The 12 references with contexts in paper Т. Тимофеева Е., В. Тимофеев Б., Д. Николаев В. (2018) “ФОТОДИОД ГРАФЕН-КРЕМНИЙ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ МЕТОДОМ ЛАМИНИРОВАНИЯ, И ЕГО ХАРАКТЕРИСТИКИ” / spz:neicon:nanorf:y:2018:i:4:p:28-31

1
Chen C.C., Aykol M., Chang C.C., et al. Graphene-silicon schottky diodes // Nano Lett. 2011. V. 11. No 5. P. 1863–1867.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=1641
    Prefix
    Однако графен имеет низкую квантовую эффективность, поскольку поглощает только 2.3 % падающего на него света, поэтому графен используют совместно с полупроводником, например с кремнием
    Exact
    [1– 11]
    Suffix
    . Фотоэлектрические свойства фотодиода на барьере Шоттки, возникающего на контакте графен — кремний (Gr/Si), исследованы еще в 2011 г. в работе [1]. Для этого изготавливались структуры графен/кремний n- и р-типа со сложной структурой контактов Cr/Au/Si3N4/SiO2, при этом использовался микромеханически расщепленный графен.

  2. In-text reference with the coordinate start=1791
    Prefix
    Однако графен имеет низкую квантовую эффективность, поскольку поглощает только 2.3 % падающего на него света, поэтому графен используют совместно с полупроводником, например с кремнием [1– 11]. Фотоэлектрические свойства фотодиода на барьере Шоттки, возникающего на контакте графен — кремний (Gr/Si), исследованы еще в 2011 г. в работе
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Для этого изготавливались структуры графен/кремний n- и р-типа со сложной структурой контактов Cr/Au/Si3N4/SiO2, при этом использовался микромеханически расщепленный графен. Измерения вольтамперной характеристики (ВАХ) данной структуры показали характерное для диода выпрямляющее поведение ВАХ с энергетическим барьером 0.41–0.45 эВ.

  3. In-text reference with the coordinate start=2332
    Prefix
    Измерения вольтамперной характеристики (ВАХ) данной структуры показали характерное для диода выпрямляющее поведение ВАХ с энергетическим барьером 0.41–0.45 эВ. Контакт Gr/Si освещался лазерным излучением с длиной волны 532 нм, при этом обратный ток фотодиода увеличивался на два порядка, что показывает генерацию носителей фототока
    Exact
    [1]
    Suffix
    . В последующей работе в 2013 г. был исследован фотодетектор на гетеропереходе Gr/Si [2]. Фотодетектор был изготовлен переносом CVD-графена на подложку SiO2/Si, оксидный слой SiO2 был частично вытравлен для получения контакта Gr/Si.

2
An X., Liu F., Jung Y.J., Kar S. Tunable graphene–silicon heterojunctions for ultrasensitive photodetection // Nano Lett. 2013. V. 13. No 3. P. 909–916.
Total in-text references: 6
  1. In-text reference with the coordinate start=1641
    Prefix
    Однако графен имеет низкую квантовую эффективность, поскольку поглощает только 2.3 % падающего на него света, поэтому графен используют совместно с полупроводником, например с кремнием
    Exact
    [1– 11]
    Suffix
    . Фотоэлектрические свойства фотодиода на барьере Шоттки, возникающего на контакте графен — кремний (Gr/Si), исследованы еще в 2011 г. в работе [1]. Для этого изготавливались структуры графен/кремний n- и р-типа со сложной структурой контактов Cr/Au/Si3N4/SiO2, при этом использовался микромеханически расщепленный графен.

  2. In-text reference with the coordinate start=2434
    Prefix
    Контакт Gr/Si освещался лазерным излучением с длиной волны 532 нм, при этом обратный ток фотодиода увеличивался на два порядка, что показывает генерацию носителей фототока [1]. В последующей работе в 2013 г. был исследован фотодетектор на гетеропереходе Gr/Si
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Фотодетектор был изготовлен переносом CVD-графена на подложку SiO2/Si, оксидный слой SiO2 был частично вытравлен для получения контакта Gr/Si. Площадь контакта Gr/Si составляла 25 мм2.

  3. In-text reference with the coordinate start=6051
    Prefix
    В его основе лежит способ переноса CVD-графена на полимерную подложку методом ламинирования, описанный в [12]. Несмотря на простоту, изготовленный таким методом фотодетектор не уступает по своим характеристикам фотодетекторам, представленным в
    Exact
    [2, 6]
    Suffix
    . экспеРиментальная часть Для изготовления фотодиода была использована прозрачная полимерная пленка для ламинирования с перенесенным CVD-графеном [12]. Полимерная пленка приклеивалась графеновой стороной к пластинке кремния методом термокомпрессии.

  4. In-text reference with the coordinate start=9632
    Prefix
    Световые вольтамперные характеристики (рис. 3) позволяют построить зависимость чувствительности фотодиода от обратного напряжения для разной мощности облучения (рис. 4). Максимальная чувствительность рассматриваемого графен-кремниевого фотодиода равна примерно 0.37 А/Вт. Это значение меньше, чем у аналогичного фотодиода, описанного в
    Exact
    [2]
    Suffix
    (0.44 А/Вт). Внешняя квантовая эффективность предложенного фотодетектора, рассчитываемая по формуле η = 1240·S/λ, где S (А/Вт)–чувствительность фотодетектора, λ (нм) — длина волны облучения, равна 0.88.

  5. In-text reference with the coordinate start=9962
    Prefix
    Внешняя квантовая эффективность предложенного фотодетектора, рассчитываемая по формуле η = 1240·S/λ, где S (А/Вт)–чувствительность фотодетектора, λ (нм) — длина волны облучения, равна 0.88. Это значение больше 0.65-квантовой эффективности фотодетектора, описанного в
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Шумовые характеристики данного фотодетектора определяются в основном величиной темнового тока, который значителен и составляет примерно 340 нА при температуре 298 К. Нормированная эквивалентная мощность шума, рассчитываемая по формуле P = IП/S, где IП(А) — полный шумовой ток, S (А/Вт) — чувствительность фотодетектора, равна примерно 1 пВт/Гц1/2.

  6. In-text reference with the coordinate start=10946
    Prefix
    Темновые ВАХ фотодиода графен-кремний при разных температурах Рис. 3. Световые ВАХ при разной мощности облучения фотодиода графен-кремний на длине волны 520 нм, Т = 298 К Она отличается от аналогичных характеристик, полученных другими авторами
    Exact
    [2, 6, 10]
    Suffix
    . Как видно из графика (рис. 5), спектральная кривая имеет максимумы на длинах волн примерно 340, 700 и 900 нм. Возможно, что подъем кривой в области коротких длин волн вызван полимерной пленкой, покрывающей графен.

3
Liu F., Kar S. Quantum carrier reinvestment-induced ultrahigh and broadband photocurrent response in graphene-silicon junctions // ACS Nano. 2014. V. 8. No 10. P. 10270–10279.
Total in-text references: 4
  1. In-text reference with the coordinate start=1641
    Prefix
    Однако графен имеет низкую квантовую эффективность, поскольку поглощает только 2.3 % падающего на него света, поэтому графен используют совместно с полупроводником, например с кремнием
    Exact
    [1– 11]
    Suffix
    . Фотоэлектрические свойства фотодиода на барьере Шоттки, возникающего на контакте графен — кремний (Gr/Si), исследованы еще в 2011 г. в работе [1]. Для этого изготавливались структуры графен/кремний n- и р-типа со сложной структурой контактов Cr/Au/Si3N4/SiO2, при этом использовался микромеханически расщепленный графен.

  2. In-text reference with the coordinate start=3060
    Prefix
    Фотодетектор обладал высокой чувствительностью до 435 мА/Вт и широким диапазоном регистрации электромагнитного излучения (400 нм < λ < 900 нм). Превосходные характеристики фотодетектора на гетеропереходе графен/кремний привели к публикации значительного числа работ на эту тему
    Exact
    [3–11]
    Suffix
    . В работах [3, 4] предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4].

  3. In-text reference with the coordinate start=3081
    Prefix
    Фотодетектор обладал высокой чувствительностью до 435 мА/Вт и широким диапазоном регистрации электромагнитного излучения (400 нм < λ < 900 нм). Превосходные характеристики фотодетектора на гетеропереходе графен/кремний привели к публикации значительного числа работ на эту тему [3–11]. В работах
    Exact
    [3, 4]
    Suffix
    предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4].

  4. In-text reference with the coordinate start=3253
    Prefix
    Превосходные характеристики фотодетектора на гетеропереходе графен/кремний привели к публикации значительного числа работ на эту тему [3–11]. В работах [3, 4] предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт
    Exact
    [3]
    Suffix
    . Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4]. В [5] разработан проект фотодетектора графен/кремний на длину волны 1.55 мкм и выполнены оценки квантовой эффективности устройства.

4
Chen Z., Cheng Z., Wang J., Wan X., Shu C., Tsang H.K., Ho H.P., Xu J.-B. High responsivity, broadband, and fast graphene/silicon photodetector in photoconductor mode // Adv. Optical Mater. 2015. V. 3. No 9. P. 1207–1214
Total in-text references: 4
  1. In-text reference with the coordinate start=1641
    Prefix
    Однако графен имеет низкую квантовую эффективность, поскольку поглощает только 2.3 % падающего на него света, поэтому графен используют совместно с полупроводником, например с кремнием
    Exact
    [1– 11]
    Suffix
    . Фотоэлектрические свойства фотодиода на барьере Шоттки, возникающего на контакте графен — кремний (Gr/Si), исследованы еще в 2011 г. в работе [1]. Для этого изготавливались структуры графен/кремний n- и р-типа со сложной структурой контактов Cr/Au/Si3N4/SiO2, при этом использовался микромеханически расщепленный графен.

  2. In-text reference with the coordinate start=3060
    Prefix
    Фотодетектор обладал высокой чувствительностью до 435 мА/Вт и широким диапазоном регистрации электромагнитного излучения (400 нм < λ < 900 нм). Превосходные характеристики фотодетектора на гетеропереходе графен/кремний привели к публикации значительного числа работ на эту тему
    Exact
    [3–11]
    Suffix
    . В работах [3, 4] предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4].

  3. In-text reference with the coordinate start=3081
    Prefix
    Фотодетектор обладал высокой чувствительностью до 435 мА/Вт и широким диапазоном регистрации электромагнитного излучения (400 нм < λ < 900 нм). Превосходные характеристики фотодетектора на гетеропереходе графен/кремний привели к публикации значительного числа работ на эту тему [3–11]. В работах
    Exact
    [3, 4]
    Suffix
    предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4].

  4. In-text reference with the coordinate start=3374
    Prefix
    В работах [3, 4] предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор
    Exact
    [4]
    Suffix
    . В [5] разработан проект фотодетектора графен/кремний на длину волны 1.55 мкм и выполнены оценки квантовой эффективности устройства. В [6] исследованы спектральные характеристики фотодетектора графен/ кремний на пластинах p-Siи n-Si, а также приведены сравнительные характеристики фотодетектора MoS2-p-Si.

5
Casalino M., Sirleto L., Iodice M., Rao S., Coppola G. Schottky graphene/silicon photodetectors based on internal photoemission effect // In the proceedings of the 2015 Fotonica AEIT Italian Conference on Photonics Technologies. 2015. P. 4
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=1641
    Prefix
    Однако графен имеет низкую квантовую эффективность, поскольку поглощает только 2.3 % падающего на него света, поэтому графен используют совместно с полупроводником, например с кремнием
    Exact
    [1– 11]
    Suffix
    . Фотоэлектрические свойства фотодиода на барьере Шоттки, возникающего на контакте графен — кремний (Gr/Si), исследованы еще в 2011 г. в работе [1]. Для этого изготавливались структуры графен/кремний n- и р-типа со сложной структурой контактов Cr/Au/Si3N4/SiO2, при этом использовался микромеханически расщепленный графен.

  2. In-text reference with the coordinate start=3060
    Prefix
    Фотодетектор обладал высокой чувствительностью до 435 мА/Вт и широким диапазоном регистрации электромагнитного излучения (400 нм < λ < 900 нм). Превосходные характеристики фотодетектора на гетеропереходе графен/кремний привели к публикации значительного числа работ на эту тему
    Exact
    [3–11]
    Suffix
    . В работах [3, 4] предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4].

  3. In-text reference with the coordinate start=3382
    Prefix
    Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4]. В
    Exact
    [5]
    Suffix
    разработан проект фотодетектора графен/кремний на длину волны 1.55 мкм и выполнены оценки квантовой эффективности устройства. В [6] исследованы спектральные характеристики фотодетектора графен/ кремний на пластинах p-Siи n-Si, а также приведены сравнительные характеристики фотодетектора MoS2-p-Si.

6
Riazimehr S., Bablich A., Schneide D., Kataria S., Passi V., Yim C., Duesberg G.S., Lemme M. C. Spectral sensitivity of graphene/silicon heterojunction photodetectors // Solid State Electronics. 2015. V. 115. P. 207–212.
Total in-text references: 6
  1. In-text reference with the coordinate start=1641
    Prefix
    Однако графен имеет низкую квантовую эффективность, поскольку поглощает только 2.3 % падающего на него света, поэтому графен используют совместно с полупроводником, например с кремнием
    Exact
    [1– 11]
    Suffix
    . Фотоэлектрические свойства фотодиода на барьере Шоттки, возникающего на контакте графен — кремний (Gr/Si), исследованы еще в 2011 г. в работе [1]. Для этого изготавливались структуры графен/кремний n- и р-типа со сложной структурой контактов Cr/Au/Si3N4/SiO2, при этом использовался микромеханически расщепленный графен.

  2. In-text reference with the coordinate start=3060
    Prefix
    Фотодетектор обладал высокой чувствительностью до 435 мА/Вт и широким диапазоном регистрации электромагнитного излучения (400 нм < λ < 900 нм). Превосходные характеристики фотодетектора на гетеропереходе графен/кремний привели к публикации значительного числа работ на эту тему
    Exact
    [3–11]
    Suffix
    . В работах [3, 4] предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4].

  3. In-text reference with the coordinate start=3527
    Prefix
    Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4]. В [5] разработан проект фотодетектора графен/кремний на длину волны 1.55 мкм и выполнены оценки квантовой эффективности устройства. В
    Exact
    [6]
    Suffix
    исследованы спектральные характеристики фотодетектора графен/ кремний на пластинах p-Siи n-Si, а также приведены сравнительные характеристики фотодетектора MoS2-p-Si. Влияние химического легирования графена растворами AuCl3 и NH4F на высоту барьера Шоттки G/Si исследовано в [7].

  4. In-text reference with the coordinate start=5056
    Prefix
    усилия исследователей были направлены на улучшение характеристик детекторов, таких как чувствительность, ширина частотного диапазона, быстродействие и исследование физики процессов в гетеропереходах фотодетектора. Процесс изготовления графен-кремниевого фотодетектора оставался при этом достаточно сложным и включал несколько этапов. Например, в
    Exact
    [6]
    Suffix
    , на пластине кремния частично вытравливался слой SiO2 методом ультрафиолетовой фотолитографии, затем методом фотолитографии и вакуумным напылением формировались электрические контакты.

  5. In-text reference with the coordinate start=6051
    Prefix
    В его основе лежит способ переноса CVD-графена на полимерную подложку методом ламинирования, описанный в [12]. Несмотря на простоту, изготовленный таким методом фотодетектор не уступает по своим характеристикам фотодетекторам, представленным в
    Exact
    [2, 6]
    Suffix
    . экспеРиментальная часть Для изготовления фотодиода была использована прозрачная полимерная пленка для ламинирования с перенесенным CVD-графеном [12]. Полимерная пленка приклеивалась графеновой стороной к пластинке кремния методом термокомпрессии.

  6. In-text reference with the coordinate start=10946
    Prefix
    Темновые ВАХ фотодиода графен-кремний при разных температурах Рис. 3. Световые ВАХ при разной мощности облучения фотодиода графен-кремний на длине волны 520 нм, Т = 298 К Она отличается от аналогичных характеристик, полученных другими авторами
    Exact
    [2, 6, 10]
    Suffix
    . Как видно из графика (рис. 5), спектральная кривая имеет максимумы на длинах волн примерно 340, 700 и 900 нм. Возможно, что подъем кривой в области коротких длин волн вызван полимерной пленкой, покрывающей графен.

7
Tang X., Wu G., Zhang H., Wai K., Lai Ch. Tuning graphene/ silicon schottky barrier height by chemical doping // In the proceedings of the 15th IEEE International Conference on Nanotechnology. 2015. P. 1250–1253.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=1641
    Prefix
    Однако графен имеет низкую квантовую эффективность, поскольку поглощает только 2.3 % падающего на него света, поэтому графен используют совместно с полупроводником, например с кремнием
    Exact
    [1– 11]
    Suffix
    . Фотоэлектрические свойства фотодиода на барьере Шоттки, возникающего на контакте графен — кремний (Gr/Si), исследованы еще в 2011 г. в работе [1]. Для этого изготавливались структуры графен/кремний n- и р-типа со сложной структурой контактов Cr/Au/Si3N4/SiO2, при этом использовался микромеханически расщепленный графен.

  2. In-text reference with the coordinate start=3060
    Prefix
    Фотодетектор обладал высокой чувствительностью до 435 мА/Вт и широким диапазоном регистрации электромагнитного излучения (400 нм < λ < 900 нм). Превосходные характеристики фотодетектора на гетеропереходе графен/кремний привели к публикации значительного числа работ на эту тему
    Exact
    [3–11]
    Suffix
    . В работах [3, 4] предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4].

  3. In-text reference with the coordinate start=3827
    Prefix
    В [6] исследованы спектральные характеристики фотодетектора графен/ кремний на пластинах p-Siи n-Si, а также приведены сравнительные характеристики фотодетектора MoS2-p-Si. Влияние химического легирования графена растворами AuCl3 и NH4F на высоту барьера Шоттки G/Si исследовано в
    Exact
    [7]
    Suffix
    . Использование межфазного оксидного слоя SiO2 между кремнием и графеном позволило снизить темновой ток фотодиода на два порядка без потери чувствительности [8]. Влияние паразитного конденсатора, образованного оксидным слоем SiO2, и включенным параллельно гетеропереходу G/Si, на характеристики фотодетектора рассмотрено в [9].

8
Li X., Zhu M., Du M., Lv Z., Zhang L., Li Y., Yang Y., Yang T., Li X., Wang K., Zhu H., Fang Y. High detectivity graphene-silicon heterojunction photodetector // Small. 2016. V. 12. No 5. P. 595–601.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=1641
    Prefix
    Однако графен имеет низкую квантовую эффективность, поскольку поглощает только 2.3 % падающего на него света, поэтому графен используют совместно с полупроводником, например с кремнием
    Exact
    [1– 11]
    Suffix
    . Фотоэлектрические свойства фотодиода на барьере Шоттки, возникающего на контакте графен — кремний (Gr/Si), исследованы еще в 2011 г. в работе [1]. Для этого изготавливались структуры графен/кремний n- и р-типа со сложной структурой контактов Cr/Au/Si3N4/SiO2, при этом использовался микромеханически расщепленный графен.

  2. In-text reference with the coordinate start=3060
    Prefix
    Фотодетектор обладал высокой чувствительностью до 435 мА/Вт и широким диапазоном регистрации электромагнитного излучения (400 нм < λ < 900 нм). Превосходные характеристики фотодетектора на гетеропереходе графен/кремний привели к публикации значительного числа работ на эту тему
    Exact
    [3–11]
    Suffix
    . В работах [3, 4] предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4].

  3. In-text reference with the coordinate start=4000
    Prefix
    Влияние химического легирования графена растворами AuCl3 и NH4F на высоту барьера Шоттки G/Si исследовано в [7]. Использование межфазного оксидного слоя SiO2 между кремнием и графеном позволило снизить темновой ток фотодиода на два порядка без потери чувствительности
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Влияние паразитного конденсатора, образованного оксидным слоем SiO2, и включенным параллельно гетеропереходу G/Si, на характеристики фотодетектора рассмотрено в [9]. Нанесение антиотражающего слоя Al2O3 поверх графена на гетеропереходе G/Si увеличило чувствительность фотодетектора до 0.14 A/Вт в ультрафиолетовом спектральном диапазоне от 200 до 400

9
Luongo G., Giubileo F., Genovese L., Iemmo L., Martuccielloand N., Bartolomeo A. Di. I-V and C-V characterization of a high-responsivity graphene/silicon photodiode with embedded MOS capacitor // Nanomaterials. 2017. V. 7. P. 158.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=1641
    Prefix
    Однако графен имеет низкую квантовую эффективность, поскольку поглощает только 2.3 % падающего на него света, поэтому графен используют совместно с полупроводником, например с кремнием
    Exact
    [1– 11]
    Suffix
    . Фотоэлектрические свойства фотодиода на барьере Шоттки, возникающего на контакте графен — кремний (Gr/Si), исследованы еще в 2011 г. в работе [1]. Для этого изготавливались структуры графен/кремний n- и р-типа со сложной структурой контактов Cr/Au/Si3N4/SiO2, при этом использовался микромеханически расщепленный графен.

  2. In-text reference with the coordinate start=3060
    Prefix
    Фотодетектор обладал высокой чувствительностью до 435 мА/Вт и широким диапазоном регистрации электромагнитного излучения (400 нм < λ < 900 нм). Превосходные характеристики фотодетектора на гетеропереходе графен/кремний привели к публикации значительного числа работ на эту тему
    Exact
    [3–11]
    Suffix
    . В работах [3, 4] предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4].

  3. In-text reference with the coordinate start=4184
    Prefix
    Использование межфазного оксидного слоя SiO2 между кремнием и графеном позволило снизить темновой ток фотодиода на два порядка без потери чувствительности [8]. Влияние паразитного конденсатора, образованного оксидным слоем SiO2, и включенным параллельно гетеропереходу G/Si, на характеристики фотодетектора рассмотрено в
    Exact
    [9]
    Suffix
    . Нанесение антиотражающего слоя Al2O3 поверх графена на гетеропереходе G/Si увеличило чувствительность фотодетектора до 0.14 A/Вт в ультрафиолетовом спектральном диапазоне от 200 до 400 нм [10].

10
Wan X., Xu Y., Guo H. A self-powered high-performance graphene/silicon ultraviolet photodetector with ultra-shallow junction: breaking the limit of silicon? // NPJ 2D Materials and Applications. 2017. V. 4. P. 1–8.
Total in-text references: 5
  1. In-text reference with the coordinate start=1641
    Prefix
    Однако графен имеет низкую квантовую эффективность, поскольку поглощает только 2.3 % падающего на него света, поэтому графен используют совместно с полупроводником, например с кремнием
    Exact
    [1– 11]
    Suffix
    . Фотоэлектрические свойства фотодиода на барьере Шоттки, возникающего на контакте графен — кремний (Gr/Si), исследованы еще в 2011 г. в работе [1]. Для этого изготавливались структуры графен/кремний n- и р-типа со сложной структурой контактов Cr/Au/Si3N4/SiO2, при этом использовался микромеханически расщепленный графен.

  2. In-text reference with the coordinate start=3060
    Prefix
    Фотодетектор обладал высокой чувствительностью до 435 мА/Вт и широким диапазоном регистрации электромагнитного излучения (400 нм < λ < 900 нм). Превосходные характеристики фотодетектора на гетеропереходе графен/кремний привели к публикации значительного числа работ на эту тему
    Exact
    [3–11]
    Suffix
    . В работах [3, 4] предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4].

  3. In-text reference with the coordinate start=4402
    Prefix
    Нанесение антиотражающего слоя Al2O3 поверх графена на гетеропереходе G/Si увеличило чувствительность фотодетектора до 0.14 A/Вт в ультрафиолетовом спектральном диапазоне от 200 до 400 нм
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Пространственное сканирование фототока в гибридном фотодиоде G/Si, G/SiO2, Cr/Au, выявило особенности физических процессов в гетеропереходах [11]. Как видно из краткого обзора работ по графен-кремниевым фотодетекторам, основные усилия исследователей были направлены на улучшение характеристик детекторов, таких как чувствительность, ширина частотног

  4. In-text reference with the coordinate start=10946
    Prefix
    Темновые ВАХ фотодиода графен-кремний при разных температурах Рис. 3. Световые ВАХ при разной мощности облучения фотодиода графен-кремний на длине волны 520 нм, Т = 298 К Она отличается от аналогичных характеристик, полученных другими авторами
    Exact
    [2, 6, 10]
    Suffix
    . Как видно из графика (рис. 5), спектральная кривая имеет максимумы на длинах волн примерно 340, 700 и 900 нм. Возможно, что подъем кривой в области коротких длин волн вызван полимерной пленкой, покрывающей графен.

  5. In-text reference with the coordinate start=11227
    Prefix
    Как видно из графика (рис. 5), спектральная кривая имеет максимумы на длинах волн примерно 340, 700 и 900 нм. Возможно, что подъем кривой в области коротких длин волн вызван полимерной пленкой, покрывающей графен. Аналогичный эффект наблюдался в работе
    Exact
    [10]
    Suffix
    , когда поверх графена напылялся тонкий слой Al2O3. Заключение Метод ламинирования позволяет значительно упростить изготовление графен-кремниевого фотодиода. Это открывает возможность повторения конструкции широким кругом исследователей.

11
Riazimehr S.; Kataria S.; Bornemann R.; Bolivar H. P., Ruiz F.J.G., Engström O., Godo, A., Lemme M.C. High photocurrent in gated graphene–silicon hybrid photodiodes // ACS Photonics. 2017. V. 4. No 6. P. 1506–1514.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=1641
    Prefix
    Однако графен имеет низкую квантовую эффективность, поскольку поглощает только 2.3 % падающего на него света, поэтому графен используют совместно с полупроводником, например с кремнием
    Exact
    [1– 11]
    Suffix
    . Фотоэлектрические свойства фотодиода на барьере Шоттки, возникающего на контакте графен — кремний (Gr/Si), исследованы еще в 2011 г. в работе [1]. Для этого изготавливались структуры графен/кремний n- и р-типа со сложной структурой контактов Cr/Au/Si3N4/SiO2, при этом использовался микромеханически расщепленный графен.

  2. In-text reference with the coordinate start=3060
    Prefix
    Фотодетектор обладал высокой чувствительностью до 435 мА/Вт и широким диапазоном регистрации электромагнитного излучения (400 нм < λ < 900 нм). Превосходные характеристики фотодетектора на гетеропереходе графен/кремний привели к публикации значительного числа работ на эту тему
    Exact
    [3–11]
    Suffix
    . В работах [3, 4] предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4].

  3. In-text reference with the coordinate start=4566
    Prefix
    Нанесение антиотражающего слоя Al2O3 поверх графена на гетеропереходе G/Si увеличило чувствительность фотодетектора до 0.14 A/Вт в ультрафиолетовом спектральном диапазоне от 200 до 400 нм [10]. Пространственное сканирование фототока в гибридном фотодиоде G/Si, G/SiO2, Cr/Au, выявило особенности физических процессов в гетеропереходах
    Exact
    [11]
    Suffix
    . Как видно из краткого обзора работ по графен-кремниевым фотодетекторам, основные усилия исследователей были направлены на улучшение характеристик детекторов, таких как чувствительность, ширина частотного диапазона, быстродействие и исследование физики процессов в гетеропереходах фотодетектора.

12
Тимофеев В.Б., Попов В.И., Николаев Д.В., Тимофеева Т.Е., Смагулова С.А. Получение прозрачных проводящих пленок из CVD-графена методом ламинирования и их характеризация // Российские нанотехнологии. 2017. Т.12. No 1–2. С. 49–52.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=5904
    Prefix
    В этой работе предложен простой метод изготовления графенкремниевого фотодетектора. В его основе лежит способ переноса CVD-графена на полимерную подложку методом ламинирования, описанный в
    Exact
    [12]
    Suffix
    . Несмотря на простоту, изготовленный таким методом фотодетектор не уступает по своим характеристикам фотодетекторам, представленным в [2, 6]. экспеРиментальная часть Для изготовления фотодиода была использована прозрачная полимерная пленка для ламинирования с перенесенным CVD-графеном [12].

  2. In-text reference with the coordinate start=6221
    Prefix
    Несмотря на простоту, изготовленный таким методом фотодетектор не уступает по своим характеристикам фотодетекторам, представленным в [2, 6]. экспеРиментальная часть Для изготовления фотодиода была использована прозрачная полимерная пленка для ламинирования с перенесенным CVD-графеном
    Exact
    [12]
    Suffix
    . Полимерная пленка приклеивалась графеновой стороной к пластинке кремния методом термокомпрессии. Серебряной пастой наносились контакты на графен и кремний, высушивались, и фотодиод был готов (рис. 1).

  3. In-text reference with the coordinate start=6738
    Prefix
    Термокомпрессия представляла собой такой же процесс ламинирования, как и приклеивание медной фольги с осажРис. 1. Графен-кремниевый фотодиод, изготовленный методом ламинирования денным CVD-графеном к полимерной пленке
    Exact
    [12]
    Suffix
    . Пленка с CVD-графеном равномерно прижималась к пластинке кремния с усилием примерно 104 Н/м2 и нагревалась до 110 °С. После остывания получался достаточно прочный механический и электрический контакт CVD-графена с кремнием.