контроль химического состава воздуха, резко изменяющегося из-за термического разложения перегретых или начинающих тлеть горючих материалов, позволяет обнаружить очаг пожара еще до появления пламени
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Диапазон концентраций газов, которые выделяются до момента появления пламени, составляет для CO – 0,02 – 0,08 %, для H2 – 0,001–0,01 %, для C3H8 – 1–1,5 %, для СО2 – 0,01–0,02 % [8, 9].
    (check this in PDF content)

  9. Start
    9181
    Prefix
    состава воздуха, резко изменяющегося из-за термического разложения перегретых или начинающих тлеть горючих материалов, позволяет обнаружить очаг пожара еще до появления пламени [8]. Диапазон концентраций газов, которые выделяются до момента появления пламени, составляет для CO – 0,02 – 0,08 %, для H2 – 0,001–0,01 %, для C3H8 – 1–1,5 %, для СО2 – 0,01–0,02 %
    Exact
    [8, 9]
    Suffix
    . Изготовление модуля химических сенсоров на одном кристалле представляется одним из перспективных направлений в развитии газовой сенсорики [10]. Использование в качестве чувствительного элемента мультисенсорной микросистемы дает возможность, сохраняя характеристики одиночного сенсора и его габаритные размеры, уменьшить потребляемую мощность и сократить время цикла измерения при во
    (check this in PDF content)

  10. Start
    9335
    Prefix
    Диапазон концентраций газов, которые выделяются до момента появления пламени, составляет для CO – 0,02 – 0,08 %, для H2 – 0,001–0,01 %, для C3H8 – 1–1,5 %, для СО2 – 0,01–0,02 % [8, 9]. Изготовление модуля химических сенсоров на одном кристалле представляется одним из перспективных направлений в развитии газовой сенсорики
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Использование в качестве чувствительного элемента мультисенсорной микросистемы дает возможность, сохраняя характеристики одиночного сенсора и его габаритные размеры, уменьшить потребляемую мощность и сократить время цикла измерения при воздействии концентрации газов CO, H2, CO2, C3H8.
    (check this in PDF content)

  11. Start
    9784
    Prefix
    элемента мультисенсорной микросистемы дает возможность, сохраняя характеристики одиночного сенсора и его габаритные размеры, уменьшить потребляемую мощность и сократить время цикла измерения при воздействии концентрации газов CO, H2, CO2, C3H8. На современном этапе развитие газовых полупроводниковых сенсоров существует несколько технологий создания мультисенсорных систем. Одна из них
    Exact
    [10]
    Suffix
    использует матрицу из 38 сенсоров, которые располагаются на поверхности чувствительной полупроводниковой пленки (разработка научно-исследовательского института г. Карлсруэ). Существенным недостатком такой системы является высокое энергопотребление.
    (check this in PDF content)

  12. Start
    10068
    Prefix
    Одна из них [10] использует матрицу из 38 сенсоров, которые располагаются на поверхности чувствительной полупроводниковой пленки (разработка научно-исследовательского института г. Карлсруэ). Существенным недостатком такой системы является высокое энергопотребление. Еще одна технология
    Exact
    [11]
    Suffix
    обеспечивает формирование на диэлектрической мембране методами объемного травления кремниевой подложки четырех химических сенсоров. Недостатками данной мультисенсорной системы являются сложность в изготовлении, нестабильное воспроизведение параметров поликремниевого нагревателя и низкий уровень рабочих температур сенсоров [11, 12].
    (check this in PDF content)

  13. Start
    10406
    Prefix
    Недостатками данной мультисенсорной системы являются сложность в изготовлении, нестабильное воспроизведение параметров поликремниевого нагревателя и низкий уровень рабочих температур сенсоров
    Exact
    [11, 12]
    Suffix
    . Целью данной работы являлась разработка мультисенсорной микросистемы для уменьшения времени измерения концентрации газов CO, H2, C3H8, CO2, а также снижение потребляемой мощности микросистемы в целом.
    (check this in PDF content)

  14. Start
    12813
    Prefix
    Использование в топологии микросистемы на основе наноструктурированного оксида алюминия сквозных отверстий, как и использование самой нанопористой диэлектрической подложки, привело к снижению потребляемой мощности газовой микросистемы за счет уменьшения объема, контактирующего с нагревателем материала подложки, и уменьшения коэффициента теплопроводности подложки
    Exact
    [13]
    Suffix
    . Измерения чувствительности микросистемы к концентрации газов CO, H2, CO2, C3H8 Время наработки микросистемы перед началом измерений при мощности потребления 60 мВт на каждом из сенсоров в режиме постоянного нагрева, составило 240 ч.
    (check this in PDF content)

  15. Start
    13846
    Prefix
    при постоянной подаче питания в течение 5 ч (режим постоянного нагрева) Figure 2 – The dependence of the resistance of a single sensor on the nanoporous aluminum oxide wafer at constant power up for 5 h (mode continuous heating) Для уменьшения величины дрейфа сопротивления сенсора был использован импульсный нагрев. Сенсор периодически разогревали до температуры 450–500 °С
    Exact
    [12]
    Suffix
    . На рисунке 3 приведены результаты измерения одиночных сенсоров на подложке из наноструктурированного оксида алюминия с разными чувствительными слоями: SnO2+Pt+Pd – для первого сенсора, In2O3+Al2O3+Pt – для второго.
    (check this in PDF content)

  16. Start
    18399
    Prefix
    Сравнение значений сопротивлений сенсоров микросистемы, расчет и вывод на экран значения чувствительности происходило со второго цикла измерений. Если чувствительность превышает 15 %, то можно говорить о наличие детектируемого газа в окружающей среде
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Значение выходного параметра (чувствительность S) при воздействии газа рассчитывалось по формуле [5]: , (1) где R0 – сопротивление сенсора микросистемы без воздействия газа; R80 – сопротивление сенсора микросистемы при воздействии газа, через 80 с.
    (check this in PDF content)

  17. Start
    18509
    Prefix
    Если чувствительность превышает 15 %, то можно говорить о наличие детектируемого газа в окружающей среде [5]. Значение выходного параметра (чувствительность S) при воздействии газа рассчитывалось по формуле
    Exact
    [5]
    Suffix
    : , (1) где R0 – сопротивление сенсора микросистемы без воздействия газа; R80 – сопротивление сенсора микросистемы при воздействии газа, через 80 с.
    (check this in PDF content)