The 4 reference contexts in paper V. Minchenko A., G. Kovalchuk F., S. Shkolyk B., В. Минченко А., Г. Ковальчук Ф., С. Школык Б. (2015) “ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ И СТРУКТУРНЫЕ СХЕМЫ ЗОНДОВЫХ АВТОМАТИЧЕСКИХ СИСТЕМ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ИЗДЕЛИЙ МИКРОИ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ НА ПЛАСТИНЕ // DESIGN PRINCIPLES AND BLOCK SCHEMES OF THE PROBE AUTOMATIC INSPECTION SYSTEMS FOR MICROAND NANOELECTRONICS ON A WAFER” / spz:neicon:pimi:y:2012:i:2:p:67-75

  1. Start
    13957
    Prefix
    осуществлять раннюю диагностику конструкторско-технологических дефек где Тх – фактическая временная задержка БИС; задержка во входных Тзвх и выходных Тзвых зондовых цепях учитывается как неисключенная систематическая составляющая погрешности измерения и определяется при аттестации зондовых каналов с помощью эталонных ВЧ кабелей. При этом ПХ каналов ЗСК H(t) равны
    Exact
    [1]
    Suffix
    : H(t) = erfc(Z) = 1 – Ф(Z), (6) где Ф(Z) = 2/dхe 2 – функция Лапласа; Z = 22l/4 fгр Т; (fгр – граничная частота; Т – текущее время; – коэффициент затухания). Время нарастания ПХ широкополосных контактирующих устройств КУ: на полосковых, ленточных и копланарных линиях длиной l соответственно равно 0,5; 0,65; 0,25 нс.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    21967
    Prefix
    Для контроля сверхбыстродействующих ИС (БИС) используются сдвоенные полосковые линии, встроенные во входные КУ, а в выходные КУ встраиваются в микроэлектронном исполнении ВЧ-согласующие устройства (С = 2–4 пФ), t = 0,25–0,5 нс, размещенные вместе с эквивалентом нагрузки в зондах КУ
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Температурный зондовый контроль интегральных структур на пластине В мировой практике зондового контроля используются методы специального зондового контроля при повышенной температуре с помощью термостолов в температурном диапазоне 30–130 °С (погрешность задания температуры 2 °С) и пониженной температуре в криогенных зондовых установках при разработке и
    (check this in PDF content)

  3. Start
    22458
    Prefix
    практике зондового контроля используются методы специального зондового контроля при повышенной температуре с помощью термостолов в температурном диапазоне 30–130 °С (погрешность задания температуры 2 °С) и пониженной температуре в криогенных зондовых установках при разработке и исследовании параметров специальных быстродействующих изделий микроэлектроники на пластине
    Exact
    [3]
    Suffix
    . Разработанные зондовые установки используют микрокамеры и большие камеры тепла и холода при функциональном контроле и измерении статических параметров. Установки температурного зондового контроля ЭМ-6010, ЭМ-6020 эксплуатируются в Республике Беларусь, СНГ, КНР, Корее.
    (check this in PDF content)

  4. Start
    23983
    Prefix
    Широкополосные КУ имеют ПХ 0,2– 0,4 нс и определены с помощью рефлектометрической установки пикосекундного диапазона, состоящей из стробоскопического осциллографа (полоса частот 10 ГГц), генератора пикосекундных импульсов И1-12 (50 пс; 70 пс; 100 пс) и согласующих устройств
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Рисунок 2 – Структурная схема зондовой широкополосной системы для контроля динамических параметров быстродействующих и сверхбыстродействующих ИС (БИС) на пластине и кристалле: 1 – генератор испытательных сигналов; 2, 3 – ВЧ и НЧ коммутаторы; 4, 15 – входное и выходное согласующие устройства; 5, 6 – входные полосковые линии; 7, 8 – основная и дополнительная разъемные линии; 9 – коммутатор
    (check this in PDF content)