The 5 reference contexts in paper A. Batische G., K. Vlasik F., S. Grabchikov S., V. Grachev M., V. Dmitrenko V., N. Kalashnikov P., S. Muravyev-Smirnov S., P. Nyunt V., S. Ulin E., Z. Uteshev M., A. Cheledyuk V., А. Батищев Г., К. Власик Ф., С. Грабчиков С., В. Грачев М., В. Дмитренко В., Н. Калашников П., С. Муравьев-Смирнов С., П. Ньюнт В., С. Улин Е., З. Утешев М., А. Челедюк В. (2015) “ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ УМНОЖИТЕЛИ С МНОГОСЛОЙНЫМИ ПЛЕНОЧНЫМИ ЭКРАНАМИ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ОТ ВОЗДЕЙСТВИЯ ВНЕШНИХ ПОСТОЯННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ // APPLICATION OF MULTILAYER FILM CONFIGURATION TO PROTECT PHOTOMULTIPLIER AGAINST EXTERNAL STATIC MAGNETIC FIELDS” / spz:neicon:pimi:y:2012:i:1:p:16-23

  1. Start
    1982
    Prefix
    Кроме того, при работе в околоземном космическом пространстве научная аппаратура подвергается интенсивному воздействию внешних постоянных магнитных и переменных электромагнитных полей. Известно
    Exact
    [1]
    Suffix
    , что максимальная индукция постоянного магнитного поля вдоль орбиты станции «МИР» достигает 0,06 мТл, а ее вариации – 0,04 мТл. Такие поля могут оказывать влияние на фотоэлектронные умножители (ФЭУ), работающие в сцинтилляционных детекторах и других приборах: ФЭУ особенно чувствительны к воздействию постоянного магнитного поля.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    3353
    Prefix
    Методика получения и исследования образцов многослойных пленочных экранов и фотоэлектронных умножителей Многослойные пленочные экраны, содержащие слои материалов с высокой магнитной проницаемостью на основе сплавов никель–железо и слои меди, формировались в едином технологическом цикле методом электролитического осаждения
    Exact
    [2]
    Suffix
    . В качестве подложек для МПЭ использовались алюминиевые корпуса цилиндрической формы. Внешний диаметр цилиндра составлял 4 см, внутренний диаметр 3,7 см, длина 13 см. Были изготовлены образцы МПЭ с толщинами магнитных слоев 150, 45 и 10 мкм и количеством магнитных слоев 3, 10 и 45 соответственно (экраны No 1; No 2 и No 3).
    (check this in PDF content)

  3. Start
    4294
    Prefix
    Количественная оценка эффективности экранирования (Э) МПЭ проводилась по результатам измерений отношения индукций (или напряженностей) постоянного магнитного поля в защищаемой области пространства при отсутствии экрана В0 (или H0), и при наличии его В (или H)
    Exact
    [3]
    Suffix
    : Э = В0 /В =Н0 /Н. (1) Установка для исследования эффективности экранирования состояла из пары катушек Гельмгольца с радиусом 20 см и числом витков 154, двух цифровых тесламетров и мультиметра, двух датчиков Холла и универсального блока питания [4].
    (check this in PDF content)

  4. Start
    4556
    Prefix
    магнитного поля в защищаемой области пространства при отсутствии экрана В0 (или H0), и при наличии его В (или H) [3]: Э = В0 /В =Н0 /Н. (1) Установка для исследования эффективности экранирования состояла из пары катушек Гельмгольца с радиусом 20 см и числом витков 154, двух цифровых тесламетров и мультиметра, двух датчиков Холла и универсального блока питания
    Exact
    [4]
    Suffix
    . Катушки Гельмгольца создавали постоянное магнитное поле, в которое помещался испытываемый образец экрана. Неоднородность магнитного поля вдоль радиуса катушек (R) на расстоянии 10 см в обе стороны от центра катушки составляла не более 4–5 %, в зоне испытываемого образца (R = 2 см) – не более 2–3 %, в направлении, перпендикулярном радиусу катушек в зоне испытываемого обра
    (check this in PDF content)

  5. Start
    9085
    Prefix
    В области низких магнитных полей (0,1–0,2 мТл) значения Э для МПЭ составляют 8–10, в области более высоких магнитных полей (1,5–2,5 мТл) – 80–100. Данный результат связан с тем, что магнитная про ницаемость материалов магнитных слоев МПЭ увеличивается до определенных значений с ростом величины индукции магнитного поля В0
    Exact
    [3]
    Suffix
    . R, см Рисунок 1 – Распределение индукции постоянного магнитного поля внутри различных типов экранов от центра экрана в осевом направлении (В0 перпендикулярно оси экрана) B0, мТл Рисунок 2 – Эффективности экранирования различных типов экранов (в центре экрана) в зависимости от величины индукции внешнего магнитного поля (В0 перпендикулярно оси экрана) Эфф ективность экраниро
    (check this in PDF content)