The 44 references in paper V. Pilipenko А., V. Saladukha A., V. Filipenya A., R. Vorobey I., O. Gusev K., A. Zharin L., K. Pantsialeyeu V., A. Svistun I., A. Tyavlovsky K., K. Tyavlovsky L., В. Пилипенко А., В. Солодуха А., В. Филипеня А., Р. Воробей И., О. Гусев К., А. Жарин Л., К. Пантелеев В., А. Свистун И., А. Тявловский К., К. Тявловский Л. (2017) “ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА КРЕМНИЙ-ДВУОКИСЬ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДОВ ЗОНДОВОЙ ЭЛЕКТРОМЕТРИИ // CHARACTERIZATION OF THE ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF SILICON-SILICON DIOXIDE INTERFACE USING PROBE ELECTROMETRY METHODS” / spz:neicon:pimi:y:2017:i:4:p:344-356

1
Schroder, D.K. Semiconductor Material and Device Characterization / D.K. Schroder // Hoboken, New Jersey: John Wiley and Sons, Inc. – 2006. – 790 p. doi: 10.1002/0471749095
(check this in PDF content)
2
Schroder, D.K. Trends in Lifetime Measurements / D.K. Schroder // Electrochemical Society Proceedings. – 2000. – Vol. 17. – P. 365–383.
(check this in PDF content)
3
Everaert, J.L. Contactless Mobility Measurements of Inversion Charge Carriers on Silicon Substrates with SiO2 and HfO2 Gate Dielectrics / J.L. Everaert [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 2010. – Vol. 96. – P. 122906. doi: 10.1063/1.3373920
(check this in PDF content)
4
Oborina, E.I. Noncontact interface trap determination of SiO2–4H–SiC structures / E.I. Oborina, A.M. Hoff // J. Appl. Phys. – 2010. – Vol. 107. – P. 013703. doi: 10.1063/1.3272081
(check this in PDF content)
5
Schroder, D.K. Contactless Surface Charge Semiconductor Characterization / D.K. Schroder // Materials Science and Engineering: B. – 2002. – Vol. 91–92. – P. 196 – 210. doi: 10.1016/S0921-5107(01)00993-X
(check this in PDF content)
6
Schroder, D.K. Silicon Epitaxial Layer Recombination and Generation Lifetime Characterization / D.K. Schroder [et al.] // IEEE Transactions on Electron Devices. – 2003. – Vol. 50, no. 4. – P. 906–912. doi: 10.1109/TED.2003.812488
(check this in PDF content)
7
Komin, V.V. Status of Non-contact Electrical Measurements / V.V. Komin, A.F. Bello, C.R. Brundle, Y.S. Uritsky // AIP Conference Proceedings. – 2003. – Vol. 683. – P. 782–795. doi: 10.1063/1.1622559
(check this in PDF content)
8
Воробей, Р.И. Контроль дефектов структуры кремний-диэлектрик на основе анализа пространственного распределения потенциала по поверхности полупроводниковых пластин / Р.И. Воробей [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2013. – No 2(7). – С. 67–72.
(check this in PDF content)
9
Pogosov, V.V. Effect of deformation on surface characteristics of finite metallic crystals / V.V. Pogosov, O.M. Shtepa // Ukr. J. Phys. – 2002. – Vol. 47, no. 11. – P. 1065–1070.
(check this in PDF content)
10
Nazarov, A. Application of Volta potential mapping to determine metal surface defects / A. Nazarov, D. Thierry // Electrochimica Acta. – 2007. – Vol. 52. – P. 7689–7696. doi: 10.1016/j.electacta.2007.05.077
(check this in PDF content)
11
Neaton, J.B. Electronic properties of the Si/SiO2 interface from first principles / J.B. Neaton, D.A. Muller, N.W. Ashcroft // Phys. Rev. Lett. – 2000. – Vol. 85, No. 6. – P. 1298–1301.
(check this in PDF content)
12
Технология СБИС : в 2 т. / под ред. С. Зи. – М. : Мир, 1984. – Т. 1. – 405 с.
(check this in PDF content)
13
Zharkikh, Yu.S. Mechanic-electrical transformations in the Kelvin method / Yu.S. Zharkikh, S.V. Lysochenko // Applied Surface Science. – 2017. – Vol. 400. – P. 71–76. doi:10.1016/j.apsusc.2016.12.085
(check this in PDF content)
14
Тявловский, А.К. Математическое моделирование дистанционной зависимости разрешающей способности сканирующего зонда Кельвина / А.К. Тявловский // Приборы и методы измерений. – 2012. – No 1(4). – С. 30–36.
(check this in PDF content)
15
Gorban, A.P. Investigation of the fast surface state spectrum of MIS structures by differential C-V method / A.P. Gorban, V.G. Litovchenko, P.Ch. Peikow // Phys. State Sol. (a). – 1972. – Vol. 10, no. 1. – Р. 289–292.
(check this in PDF content)
16
Горлов, М.И. Технологические отбраковочные и диагностические испытания полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, В.А. Емельянов, Д.Л. Ануфриев. – Минск : Бел. наука, 2006. – 367 с.
(check this in PDF content)
17
Боброва, Е.А. Особенности вольт-фарадных характеристик МОП структур, обусловленные зарядом в окисле / Е.А. Боброва, Н.М. Омельяновская // ФТП. – 2008. – Т. 42, вып. 11. – С. 1380–1383.
(check this in PDF content)
18
Александров, О.В. Модель образования фиксированного заряда в термическом диоксиде кремния / О.В. Александров, А.И. Дусь // ФТП – 2011. – Т. 45, вып. 4. – С. 474–480.
(check this in PDF content)
19
Herbert, G. Origin of the fixed charge in thermally oxidized silicon / G. Herbert // J. Electrochem. Soc. – 1977. – Vol. 124, no. 2. – P. 314–317.
(check this in PDF content)
20
Holiney, R.Yu. Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers / R.Yu. Holiney, L.A. Matveeva, E.F. Venger // Semiconductor phys., quantum electronics and optoelectronics. – 1999. – Vol. 2, no. 4. – P. 10–12.
(check this in PDF content)
21
Хатько, В.В. Структуры металл-диоксид кремния-полупроводник для интегральных микросхем / В.В. Хатько. – Минск : БНТУ, 2009. – 234 с.
(check this in PDF content)
22
Румак, Н.В. Диэлектрические пленки в твердотельной микроэлектронике / Н.В. Румак, В.В. Хатько. – Минск : Навука i тэхнiка, 1990. – 192 с.
(check this in PDF content)
1

(check this in PDF content)
2

(check this in PDF content)
3

(check this in PDF content)
4

(check this in PDF content)
5

(check this in PDF content)
6

(check this in PDF content)
7

(check this in PDF content)
8

(check this in PDF content)
9

(check this in PDF content)
10

(check this in PDF content)
11

(check this in PDF content)
12

(check this in PDF content)
13

(check this in PDF content)
14

(check this in PDF content)
15

(check this in PDF content)
16

(check this in PDF content)
17

(check this in PDF content)
18

(check this in PDF content)
19

(check this in PDF content)
20

(check this in PDF content)
21

(check this in PDF content)
22

(check this in PDF content)