The 35 references in paper N. Poklonski A., A. Kovalev I., N. Gorbachuk I., S. Shpakovski V., Н. Поклонский А., А. Ковалев И., Н. Горбачук И., С. Шпаковский В. (2018) “РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВОГО ДИОДА, СОДЕРЖАЩЕГО В СИММЕТРИЧНОМ p–n-ПЕРЕХОДЕ δ-СЛОЙ ТОЧЕЧНЫХ ТРЕХЗАРЯДНЫХ ДЕФЕКТОВ // CALCULATION OF STATIC PARAMETERS OF SILICON DIODE CONTAINING δ-LAYER OF TRIPLE-CHARGED POINT DEFECTS IN SYMMETRIC p–n-JUNCTION” / spz:neicon:pimi:y:2018:i:2:p:130-141

1
Шик, А.Я. Полупроводниковые структуры с δ-слоями / А.Я. Шик // ФТП. – 1992. – Т. 26, No 7. – С. 1161–1181.
(check this in PDF content)
2
El-Hajj, H. Characteristics of boron δ-doped diamond for electronic applications / H. El-Hajj [et al.] // Diamond Relat. Mater. – 2008. – V. 17, No 4–5. – pp. 409–414. doi: 10.1016/j.diamond.2007.12.030
(check this in PDF content)
3
Poklonski, N.A. Impedance and barrier capacitance of silicon diodes implanted with high-energy Xe ions / N.A. Poklonski [et al.] // Microelectron. Reliab. – 2010. – Vol. 50, No 6. – pp. 813–820. doi: 10.1016/j.microrel.2010.02.007
(check this in PDF content)
4
Li, J. 35% efficient nonconcentrating novel silicon solar cell / J. Li [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 1992. – Vol. 60, No 18. – P. 2240–2242. doi: 10.1063/1.107042
(check this in PDF content)
5
Summonte, C. Spectral behavior of solar cells based on the “junction near local defect layer” design / C. Summonte [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 1993. – Vol. 63, No 6. – P. 785–787. doi: 10.1063/1.109907
(check this in PDF content)
6
Комаров, Ф.Ф. Моделирование технологических процессов субмикронной электроники для систем проектирования интегральных схем / Ф.Ф. Комаров [и др.] // Вестн. БГУ. Сер. 1. – 2011. – No 3. – С. 26–32.
(check this in PDF content)
7
Замалин, Е.Ю. Некоторые задачи моделирования технологических процессов изготовления приборов микроэлектроники / Е.Ю. Замалин, О.Б. Бондарь // Микроэлектроника. – 1995. – Т. 24, No 4. – С. 309–314.
(check this in PDF content)
8
Поклонский, Н.А. Полупроводниковый диод с прыжковой миграцией электронов по точечным дефектам кристаллической матрицы / Н.А. Поклонский, А.И. Ковалев, С.А. Вырко, А.Т. Власов // Докл. Нац. акад. наук Беларуси. – 2017. – Т. 61, No 3. – С. 30–37.
(check this in PDF content)
9
Siemieniec, R. Compensation and doping effects in heavily helium-radiated silicon for power device applications / R. Siemieniec [et al.] // Microelectron. J. – 2006. – Vol. 37, No 3. – P. 204–212. doi: 10.1016/j.mejo.2005.09.011
(check this in PDF content)
10
Челядинский, А.Р. Эффект Воткинса в полупроводниках. Явление и приложения в микроэлектронике / А.Р. Челядинский, В.Б. Оджаев // Вестн. БГУ. Сер. 1. – 2011. – No 3. – С. 10–17.
(check this in PDF content)
11
Поклонский, Н.А. Ионизационное равновесие и прыжковая электропроводность в легированных полупроводниках. – Минск : БГУ, 2004. – 195 с.
(check this in PDF content)
12
Поклонский, Н.А. Статистическая физика полупроводников / Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, С.Л. Поденок. – М. : КомКнига, 2005. – 264 с.
(check this in PDF content)
13
Бонч-Бруевич, В.Л. Физика полупроводников / В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. – М.: Наука, 1990. – 688 с.
(check this in PDF content)
14
Poklonski, N.A. Drift-diffusion model of hole migration in diamond crystals via states of valence and acceptor bands / N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, A.I. Kovalev, A.N. Dzeraviaha // J. Phys. Commun. – 2018. – Vol. 2, No 1. – P. 015013 (14 p.). doi: 10.1088/2399-6528/aa8e26
(check this in PDF content)
15
Мнацаканов, Т.Т. Универсальный метод аналитической аппроксимации подвижности основных носителей заряда в полупроводниках в широком диапазоне температур и уровней легирования / Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков // ФТП. – 2004. – Т. 38, No 1. – С. 56–60. doi: 10.1134/1.1641133
(check this in PDF content)
16
Воловичев, И.Н. Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках / И.Н. Воловичев, Ю.Г. Гуревич // ФТП. – 2001. – Т. 35, No 3. – С. 321–329. doi: 10.1134/1.1356153
(check this in PDF content)
17
Поклонский, Н.А. Дрейф и диффузия электронов по двухуровневым (трехзарядным) точечным дефектам в кристаллических полупроводниках / Н.А. Поклонский, А.И. Ковалев, С.А. Вырко // Докл. Нац. акад. наук Беларуси. – 2014. – Т. 58, No 3. – С. 37–43.
(check this in PDF content)
18
Bleichner, H. Temperature and injection dependence of the Shockley–Read–Hall lifetime in electron irradiated n-type silicon / H. Bleichner, P. Jonsson, N. Keskitalo, E. Nordlander // J. Appl. Phys. – 1996. – Vol. 79, No 12. – P. 9142–9148. doi: 10.1063/1.362585
(check this in PDF content)
19
Львов, В.С. Межцентровые переходы носителей заряда в частично разупорядоченном кремнии: эксперимент и обсуждение результатов / В.С. Львов, В.И. Стриха, О.В. Третяк, А.А. Шматов // ФТТ. – 1989. – Т. 31, No 11. – С. 206–213.
(check this in PDF content)
20
Березин, Ю.А. Метод расщепления для задач физики полупроводников / Ю.А. Березин, Н.Н. Яненко // Докл. Акад. наук СССР. – 1984. – Т. 274, No 6. – С. 1338–1340.
(check this in PDF content)
21
Ржевкин, К.С. Физические принципы действия полупроводниковых приборов / К.С. Ржевкин. – М. : МГУ, 1986. – 256 с.
(check this in PDF content)
22
Росадо, Л. Физическая электроника и микроэлектроника / Л. Росадо. – М. : Высш. шк., 1991. – 351 с.
(check this in PDF content)
23
Коршунов, Ф.П. Об акцепторных уровнях дивакансии в кремнии / Ф.П. Коршунов, В.П. Маркевич, И.Ф. Медведева, Л.И. Мурин // ФТП. – 1992. – Т. 26, No 11. – С. 2006–2010.
(check this in PDF content)
24
Schroder, D.K. Carrier lifetimes in silicon / D.K. Schroder // IEEE Trans. Electron Dev. – 1997. – Vol. 44, No 1. – P. 160–170. doi: 10.1109/16.554806
(check this in PDF content)
25
Маллер, Р. Элементы интегральных схем / Р. Маллер, Т. Кейминс. – М. : Мир, 1989. – 630 с.
(check this in PDF content)
26
Комаров, Б.А. Особенности отжига радиационных дефектов в кремниевых p–n-структурах: роль примесных атомов железа / Б.А. Комаров // ФТП. – 2004. – Т. 38, No 9. – С. 1079–1083. doi: 10.1134/1.1797482
(check this in PDF content)
27
Абакумов, В.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках / В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. – СПб. : ПИЯФ РАН, 1997. – 376 с. doi: 10.1016/B978-0-444-88854-9.50002-3 139
(check this in PDF content)
28
Бургуэн, Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты / Ж. Бургуэн, М. Ланно. – М. : Мир, 1985. – 304 с. doi: 10.1007/978-3-642-81832-5
(check this in PDF content)
29
Емцев, В.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках / В.В. Емцев, Т.В. Машовец. – М. : Радио и связь, 1981. – 248 с.
(check this in PDF content)
30
Милнс, А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках / А. Милнс. – М. : Мир, 1977. – 564 с.
(check this in PDF content)
31
Шеховцов, Н.А. Дифференциальная емкость p+–p-перехода / Н.А. Шеховцов // ФТП. – 2012. – Т. 46, No 1. – С. 60–69. doi: 10.1134/S1063782612010174
(check this in PDF content)
32
Мурыгин, В.И. Аномальные зависимости барьерной емкости диода от напряжения смещения и температуры / В.И. Мурыгин, А.У. Фаттахдинов, Д.А. Локтев, В.Б. Гундырев // ФТП. – 2007. – Т. 41, No 10. – С. 1207–1213. doi: 10.1134/S106378260
(check this in PDF content)
33
Кюрегян, А.С. Напряжение лавинного пробоя p–n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре / А.С. Кюрегян, С.Н. Юрков // ФТП. – 1989. – Т. 23, No 10. – С. 1819–1827.
(check this in PDF content)
34
Maes, W. Impact ionization in silicon: a review and update / W. Maes, K. De Meyer, R. Van Overstraeten // Solid-State Electron. – 1990. – Vol. 33, No 6. – P. 705–718. doi: 10.1016/0038-1101(90)90183-F
(check this in PDF content)
35
Ng, K.K. Complete guide to semiconductor devices / K.K. Ng. – New York : Wiley, 2002. – xxiv+740 p. doi: 10.1002/9781118014769
(check this in PDF content)