The 20 references in paper V. Solodukha A., G. Chigir G., V. Pilipenko A., V. Filipenya A., V. Gorushko A., В. Солодуха А., В. Пилипенко А., Г. Чигирь Г., В. Филипеня А., В. Горушко А. (2018) “Экспрессный контроль надежности подзатворного диэлектрика полупроводниковых приборов // Reliability Express Control of the Gate Dielectric of Semiconductor Devices” / spz:neicon:pimi:y:2018:i:4:p:308-313

1
Боброва, Е.А. Особенности вольт-фарадных характеристик МОП структур, обусловленные зарядом в окисле / Е.А. Боброва, Н.М. Омельяновская // ФТП. – 2008. – Т. 42, вып. 11. – С. 1380–1383.
(check this in PDF content)
2
Aleksandrov, O.V., Dus', A.I. A Model of Formation of Fixed Charge in Thermal Silicon Dioxide / O.V. Aleksandrov, A.I. Dus' // Semiconductors. – 2011. – Vol. 45, No. 4. – P. 467–473. DOI: 10.1134/S1063782611040026
(check this in PDF content)
3
Харченко, В.А. Проблемы надежности электронных компонент / В.А. Харченко // Известия вузов. Материалы электронной техники. – 2015. – Т. 18, No 1. – С. 52–57. DOI: 10.17073/1609-3577-2015-1-52-57
(check this in PDF content)
4
Данилин, Н. Проблемы применения перспективной электронной компонентной базы в космосе / Н. Данилин, С. Белослудцев // Современная электроника. – 2006. – No 4. – С. 16–17.
(check this in PDF content)
5
Красников, Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : в 2 ч. / Г.Я. Красников. – М. : Техносфера, 2002. – Ч. 1. – 416 с.
(check this in PDF content)
6
Никифоров, А.Ю. Радиационная стойкость электронной компонентной базы систем специальной техники и связи / А.Ю. Никифоров, В.А. Телец // Спецтехника и связь. – 2011. – No 4. – С. 2–4.
(check this in PDF content)
7
EIA/JEDEC Standart 35-A, Procedure for the Wafer-Level Testing of Thin Dielectriec. – JEDEC Solid State Technology Association, Arlington. – 2001. – P. 1–40.
(check this in PDF content)
8
EIA/JEDEC Standart 122E, Failure Mechanisms and Models tor Semiconductor Devices. – JEDEC Solid State Technology Association, Arlington. – 2009. – P. 8–12.
(check this in PDF content)
9
Solodukha, V.A. Prefailure Life Time Simulation of the Submicron ICs’ Gate Dielectric as per the Breakdown Voltage Value at the Various Sweep Rates / V.A. Solodukha, S.V. Shvedov, A.N. Petlitsky, R.R. Chyhir // Proceedings 9th International Conference «New Electrical and Electronic Technologies and their Indastrial Implementation», Zakopane, Poland, June 23– 26. − 2015. − Р. 20.
(check this in PDF content)
10
Белоус, А.И. Методы повышения надежности микросхем на основе тестовых структур / А.И. Белоус, А.С. Турцевич, Г.Г. Чигирь. − Германия, LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH & Co. KG Heinrich-Böcking, 2012. − 240 с.
(check this in PDF content)
1

(check this in PDF content)
2

(check this in PDF content)
3

(check this in PDF content)
4

(check this in PDF content)
5

(check this in PDF content)
6

(check this in PDF content)
7

(check this in PDF content)
8

(check this in PDF content)
9

(check this in PDF content)
10

(check this in PDF content)