The 2 reference contexts in paper S. Chizhik A., S. Basalaev P., V. Pilipenko A., A. Khudoley L., T. Kuznetsova A., V. Chikunov V., A. Suslov A., С. Чижик А., С. Басалаев П., В. Пилипенко А., А. Худолей Л., Т. Кузнецова А., В. Чикунов В., А. Суслов А. (2015) “КОМПЛЕКС ДЛЯ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ СУБМИКРОННОЙ ТОПОЛОГИИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ // EQUIPMENT FOR NONDESTRUCTIVE TESTING OF SILICON WAFERS SUBMICRON TOPOLOGY DURING THE FABRICATION OF INTEGRATED CIRCUITS” / spz:neicon:pimi:y:2013:i:1:p:14-18

  1. Start
    1667
    Prefix
    Введение Тенденции развития микроэлектронной промышленности связаны с переходом к субмикронным и нанометровым топологическим нормам. Поэтому все большее применение находят методы и системы контроля качества продукции, основанные на совмещении различных методов микроскопии
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    , что позволяет на практике сократить время и повысить точность измерения элементов структуры. Оптическая микроскопия широко применяется в микроэлектронике. Метод позволяет наблюдать как большие участки кремниевой платины, так и отдельные элементы интегральных микросхем (ИМС).
    (check this in PDF content)

  2. Start
    2135
    Prefix
    Метод позволяет наблюдать как большие участки кремниевой платины, так и отдельные элементы интегральных микросхем (ИМС). В то же время оптическая микроскопия в основном используется для характеризации двумерных (плоских) объектов, так как не дает данных о высоте элемента структуры. В работе
    Exact
    [4]
    Suffix
    показано, что посредством оптической микроскопии можно контролировать лишь грубые нарушения технологического процесса изготовления ИМС с субмикронными элементами, так как метод не позволяет эффективно выявлять двумерную топологию размерами менее 0,5 мкм.
    (check this in PDF content)