The 6 reference contexts in paper A. Ivashko M., V. Kisel E., A. Yasukevich S., N. Kuleshov V., А. Ивашко М., В. Кисель Э., А. Ясюкевич С., Н. Кулешов В. (2015) “НЕПРЕРЫВНЫЙ Yb:YAG ЛАЗЕР ДЛЯ ПОРТАТИВНЫХ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ // CW Yb:YAG LASER FOR PORTABLE MEASURING SYSTEMS” / spz:neicon:pimi:y:2014:i:2:p:17-23

  1. Start
    2275
    Prefix
    Получение лазерной генерации в данных средах происходит по четырехуровневой схеме, и, как следствие, они характеризуются низкими порогами генерации и достаточно высокой эффективностью
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    . Однако при использовании селективных источников накачки (лазерных диодов) данные материалы имеют существенный недостаток, ограничивающий возможность их применения, – это узкие полосы поглощения ионов Nd3+ [1, 2].
    (check this in PDF content)

  2. Start
    2491
    Prefix
    Однако при использовании селективных источников накачки (лазерных диодов) данные материалы имеют существенный недостаток, ограничивающий возможность их применения, – это узкие полосы поглощения ионов Nd3+
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    . Так, в кристалле Nd3+:Y3Al5O12 (YAG) полоса поглощения с максимумом в области 808 нм (переход 4I 9/2 → 4F 5/2+ 2H 9/2) имеет полуширину всего 2,5 нм [1]. Спектр излучения лазерных диодов достаточно узкий (полуширина 2–5 нм) и его положение имеет температурную зависимость с коэффициентом 0,25–0,35 нм/°С, что приводит к сильной деградации выходных характеристик лазера при изменени
    (check this in PDF content)

  3. Start
    2643
    Prefix
    Однако при использовании селективных источников накачки (лазерных диодов) данные материалы имеют существенный недостаток, ограничивающий возможность их применения, – это узкие полосы поглощения ионов Nd3+ [1, 2]. Так, в кристалле Nd3+:Y3Al5O12 (YAG) полоса поглощения с максимумом в области 808 нм (переход 4I 9/2 → 4F 5/2+ 2H 9/2) имеет полуширину всего 2,5 нм
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Спектр излучения лазерных диодов достаточно узкий (полуширина 2–5 нм) и его положение имеет температурную зависимость с коэффициентом 0,25–0,35 нм/°С, что приводит к сильной деградации выходных характеристик лазера при изменении температуры источника накачки на несколько градусов [3–7].
    (check this in PDF content)

  4. Start
    2927
    Prefix
    Спектр излучения лазерных диодов достаточно узкий (полуширина 2–5 нм) и его положение имеет температурную зависимость с коэффициентом 0,25–0,35 нм/°С, что приводит к сильной деградации выходных характеристик лазера при изменении температуры источника накачки на несколько градусов
    Exact
    [3–7]
    Suffix
    . Альтернативой Nd3+-содержащим средам для получения генерации в области около 1 мкм являются материалы, легированные ионами Yb3+. Ионы Yb3+ (электронная конфигурация 4f13) обладают одним возбужденным состоянием 2F5/2 с энергией порядка 104 см-1, что хорошо подходит для использования в качестве источников накачки коммерчески доступных лазерных диодов на основе InGaAs,
    (check this in PDF content)

  5. Start
    5028
    Prefix
    Активные среды на основе ионов Yb3+ обладают сравнительно небольшим квантовым дефектом, что позволяет создавать лазеры с высокой средней мощностью и высоким качеством светового пучка при достаточно высоких мощностях накачки
    Exact
    [8–10]
    Suffix
    . Лазерные материалы, легированные ионами Yb3+, являются квазитрехуровневыми активными средами. В таких лазерных материалах термическое заселение подуровней как верхнего, так и нижнего лазерных уровней (мультиплетов) приводит к тому, что с излучением накачки и генерации взаимодействуют оба лазерных уровня.
    (check this in PDF content)

  6. Start
    6739
    Prefix
    Vp – объем, который занимает излучение накачки в активном элементе; Vl – объем пучка генерируемого излучения в активном элементе; Pinc – мощность излучения накачки на входе в активный элемент; thincP – пороговая мощность излучения накачки на входе в активный элемент. Время жизни иона Yb3+ на верхнем лазерном уровне, сечения поглощения и стимулированного испускания взяты из работ
    Exact
    [11, 12]
    Suffix
    . Концентрация ионов Yb3+ в активной среде составляла 10 ат.%. Моделирование проводилось для постоянного значения падающей мощности накачки – 6 Вт. На рисунке 1 приведены результаты численного моделирования работы лазера для значений пропускания выходного зеркала на длине волны генерации 3 %, 5 %, 10 % и 15 %.
    (check this in PDF content)