The 17 references with contexts in paper В. Полякова В., В. Смирнов А., О. Агеев А. (2018) “ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ НАНОРАЗМЕРНОГО ПРОФИЛИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ЛОКАЛЬНОГО АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ” / spz:neicon:nanorf:y:2018:i:2:p:87-92

1
Неволин В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике. М.: Техносфера. 2014. 176 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1805
    Prefix
    Одной из основных проблем при изготовлении элементов наноэлектроники является необходимость совершенствования методов литографии, которые должны обеспечивать точность и воспроизводимость изготовления наноразмерных структур
    Exact
    [1–4]
    Suffix
    . Одним из перспективных методов литографии является локальное анодное окисление (ЛАО), которое обеспечивает высокое пространственное разрешение и воспроизводимость, а также возможность прямой модификации поверхности подложки без дополнительных операций, характерных для фотолитографии [5].

2
Mohammad B., Jaoude M.A., Kumar V., Homouz D.M.A., Nahla H.A., Al-Qutayri M., Christoforou N. State of the art of metal oxide memristor devices // Nanotechnol Rev 2015. V. 3. No 5. P. 301–309.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1805
    Prefix
    Одной из основных проблем при изготовлении элементов наноэлектроники является необходимость совершенствования методов литографии, которые должны обеспечивать точность и воспроизводимость изготовления наноразмерных структур
    Exact
    [1–4]
    Suffix
    . Одним из перспективных методов литографии является локальное анодное окисление (ЛАО), которое обеспечивает высокое пространственное разрешение и воспроизводимость, а также возможность прямой модификации поверхности подложки без дополнительных операций, характерных для фотолитографии [5].

3
Avilov V.I, Ageev O.A., Kolomiitsev A.S., Konoplev B.G., Smirnov V.A. Th e formation and study of the memristors matrix based on titanium oxide by using probe nanotechnologies methods // Semiconductors. 2014. V. 48. No 13. P. 1757–1762.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1805
    Prefix
    Одной из основных проблем при изготовлении элементов наноэлектроники является необходимость совершенствования методов литографии, которые должны обеспечивать точность и воспроизводимость изготовления наноразмерных структур
    Exact
    [1–4]
    Suffix
    . Одним из перспективных методов литографии является локальное анодное окисление (ЛАО), которое обеспечивает высокое пространственное разрешение и воспроизводимость, а также возможность прямой модификации поверхности подложки без дополнительных операций, характерных для фотолитографии [5].

4
Авилов В.И., Агеев О.А., Смирнов В.А., Солодовник М.С., Цуканова О.Г. Исследование режимов наноразмерного профилирования поверхности эпитаксиальных структур арсенида галлия методом локального анодного окисления // Российские нанотехнологии. 2015. Т. 10. No 3–4. С. 42–46.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1805
    Prefix
    Одной из основных проблем при изготовлении элементов наноэлектроники является необходимость совершенствования методов литографии, которые должны обеспечивать точность и воспроизводимость изготовления наноразмерных структур
    Exact
    [1–4]
    Suffix
    . Одним из перспективных методов литографии является локальное анодное окисление (ЛАО), которое обеспечивает высокое пространственное разрешение и воспроизводимость, а также возможность прямой модификации поверхности подложки без дополнительных операций, характерных для фотолитографии [5].

5
Chung T.H., Liao W.H., Lin S.Y. Th e fabrication of nanomesas and nanometal contacts by using atomic force microscopy lithography // J. Appl. Phys. 2010. V. 108. No 9. P. 094316.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2116
    Prefix
    Одним из перспективных методов литографии является локальное анодное окисление (ЛАО), которое обеспечивает высокое пространственное разрешение и воспроизводимость, а также возможность прямой модификации поверхности подложки без дополнительных операций, характерных для фотолитографии
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Метод ЛАО позволяет формировать оксидные наноразмерные структуры (ОНС) на поверхности различных материалов, которые могут быть применены при разработке и создании элементов микро- и наноэлектроники, элементов резистивной памяти на основе мемристорных структур, литографических масок, а также каталитических центров для выращивания нитевидных наностру

6
Chew Z.J., Li L. A discrete memristor made of ZnO nanowires synthesized on printed circuit board // Mater. Let. 2013. V. 91. P. 298–300.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2524
    Prefix
    ЛАО позволяет формировать оксидные наноразмерные структуры (ОНС) на поверхности различных материалов, которые могут быть применены при разработке и создании элементов микро- и наноэлектроники, элементов резистивной памяти на основе мемристорных структур, литографических масок, а также каталитических центров для выращивания нитевидных наноструктур
    Exact
    [6–11]
    Suffix
    . Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле [9–11].

7
Ghenzi N., Rubi D.,.Mangano E., Gimenez G., Lell J., Zelcer A., Stoliar P., Levy P., Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions // Th in Solid Films. 2014. V. 550. P. 683– 688.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2524
    Prefix
    ЛАО позволяет формировать оксидные наноразмерные структуры (ОНС) на поверхности различных материалов, которые могут быть применены при разработке и создании элементов микро- и наноэлектроники, элементов резистивной памяти на основе мемристорных структур, литографических масок, а также каталитических центров для выращивания нитевидных наноструктур
    Exact
    [6–11]
    Suffix
    . Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле [9–11].

8
Rius G., Lorenzoni M., Matsui1 S., Tanemura1 M., Perez-Murano F. Boosting the local anodic oxidation of silicon through carbon nanofi ber atomic force microscopy probes // Beilstein J. Nanotechnol. 2015. V. 6. P. 215–222.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2524
    Prefix
    ЛАО позволяет формировать оксидные наноразмерные структуры (ОНС) на поверхности различных материалов, которые могут быть применены при разработке и создании элементов микро- и наноэлектроники, элементов резистивной памяти на основе мемристорных структур, литографических масок, а также каталитических центров для выращивания нитевидных наноструктур
    Exact
    [6–11]
    Suffix
    . Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле [9–11].

9
Soea A.K., Nahavandia S., Khoshmanesh K. Neuroscience goes on a chip // Biosensors Bioelectronics Article. 2012. V. 1. No 35. P. 1–13.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2524
    Prefix
    ЛАО позволяет формировать оксидные наноразмерные структуры (ОНС) на поверхности различных материалов, которые могут быть применены при разработке и создании элементов микро- и наноэлектроники, элементов резистивной памяти на основе мемристорных структур, литографических масок, а также каталитических центров для выращивания нитевидных наноструктур
    Exact
    [6–11]
    Suffix
    . Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле [9–11].

  2. In-text reference with the coordinate start=2759
    Prefix
    Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле
    Exact
    [9–11]
    Suffix
    . Однако, несмотря на достаточно большое количество научных публикации по данной проблеме [11–14], закономерности влияния технологических режимов локального анодного окисления на геометрические параметры профилированных наноразмерных структур на поверхности кремния остаются недостаточно изученными.

10
Giannitsis A.T., Microfabrication of biomedical lab-on-chip devices // Estonian J. Engin. 2011. V. 17. P. 109–139.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2524
    Prefix
    ЛАО позволяет формировать оксидные наноразмерные структуры (ОНС) на поверхности различных материалов, которые могут быть применены при разработке и создании элементов микро- и наноэлектроники, элементов резистивной памяти на основе мемристорных структур, литографических масок, а также каталитических центров для выращивания нитевидных наноструктур
    Exact
    [6–11]
    Suffix
    . Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле [9–11].

  2. In-text reference with the coordinate start=2759
    Prefix
    Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле
    Exact
    [9–11]
    Suffix
    . Однако, несмотря на достаточно большое количество научных публикации по данной проблеме [11–14], закономерности влияния технологических режимов локального анодного окисления на геометрические параметры профилированных наноразмерных структур на поверхности кремния остаются недостаточно изученными.

11
Panajotović R. Cleaning silicon and gold-coated substrates for SPM measurements // European network on applications of Atomic Force Microscopy to NanoMedicine and Life Sciences, 2013. www.afm4nanomedbio.eu.
Total in-text references: 4
  1. In-text reference with the coordinate start=2524
    Prefix
    ЛАО позволяет формировать оксидные наноразмерные структуры (ОНС) на поверхности различных материалов, которые могут быть применены при разработке и создании элементов микро- и наноэлектроники, элементов резистивной памяти на основе мемристорных структур, литографических масок, а также каталитических центров для выращивания нитевидных наноструктур
    Exact
    [6–11]
    Suffix
    . Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле [9–11].

  2. In-text reference with the coordinate start=2759
    Prefix
    Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле
    Exact
    [9–11]
    Suffix
    . Однако, несмотря на достаточно большое количество научных публикации по данной проблеме [11–14], закономерности влияния технологических режимов локального анодного окисления на геометрические параметры профилированных наноразмерных структур на поверхности кремния остаются недостаточно изученными.

  3. In-text reference with the coordinate start=2854
    Prefix
    Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле [9–11]. Однако, несмотря на достаточно большое количество научных публикации по данной проблеме
    Exact
    [11–14]
    Suffix
    , закономерности влияния технологических режимов локального анодного окисления на геометрические параметры профилированных наноразмерных структур на поверхности кремния остаются недостаточно изученными.

  4. In-text reference with the coordinate start=4072
    Prefix
    При проведении исследований использовались подложки кремния КЭФ-0.1 (100), которые проходили очистку в ацетоне и изопропиловом спирте при температуре 70 °C в течение 10 минут, а также обработки в водном растворе HF (10 %) в течение 30 секунд
    Exact
    [11]
    Suffix
    . Затем с использованием зондовой нанолаборатории (ЗНЛ) Ntegra (ЗАО «НТ-МДТ», Россия) проводилась нанолитография методом ЛАО поверхности кремния в контактном режиме атомно-силовой микроскопии (АСМ) кантилеверами марки NSG 11 с проводящим покрытием из Pt при следующих параметрах: амплитуда импульсов напряжения изменялась от 5 до 20 В, длительность импульсов напря

12
Avilov V.I., Ageev O.A., Blinov Yu.F., Konoplev B.G., Polyakov V.V., Smirnov V.A., Tsukanova O.G., Simulation of the formation of nanosize oxide structures by local anode oxidation of the metal surface // Technical Physics. 2015. V. 60. No 5. P. 717–723.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2854
    Prefix
    Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле [9–11]. Однако, несмотря на достаточно большое количество научных публикации по данной проблеме
    Exact
    [11–14]
    Suffix
    , закономерности влияния технологических режимов локального анодного окисления на геометрические параметры профилированных наноразмерных структур на поверхности кремния остаются недостаточно изученными.

13
Ageev O.A., Smirnov V.A., Solodovnik M.S., Rukomoikin A.V., Avilov V.I. A study of the formation modes of nanosized oxide structures of gallium arsenide by local anodic oxidation // Semiconductors. 2012. V. 46. No 94. P. 1616–1621.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2854
    Prefix
    Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле [9–11]. Однако, несмотря на достаточно большое количество научных публикации по данной проблеме
    Exact
    [11–14]
    Suffix
    , закономерности влияния технологических режимов локального анодного окисления на геометрические параметры профилированных наноразмерных структур на поверхности кремния остаются недостаточно изученными.

14
Агеев А.О., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. Зондовая фотонно-стимулированная нанолитография структур на основе пленки титана // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. No 6. С. 403–408.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2854
    Prefix
    Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле [9–11]. Однако, несмотря на достаточно большое количество научных публикации по данной проблеме
    Exact
    [11–14]
    Suffix
    , закономерности влияния технологических режимов локального анодного окисления на геометрические параметры профилированных наноразмерных структур на поверхности кремния остаются недостаточно изученными.

15
Агеев О.А., Смирнов В.А. Методика выполнения измерений геометрических параметров массивов оксидных наноразмерных структур методом атомно-силовой микроскопии // МВИ 2009. Т. 2. No 94. С. 43–50.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5845
    Prefix
    Исследование морфологии поверхности структур проводилось методом атомно-силовой микроскопии в контактном режиме методом АСМ с использованием кантилеверов NSG 11. Обработка АСМ-изображений, включая деконволюцию и статистическую обработку, проводилась с использованием программного пакета Image Analysis 3.5 по разработанной методике
    Exact
    [15]
    Suffix
    . РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ По результатам обработки АСМ изображений получены зависимости геометрических параметров ОНС (высоты и диаметра) и ПНС (глубины и диаметра) от амплитуды импульсов напряжения и относительной влажности (рис. 3, 4).

16
Шевяков В.И. Локальное зондовое окисление. Основные проблемы // Известия ЮФУ. Технические науки. 2011. Т. 117. No 4. С. 35–39.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6858
    Prefix
    АСМ-изображения поверхности: А, Г — после формирования ОНС методом ЛАО; Б, Д — после формирования ПНС; В, Е — профилограммы вдоль линий на А, Б, Г, Д ности потока ионов кислорода к реакционной области при увеличении напряженности электрического поля в зазоре зонд — подложка
    Exact
    [16]
    Suffix
    . На рис. 4 представлены зависимости геометрических параметров ОНС и ПНС, полученных при напряжении 10 и 15 В, при различной относительной влажности. Увеличение уровня относительной влажности приводит к увеличению геометрических размеров ОНС и ПНС, что объясняется увеличением концентрации окислителя.

17
Волков А.И., Жарский И.М. Большой химический справочник. Минск: Современная школа. 2005. 139 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9007
    Prefix
    Используя данное соотношение, можно оценить плотность оксидного материала, получаемого методом ЛАО. Анализ показал, что для полученных отношений hОНС/hПНС значения плотности оксидного материала составляют 2.31 и 2.32 г/см3 что хорошо согласуется с плотностью диоксида кремния
    Exact
    [17]
    Suffix
    . Полученные зависимости (рис. 5) показывают однозначное соответствие и хорошую корреляцию геометрических параметров ОНС и ПНС, что позволяет, задавая параметры ОНС, контролировать параметры ПНС.