The 10 reference contexts in paper K. Orehov A., К. Орехов А. (2016) “МОДЕЛИРОВАНИЕ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ ND:YAG С ПАССИВНЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ РАССТОЯНИЙ // SIMULATION OF LASER TRANSMITTER BASED ON ND: YAG WITH PASSIVE COOLING FOR RANGEFINDING” / spz:neicon:pimi:y:2016:i:1:p:50-57

  1. Start
    3943
    Prefix
    Основным компонентом таких систем является источник зондирующего импульса, который во многом определяет как точность измерения, так и возможность использования системы в определенных внешних условиях. В качестве подобного излучателя в работе
    Exact
    [1]
    Suffix
    был выбран Nd:YAG лазер с диодной накачкой и энергией импульса 40 мДж. Частота следования импульсов cоставляла 10 Гц. Выходной лазерный импульс имел длительность 7,5 нс. Накачка производилась матрицей GaAlAs лазерных диодов с длиной волны излучения 808 нм.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    4491
    Prefix
    Ожидаемая наработка – 600 млн лазерных импульсов. Расходимость на выходе из лазера контролировалась телескопом, с помощью которого достигалась расходимость 0,3 мрад в сечении пучка, содержащем 90 % энергии импульса. В работе
    Exact
    [2]
    Suffix
    в качестве источника зондирующего излучения используется Nd:YAG лазер с выходной энергией импульса 5 мДж и длительностью 15 нс. Накачка производится матрицей из 20 GaAlAs лазерных диодов с длиной волны излучения 808 нм.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    4939
    Prefix
    Резонатор был образован двумя оборачивающими призмами БР-180 с поляризационным выводом излучения. Расходимость в 0,3 мрад достигалась с помощью телескопа, построенного по схеме Галилея с кратностью 9,3х. В работе
    Exact
    [3]
    Suffix
    в качестве излучателя использовался лазер на кристалле Nd:YAG с модуляцией добротности и диодной накачкой с длительностью импульса 10 нс и энергией 15 мДж при частоте их следования 242 Гц.
    (check this in PDF content)

  4. Start
    7470
    Prefix
    : 1 – «глухое» зеркало; 2 – четвертьволновая пластинка; 3 – электрооптический затвор; 4 – рассеивающая линза; 5 – линейки диодных лазеров; 6 – активный элемент; 7 – выходное зеркало Figure 1 – Cavity scheme: 1 – rear mirror; 2 – quarter-wave plate; 3 – electrooptical q-switch; 4 – plano-concave lens; 5 – lines of laser diodes; 6 – laser rod; 7 – output coupler Модель описывается матрицей
    Exact
    [4]
    Suffix
    : где M L fs =i      1 01 – матрицы свободного пространства между оптическими элементами (толщина четвертьволновой пластинки учитывается в Mfs1); – матрица электрооптического затвора; – матрица линзы;
    (check this in PDF content)

  5. Start
    10072
    Prefix
    Следующим шагом стала необходимость обеспечения нужного уровня накачки активного элемента с минимальными потерями на транспортировку и равномерности ее распределения в сечении активного элемента. Ввиду ограниченности габаритов был проведен анализ возможности использования односторонней, двусторонней и трехсторонней схем накачки с использованием отражателей и без них
    Exact
    [5, 6]
    Suffix
    . Соответствующие схемы, а также графики распределения плотноM f L=−           10 1 1 Рисунок 2 –Модель для расчета параметров пучка: M1 – «глухое» зеркало; Q-switch – электрооптический затвор; F1 – вогнутая линза; LM – активный элемент; M2 – выходное зеркало; L1, L2, L3, L4 – расстояние между компонентами; Mfs1, MQ, Mfs2, ML, Mfs3, MLM, Mfs4 – матрицы, описывающие соответствующие комп
    (check this in PDF content)

  6. Start
    12319
    Prefix
    Наиболее оптимальной с точки зрения равномерности распределения энергии и эффективности накачки оказалась схема трехсторонней накачки с системой концентраторов, имеющих золотое покрытие. Структура из трех концентраторов объединена цилиндрическими отражающими поверхностями, направляющими рассеянное поверхностью активного элемента излучение в его центральную часть
    Exact
    [7]
    Suffix
    . При растворе угла отражателя 15º (угол между отражающими поверхностями) нормированный коэффициент потерь при транспортировке в зависимости от угла выхода излучения диода имеет вид, представленный на рисунке 5.
    (check this in PDF content)

  7. Start
    13228
    Prefix
    laser diodes array Использование других типов покрытий (не золото) вызывает уменьшение КПД при транспортировке излучения накачки к активному элементу: у алюминия в спектре отражения на длине волны накачки наблюдается провал, медь и серебро окисляются, что требует нанесения дополнительного защитного покрытия. Коэффициент отражения защитных покрытий составляет 76–77 %
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Использование диэлектрических покрытий на металле в вакууме требует дополнительных исследований ввиду возможного отслоения в процессе длительной эксплуатации. С учетом потерь энергии накачки при транспортировке (15 %), частичного отражения от боковой поверхности активного элемента, поглощения в активном элементе на длине волны накачки 1-e-αd, квантового деффекта – λp/λ и квантовой эффективност
    (check this in PDF content)

  8. Start
    13790
    Prefix
    С учетом потерь энергии накачки при транспортировке (15 %), частичного отражения от боковой поверхности активного элемента, поглощения в активном элементе на длине волны накачки 1-e-αd, квантового деффекта – λp/λ и квантовой эффективности – 0,9
    Exact
    [9]
    Suffix
    дифференциальный КПД накачки составляет ηp = 54 % Расчет энергетических характеристик для режима модуляции добротности произведен на основании скоростных уравнений [10]: где ΔN – инверсия населенности верхнего лазерного уровня; скорость накачки определяется как: Pabs = Ppηp – мощность, поглощенная активным элементом; Pp – мощность накачки, ηp – КПД накачки; Va – объем активного элеме
    (check this in PDF content)

  9. Start
    13965
    Prefix
    при транспортировке (15 %), частичного отражения от боковой поверхности активного элемента, поглощения в активном элементе на длине волны накачки 1-e-αd, квантового деффекта – λp/λ и квантовой эффективности – 0,9 [9] дифференциальный КПД накачки составляет ηp = 54 % Расчет энергетических характеристик для режима модуляции добротности произведен на основании скоростных уравнений
    Exact
    [10]
    Suffix
    : где ΔN – инверсия населенности верхнего лазерного уровня; скорость накачки определяется как: Pabs = Ppηp – мощность, поглощенная активным элементом; Pp – мощность накачки, ηp – КПД накачки; Va – объем активного элемента; Ve – объем моды в активном элементе; νр – разница частот верхнего лазерного и основного уровней; N – концентрация ионов Nd3+; В – скорость вынужденного излучения на один ф
    (check this in PDF content)

  10. Start
    15563
    Prefix
    Данная проблема была решена введением теплопроводящего клея между боковой поверхностью активного элемента в его центральной части и корпусом квантрона. Моделирование теплопереноса в системе ANSYS
    Exact
    [11]
    Suffix
    показало, что при введении теплопроводящего клея нагрев активного элемента за полный рабочий цикл не превышает 15 ºС, что решает задачу терморегулирования системы. Заключение Разработана модель высокомощного и эффективного лазерного излучателя с боковой диодной накачкой, характеризующегося расходимостью излучения на уровне дифракционной, и перестраиваемым телескопическим резонаторо
    (check this in PDF content)