The 18 references with contexts in paper А. Белов Н., А. Голишников А., М. Кислицин В., А. Перевалов А., А. Солнышкин В., В. Шевяков И. (2018) “ФОРМИРОВАНИЕ МАССИВА МЕМРИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ САМООРГАНИЗУЮЩЕЙСЯ МАТРИЦЫ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ” / spz:neicon:nanorf:y:2018:i:2:p:36-40

1
Chua L.O. Resistance switching memories are memristors // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 102. No 4. P. 765–783.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1738
    Prefix
    Одним из перспективных объектов исследований в настоящее время являются мемристоры. Мемристорами называются все энергонезависимые двухполюсные запоминающие устройства, основанные на переключении сопротивления
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Данный тип энергонезависимой памяти появился в момент, когда существующие технологии начали сталкиваться с проблемами масштабирования, чем подтолкнули исследователей искать альтернативные решения.

2
Waser R., Aono M. Nanoionics-based resistive switching memories // Nature. Mater. 2007. V. 6. P. 833−840.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2086
    Prefix
    Данный тип энергонезависимой памяти появился в момент, когда существующие технологии начали сталкиваться с проблемами масштабирования, чем подтолкнули исследователей искать альтернативные решения. Мемристоры как раз характеризуются высокой плотностью упаковки, малой мощностью потребления, возможностью масштабирования
    Exact
    [2–4]
    Suffix
    . В настоящее время обозначились три наиболее перспективных направления развития массивов мемристорных структур: на основе халькогенидов, оксидов металлов, твердых электролитов.

3
Yang J.J., Strukov D.B., Stewart D.R. Memristive devices for computing // Nature. Nanotechnol. 2013. V. 8. P. 13–24.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2086
    Prefix
    Данный тип энергонезависимой памяти появился в момент, когда существующие технологии начали сталкиваться с проблемами масштабирования, чем подтолкнули исследователей искать альтернативные решения. Мемристоры как раз характеризуются высокой плотностью упаковки, малой мощностью потребления, возможностью масштабирования
    Exact
    [2–4]
    Suffix
    . В настоящее время обозначились три наиболее перспективных направления развития массивов мемристорных структур: на основе халькогенидов, оксидов металлов, твердых электролитов.

4
Белов А.Н., Перевалов А.А., Шевяков В.И. Мемристорные структуры для микро- и наноэлектроники. Физика и технология // Изв. вузов. Электроника. 2017. Т. 22. No 4. С. 305–321.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2086
    Prefix
    Данный тип энергонезависимой памяти появился в момент, когда существующие технологии начали сталкиваться с проблемами масштабирования, чем подтолкнули исследователей искать альтернативные решения. Мемристоры как раз характеризуются высокой плотностью упаковки, малой мощностью потребления, возможностью масштабирования
    Exact
    [2–4]
    Suffix
    . В настоящее время обозначились три наиболее перспективных направления развития массивов мемристорных структур: на основе халькогенидов, оксидов металлов, твердых электролитов.

  2. In-text reference with the coordinate start=2354
    Prefix
    В настоящее время обозначились три наиболее перспективных направления развития массивов мемристорных структур: на основе халькогенидов, оксидов металлов, твердых электролитов. Интенсивно развиваются технологии создания данных структур
    Exact
    [4]
    Suffix
    . Для создания массивов мемристорных структур ряд исследователей используют до последнего времени самоорганизующиеся наноструктуры [5, 6]. Простым и воспроизводимым способом организации адресации к ячейкам резистивных переключателей является использование перекрестных шин [7, 8].

5
Qi J., Olmedo M., Ren J., Zhan N., Zhao J., Zheng J., Liu J. Resistive switching in single epitaxial ZnO nanoislands // ACS Nano. 2012. V. 6. P. 1051–1058.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2505
    Prefix
    Интенсивно развиваются технологии создания данных структур [4]. Для создания массивов мемристорных структур ряд исследователей используют до последнего времени самоорганизующиеся наноструктуры
    Exact
    [5, 6]
    Suffix
    . Простым и воспроизводимым способом организации адресации к ячейкам резистивных переключателей является использование перекрестных шин [7, 8]. В этом смысле при использовании самоорганизующихся наноструктур достаточным является создание квазиупорядоченного массива изолированных наночастиц, с каждой стороны которого будет возможно сформировать проводящие электро

6
Ahn Y., Son J.Y. Th e eff ect of size on the resistive switching characteristics of NiO nanodots // J. Phys. Chem. Solids. 2016. V. 99. P. 134–137.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2505
    Prefix
    Интенсивно развиваются технологии создания данных структур [4]. Для создания массивов мемристорных структур ряд исследователей используют до последнего времени самоорганизующиеся наноструктуры
    Exact
    [5, 6]
    Suffix
    . Простым и воспроизводимым способом организации адресации к ячейкам резистивных переключателей является использование перекрестных шин [7, 8]. В этом смысле при использовании самоорганизующихся наноструктур достаточным является создание квазиупорядоченного массива изолированных наночастиц, с каждой стороны которого будет возможно сформировать проводящие электро

7
Borghetti J., Snider G.S., Kuekes P.J., Yang J.J., Stewart D.R., Williams R.S. Memristive switches enable stateful logic operations via material implication // Nature. 2010. V. 464. P. 573–576.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2664
    Prefix
    Для создания массивов мемристорных структур ряд исследователей используют до последнего времени самоорганизующиеся наноструктуры [5, 6]. Простым и воспроизводимым способом организации адресации к ячейкам резистивных переключателей является использование перекрестных шин
    Exact
    [7, 8]
    Suffix
    . В этом смысле при использовании самоорганизующихся наноструктур достаточным является создание квазиупорядоченного массива изолированных наночастиц, с каждой стороны которого будет возможно сформировать проводящие электроды.

8
Xia Q., Robinett W., Cumbie M.W., Banerjee N., Cardinali T.J., Yang J.J., Wu W., Li X., Tong W.M., Strukov D.B., Snider G.S., Medeiros-Ribeiro G., Williams R.S. Memristor-CMOS hybrid integrated for reconfi gurable logic // Nano Lett. 2009. V. 9. P. 3640–3645.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2664
    Prefix
    Для создания массивов мемристорных структур ряд исследователей используют до последнего времени самоорганизующиеся наноструктуры [5, 6]. Простым и воспроизводимым способом организации адресации к ячейкам резистивных переключателей является использование перекрестных шин
    Exact
    [7, 8]
    Suffix
    . В этом смысле при использовании самоорганизующихся наноструктур достаточным является создание квазиупорядоченного массива изолированных наночастиц, с каждой стороны которого будет возможно сформировать проводящие электроды.

9
Martínez L., Ocampo O., Kumar Y. Agarwal V. ZnO-porous silicon nanocomposite for possible memristive device fabrication // Nanoscale Res. Let. 2014. V. 9. P. 437–443.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3112
    Prefix
    Для создания квазиупорядоченного массива изолированных наночастиц используют пористые самоорганизующиеся матрицы, такие как пористый кремний, пористый оксид алюминия и т.д. В работах
    Exact
    [9, 10]
    Suffix
    сформированы массивы резистивных переключателей на основе ZnO и NiO, встроенные в поры анодированного кремния. Однако пористый кремний отличается невысокой воспроизводимостью и значительной дисперсией его геометрических параметров, а также сложностью формирования двухсторонней металлизации.

10
Mares J.W., Fain J.S., Weiss S.M. Variable conductivity of nanocomposite nickel oxide/porous silicon // Phys. Rev. B. 2013. V. 88. P. 075307.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3112
    Prefix
    Для создания квазиупорядоченного массива изолированных наночастиц используют пористые самоорганизующиеся матрицы, такие как пористый кремний, пористый оксид алюминия и т.д. В работах
    Exact
    [9, 10]
    Suffix
    сформированы массивы резистивных переключателей на основе ZnO и NiO, встроенные в поры анодированного кремния. Однако пористый кремний отличается невысокой воспроизводимостью и значительной дисперсией его геометрических параметров, а также сложностью формирования двухсторонней металлизации.

11
Веденеев А.С., Рыльков В.В., Напольский К.С., Леонтьев А.П., Клименко А.А., Козлов А.М., Лузанов В.А., Николаев С.Н., Темирязева М.П., Бугаев А.С. Эффекты электронного увлечения золота в порах анодного оксида алюминия: обратимое резистивное переключение в цепочке точечных контактов // Письма в ЖЭТФ. 2017. Т. 106. No 6. С. 387–391.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3763
    Prefix
    С точки зрения упорядоченности периодической наноструктуры, а также воспроизводимости и высокоточного управления геометрическими параметрами пор подходящим материалом является пористый анодный оксид алюминия. Созданию резистивных переключателей в порах анодного оксида алюминия посвящен ряд работ. В
    Exact
    [11]
    Suffix
    предложен оригинальным метод создания массива мемристорных структур на основе анодного оксида алюминия с порами, не до конца заполненными нанонитями золота (Au/анодный оксид алюминия(Au)/ зонд).

12
Liang K., Huang C., Lai C., Huang J., Tsai H., Wang Yi., Shin Yu., Chang M., Lo S., Chueh Yu. Single CuOx nanowire memristor: forming-free resistive switching behavior // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2014. V. 6. P. 16537−16544.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=4348
    Prefix
    Авторами обнаружен эффект влияния электрического поля на перенос материала тыльного Au-электрода и последующий рост металла в незаполненной части пор оксидной матрицы в виде цепочек из островков золота Структуры продемонстрировали обратимое резистивное переключение между низкоомным (1 МОм) и высокоомным (>100 ГОм) состояниями. В работах
    Exact
    [12, 13]
    Suffix
    нитевидные трехслойные нитевидные нанокристаллы Ni–Ag2Se–Ni и Cu–CuO–Cu формировали электрохимическим осаждением в наноразмерных порах алюмооксидных сквозных мембран с нанесенной с одной стороны металлической пленкой.

13
Lee N.J., An B.H, Koo A.Y., Ji H.M., Cho J.W., Choi J., Kim K.K., Ka ng C.J. Resistive switching behavior in a Ni–Ag2Se–Ni nanowire // Appl. Phys. A. 2011. V. 102. P. 897–900.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=4348
    Prefix
    Авторами обнаружен эффект влияния электрического поля на перенос материала тыльного Au-электрода и последующий рост металла в незаполненной части пор оксидной матрицы в виде цепочек из островков золота Структуры продемонстрировали обратимое резистивное переключение между низкоомным (1 МОм) и высокоомным (>100 ГОм) состояниями. В работах
    Exact
    [12, 13]
    Suffix
    нитевидные трехслойные нитевидные нанокристаллы Ni–Ag2Se–Ni и Cu–CuO–Cu формировали электрохимическим осаждением в наноразмерных порах алюмооксидных сквозных мембран с нанесенной с одной стороны металлической пленкой.

14
Han U., Lee J. Bottom-up synthesis of ordered metal/oxide/ metal nanodots on substrates for nanoscale resistive switching memory // Scientifi c Rep. 2016. V. 6. P. 25537.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=4749
    Prefix
    12, 13] нитевидные трехслойные нитевидные нанокристаллы Ni–Ag2Se–Ni и Cu–CuO–Cu формировали электрохимическим осаждением в наноразмерных порах алюмооксидных сквозных мембран с нанесенной с одной стороны металлической пленкой. Подобные структуры являются хрупкими и характеризуются низкой стойкостью к дальнейшей механической и термической обработке. В работе
    Exact
    [14]
    Suffix
    пористый оксидный слой формировали на проводящей подложке, позволяющей решить проблему хрупкости. Однако необходимо отметить, что при дальнейшей обработке в структуре пористого оксида алюминия образуются трещины.

15
Кислицин М.В., Королев М.А., Красюков А.Ю. Исследования процесса формирования пленки оксида кремния из раствора тетраэтоксисилана золь-гель методом // Известия вузов. Электроника. 2013. No 2 (100). С. 17–22.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6669
    Prefix
    Краткое схематическое представление маршрута изготовления массива наноразмерных резистивных переключателей 3 мА/см2 канавки заполняли медью и химико-механическим полированием ее удаляли с поверхности подложки (рис. 1A). На поверхность подложки методом центрифугирования из спиртового раствора тетраэтокисилана наносили слой тетраэтокисилана толщиной 100 нм
    Exact
    [15]
    Suffix
    . Нагревом при 400 °С в течение 30 минут удаляли органику и формировали оксид кремния. Далее магнетронным распылением формировали пленку алюминия толщиной 2 мкм (рис. 1Б). Для повышения степени упорядоченности пор слой оксида формировали двухстадийным анодным окислением алюминия в 5%-ном водном растворе H2SO4 при плотности анодного тока 3 мА/см2, пла

16
Gavrilov S.A., Belov A.N., Zheleznyakova A.V., Barabanov D Yu., Shevyakov V.L., Vishnikin E.V. Factors eff ected on nanoporous anodic alumina ordering // Proceedings of SPIE. 2006. V. 6260. P. 626011.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7101
    Prefix
    Для повышения степени упорядоченности пор слой оксида формировали двухстадийным анодным окислением алюминия в 5%-ном водном растворе H2SO4 при плотности анодного тока 3 мА/см2, пластину охлаждали до 3 °C
    Exact
    [16]
    Suffix
    . Напряжение на ячейке составляло порядка 11 В. Длительность первой стадии процесса составляла 8 мин. Полученный оксид удаляли в водном растворе 3.5%-го H3PO4 с добавлением 45 г/л CrO3. Вторую стадию анодного окисления проводили до полного окисления алюминиевой пленки.

17
Belov A.N. Local etching of silicon using a solid mask from porous aluminum oxide // Semiconductors. 2008. V. 42. No 13. P.1519–1521.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7564
    Prefix
    Вторую стадию анодного окисления проводили до полного окисления алюминиевой пленки. С использованием пористого оксида алюминия в качестве твердой маски методом ионного травления в слое оксида кремния формировали поры в соответствии с
    Exact
    [17]
    Suffix
    (рис. 1 В). Селективно удаляли слой пористого анодного указанным выше методом. Удаляли пористый оксид кремния с контактных площадок. Атомно-силовой микроскопией (АСМ) исследовали полученную пористую наноструктуру оксида кремния.

18
Белов А.Н., Гаврилов С.А., Назаркин М.Ю., Шевяков В.А., Лемешко С.В. Особенности проведения измерений в сканирующей электронной микроскопии // Известия вузов. Электроника. 2011. No 3 (89). С. 75–81.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7965
    Prefix
    Атомно-силовой микроскопией (АСМ) исследовали полученную пористую наноструктуру оксида кремния. С использованием сканирующей электропроводящей микроскопии (СЭПМ) исследовали участки меди нижних электродов в местах пор оксида кремния
    Exact
    [18]
    Suffix
    . Для этого сканировали поверхность структуры (рис. 1 В) проводящим кантилевером, а разность потенциалов при этом прикладывали между нижними слоями шин металлизации и проводящим кантилевером.