The 20 references in paper A. Mudryi V., F. Mofidnahai , A. Karotki V., A. Dvurechensky V., Zh. Smagina V., V. Volodin A., P. Novikov L., А. Мудрый В., Ф. Мофиднахаи, А. Короткий В., А. Двуреченский В., Ж. Смагина В., В. Володин А., П. Новиков Л. (2015) “КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫЕ ПРИБОРНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ // SILICON-GERMANIUM NANOSTRUCTURES WITH GERMANIUM QUANTUM DOTS FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS” / spz:neicon:pimi:y:2012:i:1:p:44-50

1
Герасименко, Н.Н. Кремний – материал наноэлектроники / Н.Н. Герасименко, Ю.Н. Пархоменко. – М. : Техносфера, 2007. – 352 с.
(check this in PDF content)
2
Schmidt, O.G. Photoluminescence study of the initial stages of island formation for Ge pyramids/domes and hut clusters on Si (001) / O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl // Appl. Phys. Lett. – 1999. – Vol. 75. – No 13. – P. 1095–1097.
(check this in PDF content)
3
Пчеляков, О.П. Кремний-германиевые наностру ктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства / О.П. Пчеляков [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2000. – Т. 34. – No 11. – С. 1281–1299.
(check this in PDF content)
4
Bruner, K. Si-Ge nanostructures / K. Bruner // Rep. Prog. Phys. – 2002. – Vol. 65. – P. 27–72.
(check this in PDF content)
5
Володин, В.А. Определение из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света состава и деформаций в наноструктурах на основе GexSi1-x с учетом вклада геретрограницы / В.А. Володин [и др.] // Физика и тех ника полупроводников. – 2007. – Т. 41. – No 8 . – С. 950–954.
(check this in PDF content)
6
Смагина, Ж.В. Самоорганизация наноостровков германия при импульсном облучении пучком низкоэнергетических ионов в процессе гетероэпитаксии структур Ge/Si (100) / Ж.В. Смагина [и др.] // ЖЭТФ. – 2008. – Т. 133. – No 3. – С. 593–604.
(check this in PDF content)
7
Шкляев, А.А. Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния / А.А. Шкля ев, М. Ичикава // Успехи физических наук. – 2008. – Т. 178. No 2. – С. 139–169.
(check this in PDF content)
8
Kolobov, A.V. Raman scattering from Ge nanostructures grown on Si substrates: Power and limitations / A.V. Kolobov // J. Appl. Phys. – 2000. – Vol. 87. – No 6. – P. 2926–2930.
(check this in PDF content)
9
Ray, S.K. Structural and optical properties of germanium nanostructures on Si (100) and embedded in high-k oxides / S.K. Ray [et al.] // Nanoscale Research Letters. – 2011. – Vol. 6. – No 1. – P. 224-1–224-10.
(check this in PDF content)
10
Schmidt, O.G. Effects of overgrowth temperature on the photoluminescence of Ge/Si islands / O.G. Schmidt [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 2000. – Vol. 77. – No 16. – P. 2509–2511.
(check this in PDF content)
1

(check this in PDF content)
2

(check this in PDF content)
3

(check this in PDF content)
4

(check this in PDF content)
5

(check this in PDF content)
6

(check this in PDF content)
7

(check this in PDF content)
8

(check this in PDF content)
9

(check this in PDF content)
10

(check this in PDF content)