The 9 reference contexts in paper V. Niss S., A. Vaskou S., A. Turtsevich S., A. Kerentsev F., V. Kononenko K., В. Нисс С., О. Васьков С., А. Турцевич С., А. Керенцев Ф., В. Кононенко К. (2015) “ОЦЕНКА ТЕПЛОВЫХ ПАРАМЕТРОВ МОЩНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МЕТОДОМ ТЕПЛОВОЙ РЕЛАКСАЦИОННОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ СПЕКТРОМЕТРИИ // ESTIMATION OF THERMAL PARAMETERS OF POWER BIPOLAR TRANSISTORS BY THE METHOD OF THERMAL RELAXATION DIFFERENTIAL SPECTROMETRY” / spz:neicon:pimi:y:2015:i:2:p:249-256

  1. Start
    5344
    Prefix
    Оборудование T3Ster внедрено на большинстве крупнейших предприятий производителей изделий полупроводниковой электроники и используется, в частности, для оценки тепловых параметров мощных светодиодов, силовых МОП-транзисторов
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Метод, разработанный MicReD, основывается на рассчитываемых из временной релаксации динамического теплового импеданса измеряемых образцов так называемых кумулятивной и дифференциальной структурных функций.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    6014
    Prefix
    Данный метод основан на сложных многоступенчатых преобразованиях, что приводит к накоплению систематических ошибок и, как следствие, потере точности. Основные недостатки данного метода отмечались, к примеру, в работах фирмы IBM
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Другой недостаток оборудования T3Ster – высокая стоимость, составляющая порядка 150 000 $ USA за один комплект. Цель работы − оценка тепловых параметров мощных биполярных транзисторов в пластмассовых корпусах TO-252 и TO-126 методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии (ТРДС).
    (check this in PDF content)

  3. Start
    6937
    Prefix
    Тепловые постоянные элементов приборов и распределение структуры теплового сопротивления определены в виде дискретного и непрерывного спектров с использованием релаксационного импеданс-спектрометра
    Exact
    [3]
    Suffix
    . Детальные исследования тепловых характеристик полупроводниковых приборов прове дены методом ТРДС, хорошо зарекомендовав шим себя при анализе тепловых параметров внутренних элементов гетеролазеров, светоди одов и транзисторов [4–7].
    (check this in PDF content)

  4. Start
    7176
    Prefix
    Детальные исследования тепловых характеристик полупроводниковых приборов прове дены методом ТРДС, хорошо зарекомендовав шим себя при анализе тепловых параметров внутренних элементов гетеролазеров, светоди одов и транзисторов
    Exact
    [4–7]
    Suffix
    . Релаксация прямого напряжения на диоде измеряется при подаче на исследуемый образец ступенчатого импульса тока длительностью в интервале от 10 мкс до 100 с. С учетом предварительно полученного температурного коэффициента напряжения (K-фактора) находится температура перегрева ак тивной области прибора.
    (check this in PDF content)

  5. Start
    8023
    Prefix
    Из временной зависимости температуры перехода при нагреве прямым током находятся дискретный и дифференциальный спектры теп лового сопротивления Rth прибора, значения тепловой емкости Cth и постоянной времени тепловой релаксации τ. Для уточнения вели чины полного теплового сопротивления Rjc ис пользован также метод структурных функций согласно стандарту JESD51-14
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Из анализа временной зависимости температуры активной области транзистора нахо дится внутреннее тепловое сопротивление при бора и его структура в виде дискретного и не прерывного (дифференциального) спектра (за висимости от времени тепловой релаксации). 250 Анализ растекания теплового потока в исследутемпературопроводности (тепловой эффузии).
    (check this in PDF content)

  6. Start
    8736
    Prefix
    виде дискретного и не прерывного (дифференциального) спектра (за висимости от времени тепловой релаксации). 250 Анализ растекания теплового потока в исследутемпературопроводности (тепловой эффузии). Из послойных значений компонентов теплового сопротивления Rth и тепловой емкости Cth определена активная площадь сечения теплового потока Sa транзисторных структур и профиль ее распределения
    Exact
    [6, 7]
    Suffix
    . Структура теплового сопротивления образцов представлялась в виде шестизвенной электротепловой RC-модели. Дифференциальный спектр определяется на основе производных высшего порядка динамического теплового импеданса и соответствует модели Фостера, а дискретный – модели Кауера.
    (check this in PDF content)

  7. Start
    9211
    Prefix
    Дифференциальный спектр определяется на основе производных высшего порядка динамического теплового импеданса и соответствует модели Фостера, а дискретный – модели Кауера. Два вида спектров (непрерывной и дискретный) теплового сопротивления используются для анализа и уточнения компонентов теплового сопротивления в рамках электротепловой модели Фостера
    Exact
    [9]
    Suffix
    и более точной и адекватной модели Кауэра [10]. Релаксационный метод основан на анализе переходных электрических процессов, связанных с разогревом полупроводникового прибора проходящим через него током.
    (check this in PDF content)

  8. Start
    9257
    Prefix
    Два вида спектров (непрерывной и дискретный) теплового сопротивления используются для анализа и уточнения компонентов теплового сопротивления в рамках электротепловой модели Фостера [9] и более точной и адекватной модели Кауэра
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Релаксационный метод основан на анализе переходных электрических процессов, связанных с разогревом полупроводникового прибора проходящим через него током. Временные зависимости изменения напряжения на p-n-переходе, которые дают возможность анализа путей прохождения теплового потока по элементам структуры, получаются при помощи импеданс-спектрометра, схема которого показана на рисунке 1.
    (check this in PDF content)

  9. Start
    11085
    Prefix
    and analysis of electro thermal processes in semiconductor devices 251 полярных транзисторов, полупроводниковых диоСпектры ТРДС и сравнение транзисторов КТ817Г (корпус ТО252), изготовленных с разным качеством монтажа кристаллов, представлены на рисунке 2. Корпус TO-252 ограничи вает рассеиваемую мощность Р < 3 Вт при до пустимой температуре перегрева кристаллов 150 °С
    Exact
    [11]
    Suffix
    . дов и структур на их основе. Основу импеданс-спектрометра составляет 16-разрядный АЦП. На полупроводниковый прибор подаются импульсы тока в виде ступенек. В каждый момент времени из изменения напряжения на p-n-переходе с использованием K-фактора рассчитывается температура перегрева активной области прибора.
    (check this in PDF content)