The 8 reference contexts in paper E. Kaniukov Yu., S. Demyanov E., Е. Канюков Ю., С. Демьянов Е. (2015) “РАЗРАБОТКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СЕНСОРОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР SI/SIO2/NI // ENGINEERING OF LOW-TEMPERATURE MAGNETIC FIELD SENSORS BASED ON HETEROSTRUCTURES SI/SIO2/NI” / spz:neicon:pimi:y:2011:i:1:p:10-16

  1. Start
    2617
    Prefix
    Последующее травление латентных треков приводит к образованию в поверхностном слое структуры стохастически распределенных нанопор, форма и размеры которых задается выбором параметров облучения и травления
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    . Как показали предыдущие исследования [4], такие нанопоры целесообразно создавать в слое оксида кремния на кремнии. После селективного заполнения различными металлами и/или их композициями они позволяют сформировать гетероструктуры с различными электропроводящими характеристиками, весьма чувствительными к температуре и магнитному полю.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    2663
    Prefix
    Последующее травление латентных треков приводит к образованию в поверхностном слое структуры стохастически распределенных нанопор, форма и размеры которых задается выбором параметров облучения и травления [1–3]. Как показали предыдущие исследования
    Exact
    [4]
    Suffix
    , такие нанопоры целесообразно создавать в слое оксида кремния на кремнии. После селективного заполнения различными металлами и/или их композициями они позволяют сформировать гетероструктуры с различными электропроводящими характеристиками, весьма чувствительными к температуре и магнитному полю.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    5022
    Prefix
    Последующая обработка структур в плавиковой кислоте приводила к формированию стохастически распределенных протравленных вплоть до кремниевой подложки треков (пор) в оксиде кремния при общем уменьшении толщины SiO2
    Exact
    [5–6]
    Suffix
    . Далее поры электрохимическим методом заполнялись никелем, причем выбор типа электролита и параметров осаждения определялся целью добиться селективного осаждения металла непосредственно и только в протравленные треки [5].
    (check this in PDF content)

  4. Start
    5254
    Prefix
    Далее поры электрохимическим методом заполнялись никелем, причем выбор типа электролита и параметров осаждения определялся целью добиться селективного осаждения металла непосредственно и только в протравленные треки
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Исследование морфологии структуры рабочего элемента сенсора проводилось на металлографическом оптическом микроскопе «OLYMPUS GX41» (ОМ), сканирующем электронном микроскопе «LEO-1455VP» (СЭМ) и атомно-силовом микроскопе «Solver P47» (АСМ).
    (check this in PDF content)

  5. Start
    7354
    Prefix
    На границе раздела n-Si/SiO2 контакт металла с кремнием составляет несколько десятков нанометров и, как было показано ранее металл осаждается в поры в виде контактирующих между собой кластеров с размерами 30–50 нм
    Exact
    [5]
    Suffix
    . 500 nm а б Рисунок 2 – Изображения СЭМ : а – поверхность образца; б – скол; 1 – никель, осажденный в поры оксида кремния; 2 – слой оксида кремния; 3 –подложка кремния Градиентное изображение поверхности SiO2 с порами заполненными металлом, полученное методом АСМ (рисунок 3а) отражает изменение ее рельефа и свидетельствует о формировании выростов металла на
    (check this in PDF content)

  6. Start
    12613
    Prefix
    12 Тл; б – относительное магнетосопротивление По всей видимости, это обусловлено тем, что электроперенос частично осуществляется через металлические кластеры в порах (а это ~ 20 % токового пути), а между порами – в приповерхностных слоях кремния, которые содержат локализованные состояния. Подробно механизмы проводимости в таких гетероструктурах рассмотрены в работе
    Exact
    [7]
    Suffix
    . Температурная зависимость относительного магнетосопротивления свидетельствует, что R(B)/R(0) имеет положительное значение, растущее с понижением температуры и достигающие при Т < 25 К значения 600 % (рисунок 7б).
    (check this in PDF content)

  7. Start
    13446
    Prefix
    Перспективы использования гетероструктур Si/SiO2/металл Развитие дальнейшей работы с гетероструктурами Si/SiO2/металл с целью расширения температурного интервала существования магниторезистивного эффекта перспективно в двух направлениях. Первое связано с созданием многослойных структур с чередующимися слоями из ферромагнитных и немагнитных металлов в порах
    Exact
    [8–10]
    Suffix
    . Второе предусматривает применение технологии TEMPOS («Tunable Electronic Material in Pores in Oxide on Semiconductors» – «Управляемый электронный материал с порами в оксиде кремния») [11].
    (check this in PDF content)

  8. Start
    13650
    Prefix
    Первое связано с созданием многослойных структур с чередующимися слоями из ферромагнитных и немагнитных металлов в порах [8–10]. Второе предусматривает применение технологии TEMPOS («Tunable Electronic Material in Pores in Oxide on Semiconductors» – «Управляемый электронный материал с порами в оксиде кремния»)
    Exact
    [11]
    Suffix
    . Применительно к таким гетероструктурам схема TEMPOS представлена на рисунке 8. 1 2 43 5 Рисунок 8 – Принципиальная схема TEMPOS-структуры: 1 – подложка Si; 2 – слой SiO2; 3 – каналы ионных треков заполненные металлом (-ами); 4 – электрические контакты на SiO2; 5 – управляющий контакт на Si TEMPOS-структуры проявляют свойства схожие со свойствами электронных устройств
    (check this in PDF content)