The 5 reference contexts in paper A. Rudenkov S., V. Kisel E., A. Gulevich E., N. Kuleshov V., А. Руденков С., В. Кисель Э., А. Гулевич Е., Н. Кулешов В. (2015) “НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА Yb3+:KGd(WO4)2 С ДИОДНОЙ НАКАЧКОЙ // DIODE PUMPED YB3+:KGD(WO4)2 REGENERATIVE AMPLIFICATION SYSTEM OF FEMTOSECOND LASER PULSES” / spz:neicon:pimi:y:2012:i:2:p:15-19

  1. Start
    1579
    Prefix
    Перечень применений ультракоротких импульсов быстро расширяется и требования, предъявляемые к современным лазерным системам, становятся более высокими. Большинство современных лазерных систем, используемых для спектроскопии высокого временного разрешения методом возбуждения-зондирования, используют усиление чирпированных импульсов
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Это позволяет увеличить энергию ультракоротких импульсов (УКИ) с наноджоулевого уровня до микро- и миллиджоулевого диапазона. Для увеличения скорости накопления результатов требуются частоты повторения импульсов более 1 кГц, что легко реализуется в системах усиления УКИ на иттербий-содержащих материалах [2].
    (check this in PDF content)

  2. Start
    1891
    Prefix
    Это позволяет увеличить энергию ультракоротких импульсов (УКИ) с наноджоулевого уровня до микро- и миллиджоулевого диапазона. Для увеличения скорости накопления результатов требуются частоты повторения импульсов более 1 кГц, что легко реализуется в системах усиления УКИ на иттербий-содержащих материалах
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Материалы, легированные ионами Yb 3+ , обладают интенсивными полосами поми усиления, что необходимо для получения импульсов фемтосекундной длительности. В качестве источников накачки используются коммерчески доступные InGaAs лазерные диоды, имеющие большой диапазон выходных мощностей (до нескольких кВт) в непрерывном режиме.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    2399
    Prefix
    В качестве источников накачки используются коммерчески доступные InGaAs лазерные диоды, имеющие большой диапазон выходных мощностей (до нескольких кВт) в непрерывном режиме. Структура энергетических уровней иона Yb3+ исключает потери, связанные с поглощением из возбужденного состояния, ап-конверсией, концентрационным тушением люминесценции
    Exact
    [3]
    Suffix
    . Низкий квантовый дефект (разность энергий квантов накачки и генерации) обеспечивает низкое тепловыделение в активном элементе (длина волны накачки 980 нм, генерации – 1020–1050 нм). Целью данной работы было создание компактной системы регенеративного усиления ультракоротких лазерных импульсов с высокими частотами следования (до 10 кГц), высокой энергией импульсов (до 360 мкДж), малой дли
    (check this in PDF content)

  4. Start
    5247
    Prefix
    Контраст селектора импульсов составил более 103. Для снижения пиковой мощности УКИ перед усилением использовался стретчер на основе дифракционных решеток, собранный по схе16 Приборы и методы измерений, No 2 (5), 2012 ме Мартинеса
    Exact
    [4]
    Suffix
    . В схеме использовалась дифракционная решетка 1800 штр/мм. Габаритные размеры стретчера не превышали 200×100 мм2 при коэффициенте растяжения около 103. Расчетная длительность импульса определялась по выражению [5]: , 2 cos 2 2 4() cd fxm яние между линзой и решеткой, м; m – порядок дифракции; λ – длина волны, м; с – скорость света, м/с; d – период дифракционной решетки, м; θ – уго
    (check this in PDF content)

  5. Start
    5462
    Prefix
    В схеме использовалась дифракционная решетка 1800 штр/мм. Габаритные размеры стретчера не превышали 200×100 мм2 при коэффициенте растяжения около 103. Расчетная длительность импульса определялась по выражению
    Exact
    [5]
    Suffix
    : , 2 cos 2 2 4() cd fxm яние между линзой и решеткой, м; m – порядок дифракции; λ – длина волны, м; с – скорость света, м/с; d – период дифракционной решетки, м; θ – угол дифракции для центральной длины волны, рад; Δλ – ширина спектра импульса на полувысоте, м.
    (check this in PDF content)