The 8 references in paper V. Odzhaev B., A. Pyatlitski N., V. Prosolovich S., V. Filipenya A., S. Shvedau V., V. Chernyi V., V. Yavid Yu., Yu. Yankouski N., В. Оджаев Б., А. Петлицкий Н., В. Просолович С., В. Филипеня А., С. Шведов В., В. Черный В., В. Явид Ю., Ю. Янковский Н. (2015) “АНАЛИЗ КАЧЕСТВА ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА МОП-СТРУКТУР ПО ВОЛЬТ-ФАРАДНЫМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ // QUALITY ANALYSIS OF THE GATE DIELECTRIC OF THE MOS-STRUCTURES BY CAPACITY-VOLTAGE CHARACTERISTICS” / spz:neicon:pimi:y:2015:i:1:p:94-98

1
Оджаев, В.Б. Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора / В.Б. Оджаев [и др.] // Весці НАНБ Сер. фіз.-тэх. навук. − 2014. − No 4. − С. 14−17.
(check this in PDF content)
2
SEMI M33-0988.
(check this in PDF content)
3
Berneike, W. Surface analysis for Si-Wafers using total reflection X-ray fluorescence analysis / W. Berneike [et al.] // Fresenius’Z. Anal. Chem. − 1989. − Vol. 333. − Р. 524−526.
(check this in PDF content)
4
Choi, B.D. Degradation of ultrathin oxides by iron contamination / B.D. Choi, D.K. Schroder // Applied physics letters. − 2001. − Vol. 79, no 16. − P. 2645−2647.
(check this in PDF content)
1

(check this in PDF content)
2

(check this in PDF content)
3

(check this in PDF content)
4

(check this in PDF content)