The 11 references in paper V. Niss S., A. Vaskou S., A. Turtsevich S., A. Kerentsev F., V. Kononenko K., В. Нисс С., О. Васьков С., А. Турцевич С., А. Керенцев Ф., В. Кононенко К. (2015) “ОЦЕНКА ТЕПЛОВЫХ ПАРАМЕТРОВ МОЩНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МЕТОДОМ ТЕПЛОВОЙ РЕЛАКСАЦИОННОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ СПЕКТРОМЕТРИИ // ESTIMATION OF THERMAL PARAMETERS OF POWER BIPOLAR TRANSISTORS BY THE METHOD OF THERMAL RELAXATION DIFFERENTIAL SPECTROMETRY” / spz:neicon:pimi:y:2015:i:2:p:249-256

1
Farkas, G. Thermal investigation of high power optical devices by transient testing / G. Farkas [et al.] // Components and Packaging Technologies, IEEE Transactions on. − 2005. – Vol. 28, No. 1. − P. 45−50.
(check this in PDF content)
2
Smith, B. Utility of transient testing to characterize thermal interface materials / B. Smith [et al.] // EDA Publishing THERMINIC. − 2007. − P. 6–11.
(check this in PDF content)
3
Бумай, Ю.А. Релаксационный импедансспектрометр тепловых процессов / Ю.А. Бумай [и др.] // Электроника инфо. - 2010. - No 3. - C. 58–59.
(check this in PDF content)
4
Bumai, Yu.A. Measurement and analysis of thermal parameters and efficiency of laser heterostructures and light-emitting diodes / Yu.A. Bumai, A.S. Vaskou, V.K. Kononenko // Metrology and Meas urement Systems. – 2010. – Vol. 17, No. 1. – P. 39–46.
(check this in PDF content)
5
Васьков, О.С. Метод тепловой релаксационной спектрометрии и определение параметров светодиодов / О.С. Васьков, В.К. Кононенко, В.С. Нисс // Докл. БГУИР. 2011. – No 4. – C. 74–79.
(check this in PDF content)
6
Турцевич, А.С. Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектромет ром / А.С. Турцевич [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – No 5. – С. 44–47.
(check this in PDF content)
7
Васьков, О.С. Диагностика технологиче ских характеристик мощных транзисто ров с помощью релаксационного импе данс-спектрометра тепловых процессов / О.С. Васьков [и др.] // Изв. вузов. Материалы электронной техники. – 2014. – No 1. – С. 47–52.
(check this in PDF content)
8
Pape, H. Development of a standard for transient measurement of junction-to-case thermal resistance / H. Pape [et al.] // Microelectron. Reliability. 2012. –Vol. 52, No. 7. – P. 1272–1278.
(check this in PDF content)
9
Foster, R.M. A reactance theorem / R.M. Foster // Bell Syst. Tech. J. 1924. – Vol. 3. м P. 259–267.
(check this in PDF content)
10
Cauer, W. Die siebschaltungen der fermmeldetechnik / W. Cauer // Math. und Mechanik / Angew Z. – 1930. –Vol. 10, No. 5. – P. 425–433.
(check this in PDF content)
11
Gulino, R. Guidelines for using ST’s MOSFET SMD packages / R. Gulino // Ap plication Note AN1703. STMicroelectronics. – 2003. – P. 1/22–22/22. Estimation of thermal parameters of power bipolar transistors by the method of thermal relaxation differential spectrometry
(check this in PDF content)