The 38 references in paper O. Poklonskaya N., О. Поклонская Н. (2015) “МЕТОДИКА ОЦЕНКИ КОЭФФИЦИЕНТА ПОГЛОЩЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В БОРСОДЕРЖАЩИХ АЛМАЗАХ ПО ИНТЕНСИВНОСТИ ЕГО КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ // TECHNIQUE OF ESTIMATE OF ABSORPTION COEFFICIENT LASER RADIATION IN BORON DOPED DIAMONDS BY INTENSITY OF RAMAN SCATTERING” / spz:neicon:pimi:y:2013:i:2:p:73-79

1
Wort, C.J.H. Diamond as an electronic material / C.J.H. Wort, R.S. Balmer // Mater. Today. – 2008. – Vol. 11, No 1–2. – P. 22–28.
(check this in PDF content)
2
Вавилов, B.C. Алмаз в твердотельной электронике / B.C. Вавилов // УФН. – 1997. – Т. 167, No 1. – С. 17–22.
(check this in PDF content)
3
Радиационно стойкие детекторы заряженных частиц на основе монокристаллов синтетического алмаза / К.Г. Афанасьев [и др.] // Вестн. БГУ. Сер. 1. – 2010. – No 3. – С. 47–50.
(check this in PDF content)
4
Шаронов, Г.В. Исследование дефектности поверхности монокристаллических подложек синтетического алмаза для эпитаксиальных технологий / Г.В. Шаронов, С.А. Петров // Вестн. БГУ. Сер. 1. – 2011. – No 2. – С. 49–52.
(check this in PDF content)
5
Luong, J.H.T. Boron-doped diamond electrode: synthesis, characterization, functionalization and analytical applications / J.H.T. Luong, K.B. Male, J.D. Glennon // Analyst. – 2009. – Vol. 134, No 10. – P. 1965–1979.
(check this in PDF content)
6
Плесков, Ю.В. Электрохимия алмаза / Ю.В. Плесков. – М. : УРСС. – 104 с.
(check this in PDF content)
7
Highly and heavily boron doped diamond films / A. Deneuville [et al.] // Diamond Relat. Mater. – 2007. – Vol. 16, No 4–7. – P. 915–920.
(check this in PDF content)
8
Кукушкин, В.А. Генерация терагерцевого излучения в высококачественных алмазных образцах / В.А. Кукушкин // ФТТ. – 2009. – Т. 51, No 9. – С. 1716–1721.
(check this in PDF content)
9
Концевой, Ю.А. Методы исследования свойств алмазов, алмазных и алмазоподобных пле- нок / Ю.А. Концевой // Заводская лаборатория. – 1995. – Т. 61, No 4. – С. 26–34.
(check this in PDF content)
10
Гончаров, В.К. Новые углеродные материалы на основе монокристаллов синтетического алмаза и алмазоподобных пленок для микроэлектроники / В.К. Гончаров, Г.А. Гусаков, М.В. Пузырев // Вестник БГУ. Сер. 1. – 2006. – No 3. – С. 27–34.
(check this in PDF content)
11
Electronic and optical properties of boron-doped nanocrystalline diamond films / W. Gajewski [et 0,1 1 #4 #5 #3 #2 0,01 #1 NB , см3 0 1017101810191020 Рисунок 4 – Зависимость среднего значения коэффициента поглощения света (αs  1/δs) с длиной волны 532 нм в монокристаллах синтетического алмаза p-типа от концентрации атомов бора; значения αs определены из данных на рисунке 3 по соотношению (8) для dex  1 мкм Итак, измеряя AR(d)/AR(ud), т.е. отношение интегральных интенсивностей линий КРС криПриборы и методы измерений, No 2 (7), 2013 77 al.] // Phys. Rev. B. – 2009. – Vol. 79, No 4. – P. 045206 (14 pp.).
(check this in PDF content)
12
Raman scattering in boron-doped single-crystal diamond used to fabricate Schottky diode detectors / G. Faggio [et al.] // J. Quant. Spectrosc. Radiat. Transf. – 2012. – Vol. 113, No 18. – P. 2476–2481.
(check this in PDF content)
13
Оптические свойства монокристаллов синтетических алмазов / А.В. Мудрый [и др.] // ФТП. – 2004. – Т. 38, No 5. – С. 538–542.
(check this in PDF content)
14
Zaitsev, A.M. Optical properties of diamond: a data handbook / A.M. Zaitsev. – Berlin: Springer, 2001. – 502 p.
(check this in PDF content)
15
Пихтин, А.Н. Рефракция света в полупроводниках / А.Н. Пихтин, А.Д. Яськов // ФТП. – 1988. – Т. 22, No 6. – С. 969–991.
(check this in PDF content)
16
Пул, Ч. Справочное руководство по физике / Ч. Пул. – М.: Мир, 2001. – 461 с.
(check this in PDF content)
17
Соболев, В.В. Тонкая структура диэлектрической проницаемости алмаза / В.В. Соболев, А.П. Тимонов, В.В. Соболев // ФТП. – 2000. – Т. 34, No 8. – С. 940–946.
(check this in PDF content)
18
Гроссе, П. Свободные электроны в твердых телах / П. Гроссе. – М. : Мир, 1982. – 270 с.
(check this in PDF content)
19
Dressel, M. Electrodynamics of solids: optical properties of electrons in matter / M. Dressel, G. Grüner // Cambridge: Cambridge University Press, 2002. – 486 p.
(check this in PDF content)
20
Adachi, S. Properties of group-IV, III-V and II-VI semiconductors / S. Adachi. – Chippenham, Wiley, 2005. – 387 p.
(check this in PDF content)
21
Бонч-Бруевич, В.Л. Физика полупроводни- ков / В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. – М. : Наука, 1990. – 688 с.
(check this in PDF content)
22
Semiconductors: Data handbook / Ed. O. Madelung. – Berlin : Springer, 2004. – 691 p.
(check this in PDF content)
23
Hall hole mobility in boron-doped homoepitaxial diamond / J. Pernot [et al.] // Phys. Rev. B. – 2010. – V. 81, No 20. – P. 205203 (7 pp.).
(check this in PDF content)
24
Comparison of the electrical properties of simultaneously deposited homoepitaxial and po- lycrystalline diamond films / D.M. Malta [et al.] // J. Appl. Phys. – 1995. – Vol. 77, No 4. – P. 1536–1545.
(check this in PDF content)
25
Borst, T.H. Boron-doped homoepitaxial diamond layers: Fabrication, characterization, and electronic applications / T.H. Borst, O. Weis // Phys. Status Solidi A. – 1996. – Vol. 154, No 1. – P. 423–444.
(check this in PDF content)
26
Lagrange, J.-P. A large range of boron doping with low compensation ratio for homoepitaxial diamond films / J.-P. Lagrange, A. Deneuville, E. Gheeraert // Carbon. – 1999. – Vol. 37, No 5. – P. 807–810.
(check this in PDF content)
27
Compensation in boron-doped CVD diamond / M. Gabrysch [et al.] // Phys. Status. Solidi A. – 2008. – Vol. 205, No 9. – P. 2190–2194.
(check this in PDF content)
28
Грибковский, В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках / В.П. Гриб- ковский. – Минск : Наука и техника, 1975. – 464 с.
(check this in PDF content)
29
Уханов, Ю.И. Оптические свойства полупроводников / Ю.И. Уханов. – М. : Наука, 1977. – 368 с.
(check this in PDF content)
30
Лоудон, Р. Квантовая теория света / Р. Лоудон. – М. : Мир, 1976. – 488 с.
(check this in PDF content)
31
Сущинский, М.М. Комбинационное рассеяние света и строение вещества / М.М. Сущинский. – М. : Наука, 1981. – 183 с.
(check this in PDF content)
32
Демтрёдер, В. Лазерная спектроскопия: Основные принципы и техника эксперимента / В. Демтрёдер. – М. : Наука, 1985. – 608 с.
(check this in PDF content)
33
Фальковский, Л.А. Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света / Л.А. Фальковский // УФН. – 2004. – Т. 174, No 3. – С. 259–283.
(check this in PDF content)
34
Афанасьев, С.А. Потоки энергии при интерференции электромагнитных волн / С.А. Афанасьев, Д.И. Семенцов // УФН. – 2008. – Т. 178, No 4. – С. 377–384.
(check this in PDF content)
35
Инвертирование сигнала электронного спинового резонанса каменных углей / Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, О.Н. Поклонская, Н.М. Лапчук, С. Мунхцэцэг // Журн. прикл. спектр. – 2013. – Т. 80, No 3. – С. 379–384.
(check this in PDF content)
36
Понявина, А.Н. Эффективные оптические постоянные композитных материалов с произвольной объемной концентрацией нановключений / А.Н. Понявина, С.М. Качан, Е.Е. Целеш // Журн. прикл. спектр. – 2012. – Т. 79, No 5. – С. 765–773.
(check this in PDF content)
37
Бакаев, В.В. Магнитная проницаемость и остаточная намагниченность двухфазной случайно неоднородной среды / В.В. Бакаев, А.А. Снарский, М.В. Шамонин // ЖТФ. – 2002. – Т. 72, No 1. – С. 129–132.
(check this in PDF content)
38
Deep hole traps in boron-doped diamond / P. Muret [et al.] // Phys. Rev. B. – 2010. – Vol. 81, No 23. – P. 235205 (11 pp.). 78 Приборы и методы измерений, No 2 (7),
(check this in PDF content)