The 19 reference contexts in paper A. Petrov V., S. Demyanov E., E. Kaniukov Yu., D. Fink , А. Петров В., С. Демьянов Е., Е. Канюков Ю., Д. Финк (2015) “ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ МИКРОИНДУКТОР НА ОСНОВЕ ГИБКОЙ ПОЛИИМИДНОЙ ПЛЕНКИ // HIGH-FREQUENCY MICROINDUCTOR ON THE BASE OF FLEXIBLE POLYIMIDE FILM” / spz:neicon:pimi:y:2011:i:2:p:27-32

  1. Start
    1287
    Prefix
    Введение В последние годы активно проводятся работы по созданию микроэлектротехнических устройств, что связано с развитием таких технологий, как ионно-лучевое напыление, гальванопластика и фотолитография
    Exact
    [1–4]
    Suffix
    . При этом микроприборы, как правило, формируются послойно на твердой подложке (преимущественно кремниевой) с использованием прослоек из изолирующего материала, что позволяет получать планарные устройства площадью в несколько квадратных миллиметров и толщиной несколько сотен микрометров.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    1673
    Prefix
    При этом микроприборы, как правило, формируются послойно на твердой подложке (преимущественно кремниевой) с использованием прослоек из изолирующего материала, что позволяет получать планарные устройства площадью в несколько квадратных миллиметров и толщиной несколько сотен микрометров. Они применяются в биологических и медицинских приборах, компьютерных технологиях
    Exact
    [4–6]
    Suffix
    , при создании научно-исследовательского оборудования [1–3], а также в системах связи, аэрокосмических и военных разработках [4]. Недостатком таких приборов является жесткость, что осложняет их использование на сложнопрофильных и подвижных поверхностях.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    1736
    Prefix
    послойно на твердой подложке (преимущественно кремниевой) с использованием прослоек из изолирующего материала, что позволяет получать планарные устройства площадью в несколько квадратных миллиметров и толщиной несколько сотен микрометров. Они применяются в биологических и медицинских приборах, компьютерных технологиях [4–6], при создании научно-исследовательского оборудования
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    , а также в системах связи, аэрокосмических и военных разработках [4]. Недостатком таких приборов является жесткость, что осложняет их использование на сложнопрофильных и подвижных поверхностях.
    (check this in PDF content)

  4. Start
    1808
    Prefix
    Они применяются в биологических и медицинских приборах, компьютерных технологиях [4–6], при создании научно-исследовательского оборудования [1–3], а также в системах связи, аэрокосмических и военных разработках
    Exact
    [4]
    Suffix
    . Недостатком таких приборов является жесткость, что осложняет их использование на сложнопрофильных и подвижных поверхностях. Конструирование элементов электрических цепей на гибкой подложке позволяет решить эту проблему и одновременно уменьшить массогабаритные показатели.
    (check this in PDF content)

  5. Start
    2227
    Prefix
    Конструирование элементов электрических цепей на гибкой подложке позволяет решить эту проблему и одновременно уменьшить массогабаритные показатели. В связи с этим задача создания «гибкой электроники» является одной из наиболее актуальных для современного материаловедения
    Exact
    [6–8]
    Suffix
    . Среди развиваемых в настоящее время способов получения подобных элементов особое место занимает так называемая ядерная технология, основанная на облучении материалов высокоэнергетичными тяжелыми ионами с образованием сильно разупорядоченных зон диаметром несколько нанометров [9–10].
    (check this in PDF content)

  6. Start
    2523
    Prefix
    Среди развиваемых в настоящее время способов получения подобных элементов особое место занимает так называемая ядерная технология, основанная на облучении материалов высокоэнергетичными тяжелыми ионами с образованием сильно разупорядоченных зон диаметром несколько нанометров
    Exact
    [9–10]
    Suffix
    . Возможность их селективного вытравливания позволяет сформировать каналы с аспектным отношением (отношение диаметра к ширине) до 10 000 [10]. Заполнение каналов различными веществами дает возможность создания структур сложной геометрии на гибкой диэлектрической подложке [11–14].
    (check this in PDF content)

  7. Start
    2669
    Prefix
    способов получения подобных элементов особое место занимает так называемая ядерная технология, основанная на облучении материалов высокоэнергетичными тяжелыми ионами с образованием сильно разупорядоченных зон диаметром несколько нанометров [9–10]. Возможность их селективного вытравливания позволяет сформировать каналы с аспектным отношением (отношение диаметра к ширине) до 10 000
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Заполнение каналов различными веществами дает возможность создания структур сложной геометрии на гибкой диэлектрической подложке [11–14]. При создании гибких микроиндукторов необходимо учитывать, что подложка должна обладать достаточной термической стабильностью для эффективного рассеивания джоулева тепла, генерирующегося в результате прохождения тока через обмотку индуктора.
    (check this in PDF content)

  8. Start
    2809
    Prefix
    Возможность их селективного вытравливания позволяет сформировать каналы с аспектным отношением (отношение диаметра к ширине) до 10 000 [10]. Заполнение каналов различными веществами дает возможность создания структур сложной геометрии на гибкой диэлектрической подложке
    Exact
    [11–14]
    Suffix
    . При создании гибких микроиндукторов необходимо учитывать, что подложка должна обладать достаточной термической стабильностью для эффективного рассеивания джоулева тепла, генерирующегося в результате прохождения тока через обмотку индуктора.
    (check this in PDF content)

  9. Start
    3217
    Prefix
    гибких микроиндукторов необходимо учитывать, что подложка должна обладать достаточной термической стабильностью для эффективного рассеивания джоулева тепла, генерирующегося в результате прохождения тока через обмотку индуктора. Наиболее подходящим материалом является полиимид, так как он выдерживает температуры до 400– 500 C без каких-либо химических и структурных изменений
    Exact
    [11–12]
    Suffix
    . Принцип построения микроиндуктора зависит от диапазона частот, в котором его планируется использовать. Так, катушки микроиндукторов для низкочастотных применений, как правило, содержат ферромагнитный сердечник, а для более высоких частот используются сердечники из ферритов [3].
    (check this in PDF content)

  10. Start
    3507
    Prefix
    Принцип построения микроиндуктора зависит от диапазона частот, в котором его планируется использовать. Так, катушки микроиндукторов для низкочастотных применений, как правило, содержат ферромагнитный сердечник, а для более высоких частот используются сердечники из ферритов
    Exact
    [3]
    Suffix
    . При частотах выше ~108 Гц микроиндукторы строятся без сердечников из-за их высокой инерционности [2–5]. Технология создания прототипа микроиндуктора на основе пористой полиимидной пленки Согласно технологиям, описанным в работах [5, 15–16], большинство современных высокочастотных микроиндукторов проектируются в виде двухслойной обмотки, которая изначально формируется на жестк
    (check this in PDF content)

  11. Start
    3612
    Prefix
    Так, катушки микроиндукторов для низкочастотных применений, как правило, содержат ферромагнитный сердечник, а для более высоких частот используются сердечники из ферритов [3]. При частотах выше ~108 Гц микроиндукторы строятся без сердечников из-за их высокой инерционности
    Exact
    [2–5]
    Suffix
    . Технология создания прототипа микроиндуктора на основе пористой полиимидной пленки Согласно технологиям, описанным в работах [5, 15–16], большинство современных высокочастотных микроиндукторов проектируются в виде двухслойной обмотки, которая изначально формируется на жесткой подложке кремния.
    (check this in PDF content)

  12. Start
    3814
    Prefix
    При частотах выше ~108 Гц микроиндукторы строятся без сердечников из-за их высокой инерционности [2–5]. Технология создания прототипа микроиндуктора на основе пористой полиимидной пленки Согласно технологиям, описанным в работах
    Exact
    [5, 15–16]
    Suffix
    , большинство современных высокочастотных микроиндукторов проектируются в виде двухслойной обмотки, которая изначально формируется на жесткой подложке кремния. Методом центрифугирования на кремнии создается слой полиимида, на котором с помощью электрохимического осаждения через специальные маски формируются 2 слоя обмоток из медных проводников.
    (check this in PDF content)

  13. Start
    4944
    Prefix
    После завершения формирования структуры микроиндуктора кремниевая подложка стравливается, что в конечном итоге обеспечивает гибкость изделия. Величина индуктивности такого индуктора составляет 10-7 Гн, а его добротность – 10 при частоте 100 МГц
    Exact
    [16–17]
    Suffix
    . Описанная технология обладает некоторыми недостатками, например многостадийность изготовления, применение большого количества физико-химических методик и необходимость использования кремниевой подложки на всех стадиях изготовления микроиндуктора.
    (check this in PDF content)

  14. Start
    5331
    Prefix
    Описанная технология обладает некоторыми недостатками, например многостадийность изготовления, применение большого количества физико-химических методик и необходимость использования кремниевой подложки на всех стадиях изготовления микроиндуктора. Более простой способ создания обмотки высокочастотного микроиндуктора по сравнению с существующими технологиями
    Exact
    [2–5, 15– 16]
    Suffix
    заключается в использовании пористой полиимидной пленки, в которой поры сформированы с использованием технологии треков быстрых тяжелых ионов [9–14]. Эта технология связана с формированием узких и протяженных областей радиационного повреждения, в результате воздействия на вещество ионов с вы сокой энергией.
    (check this in PDF content)

  15. Start
    5492
    Prefix
    Более простой способ создания обмотки высокочастотного микроиндуктора по сравнению с существующими технологиями [2–5, 15– 16] заключается в использовании пористой полиимидной пленки, в которой поры сформированы с использованием технологии треков быстрых тяжелых ионов
    Exact
    [9–14]
    Suffix
    . Эта технология связана с формированием узких и протяженных областей радиационного повреждения, в результате воздействия на вещество ионов с вы сокой энергией. Поры (протравленные ионные треки) различных форм и размеров формируются в облученном материале за счет химического воздействия специальных травителей, удаляющих области треков с модифицированными свойствами.
    (check this in PDF content)

  16. Start
    9033
    Prefix
    Можно сделать вывод о том, что данная частотная зависимость связана с влиянием резистивных и емкостных потерь в системе, а также с влиянием магнитных полей рассеяния, появляющихся в микроиндукторе с увеличением частоты
    Exact
    [12, 13]
    Suffix
    . Наблюдавшееся экспериментальное значение индуктивности (L) микроиндуктора согласуется с теоретической оценкой [17]: rc NA L 2р м2, (1) где – магнитная восприимчивость, которую в данном случае полагаем равной 1 Н/м; N – количество витков в обмотке, равное 7; А – поперечное сечение катушки, равное примерно 8 10-9 м2; rc – радиус катушки, равный примерно 2 10-4 м.
    (check this in PDF content)

  17. Start
    9154
    Prefix
    Можно сделать вывод о том, что данная частотная зависимость связана с влиянием резистивных и емкостных потерь в системе, а также с влиянием магнитных полей рассеяния, появляющихся в микроиндукторе с увеличением частоты [12, 13]. Наблюдавшееся экспериментальное значение индуктивности (L) микроиндуктора согласуется с теоретической оценкой
    Exact
    [17]
    Suffix
    : rc NA L 2р м2, (1) где – магнитная восприимчивость, которую в данном случае полагаем равной 1 Н/м; N – количество витков в обмотке, равное 7; А – поперечное сечение катушки, равное примерно 8 10-9 м2; rc – радиус катушки, равный примерно 2 10-4 м.
    (check this in PDF content)

  18. Start
    10988
    Prefix
    на основе нанопористой полиимидной пленки могут эффективно применяться в компьютерных системах, в системах связи (в осцилляторах для телекоммуникационных систем), в аэрокосмических и военных проектах. Важными преимуществами использования данных систем являются их легкость, возможность крепления на сложнопрофильных поверхностях и высокая термическая стабильность
    Exact
    [12–16]
    Suffix
    . Также следует отметить, что в настоящее время освоены технологии, позволяющие получать пористую пленку полиимида со сравнительно небольшими финансовыми затратами [10], т. е. стоимость создаваемых микроиндукторов и микротрансформаторов не будет превышать стоимости существующих аналогов на жесткой подложке.
    (check this in PDF content)

  19. Start
    11166
    Prefix
    Важными преимуществами использования данных систем являются их легкость, возможность крепления на сложнопрофильных поверхностях и высокая термическая стабильность [12–16]. Также следует отметить, что в настоящее время освоены технологии, позволяющие получать пористую пленку полиимида со сравнительно небольшими финансовыми затратами
    Exact
    [10]
    Suffix
    , т. е. стоимость создаваемых микроиндукторов и микротрансформаторов не будет превышать стоимости существующих аналогов на жесткой подложке. Заключение Предложен более простой по сравнению с существующими технологиями способ создания обмотки высокочастотного микроиндуктора на основе гибкой полиимидной пленки с микропорами, полученными при помощи ионно-трековой технологи
    (check this in PDF content)