The 32 references with contexts in paper С. Лисицын А., С. Балакирев В., В. Авилов И., А. Коломийцев С., В. Климин С., М. Солодовник С., Б. Коноплев Г., О. Агеев А. (2018) “ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ НАНОРАЗМЕРНОГО ПРОФИЛИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР GaAs МЕТОДОМ ФОКУСИРОВАННЫХ ИОННЫХ ПУЧКОВ” / spz:neicon:nanorf:y:2018:i:2:p:28-35

1
Гайслер В.А., Гайслер А.В., Ярошевич А.С., Деребезов И.А., Качанова М.М., Живодков Ю.А., Гаврилова Т.А., Медведев А.С., Ненашева Л.А., Грачев К.В., Сандырев В.К., Кожухов А.С., Шаяхметов В.М., Калагин А.К., Бакаров А.К., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Асеев А.Л. Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAsквантовых точек и брэгговских микрорезонаторов // ФТП.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

2
15. Т. 49. No 1. С. 35–40. 2. Kianpour M., Sabbaghi-Nadooshan R., Navi K. A novel design of 8-bit adder-subtractor by quantum-dot cellular automata // J. Computer System Sci. 2014. V. 80. P. 1404–1414.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

3
Karimi M.J., Rezaei G., Nazari M. Linear and nonlinear optical properties of multilayered spherical quantum dots: Eff ects of geometrical size, hydrogenic impurity, hydrostatic pressure and temperature // J. Luminescence. 2014. V. 145. P. 55–60.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

4
Shahazadeh M., Saebaeian M. Wetting layer-assisted modifi cation of in-plane-polarized transitions in strain-free GaAs/AlGaAs quantum dots // Superlattices Microstruct. 2014. V. 75. P. 514–522.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

5
Ramos E., Franco R., Silva-Valencia J., Figueira M.S. Th ermoelectric transport properties of a T-coupled quantum dot: Atomic approach for the fi nite U case // Physica E. 2014. V. 64. P. 39–44.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

6
Alaeddin Sayahian Jahromi, Rezaei G. Electromagnetically induced transparency in a twi-dimensional quantum pseudo-dot system: Eff ects of geometrical size and external magnetic fi eld // Physica B. 2015. V. 456. P. 103–107.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

7
Ageev O.A., Solodovnik M.S., Balakirev S.V., Mikhaylin I.A., Eremenko M.M. Eff ect of GaAs native oxide upon the surface morphology during GaAs MBE growth // J. Phys.: Conference Series. 2016. V. 741. No 1. P. 012012.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

8
Ageev O.A., Balakirev S.V., Solodovnik M.S., Eremenko M.M. Eff ect of interaction in the Ga–As–O system on the morphology of a GaAs surface during molecular-beam epitaxy // Phys. Solid State. 2016. V. 58. No 5. P. 1045–1052.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

9
Klimin V.S., Tominov R.V., Eskov A.V., Krasnoborodko S.Y., Ageev O.A. Th e infl uence of the chemical and physical component of the plasma etching of the surface of gallium arsenide on the etching rate in the chloride plasma of the combined discharge // J. Phys: Conference Series. 2017. V. 917. P. 092005.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

10
Ageev O.A., Klimin V.S., Solodovnik M.S., Eskov A.V., Krasnoborodko S.Y. Th e study of infl uence of the gas fl ow rate to etched layer thickness, and roughness of the anisotropy fi eld of gallium arsenide is etched in the plasma chemical etching process // J. Phys.: Conference Series. 2016. V. 741. No 1. P. 012178.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

11
Atkinson P., Shmidt O.G., Bremner S.P., Ritchie D.A. Formation and ordering of epitaxial quantum dots // C.R. Physique. 2008. V. 9. P. 788–803.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2564
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп
    Exact
    [11]
    Suffix
    : использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24].

12
Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры // ФТП. 1998. No 4. C. 385–410.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2624
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки
    Exact
    [12–14]
    Suffix
    , мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

13
Цырлин Г.Э., Сибирев Н.В., Sartel C., Harmand J.C. Латеральное упорядочение нановискеров GaAs на поверхностях GaAs(111) и GaAs(110) при молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП. 2008. Т. 42. No 6. C. 726–729.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2624
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки
    Exact
    [12–14]
    Suffix
    , мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

14
Wang Z.M. Self-assembled quantum dots. NY: Springer. 2008. 468 p.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2624
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки
    Exact
    [12–14]
    Suffix
    , мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

15
Lin J.C., Fry P.W., Hogg R.A., Skolnick M.S. Th e control of size and area density of InAs self-assembled quantum dots in selective area molecular beam epitaxy on GaAs (001) surface // Microelectronics J. 2006. V. 37. P. 1505–1510.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2639
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез
    Exact
    [15–18]
    Suffix
    , масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

16
Lee B.C., Lin S.D., Lee C.P. Selective growth of single InAs quantum dots using strain engineering // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 2. P. 326–328.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2639
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез
    Exact
    [15–18]
    Suffix
    , масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

17
Lin J.C., Hogg R., Fry P., Hopkinson M., Ross I., Cullis A., Kolodka R., Tartakovskii A., Skolnick M. Eff ect of GaAs polycrystal on the size areal density of InAs quantum dots in selective area molecular beam epitaxy // J. Cryst. Growth. 2006. V. 297. P. 38–43.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2639
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез
    Exact
    [15–18]
    Suffix
    , масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

18
Pratt A.R., Williams R.L. Indium migration control on patterned substrates for optoelectronic device applications // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. P. 1009–1011.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2639
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез
    Exact
    [15–18]
    Suffix
    , масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

19
Zander M., Nishinaga J., Iga K., Horikoshi Y. Area selective epitaxy of InAs on GaAs(001) and GaAs(111)A by migration enhanced epitaxy // J. Cryst. Growth. 2011. V. 323. P. 9–12.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2656
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок
    Exact
    [19–21]
    Suffix
    , предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

20
Elarde V.C., Yeoh T.S., Rangarajan R., Coleman J.J. Controlled fabrication of InGaAs quantum dots by selective area epitaxy MOCVD growth // J. Cryst. Growth. 2004. V. 272. P. 148–153.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2656
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок
    Exact
    [19–21]
    Suffix
    , предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

21
Haraguchi K., Hiruma K., Katsuyama T., Shimada T. Currentvoltage characteristics of GaAs nanowhiskers // Cur. Appl. Phys. 2006. V. 6. P. 10–13.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2656
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок
    Exact
    [19–21]
    Suffix
    , предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

22
Atkinson P., Schmidt O.G. Gallium-assisted deoxidation of patterned substrates for site-controlled growth of InAs quantum dots // J. Cryst. Growth. 2009. V. 311. P. 1815–1818.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2762
    Prefix
    управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками
    Exact
    [22–24]
    Suffix
    . Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

23
Bhushan B. Scanning probe microscopy in nanoscience and nanotechnology. Berlin: Springer. 2010. 956 p.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2762
    Prefix
    управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками
    Exact
    [22–24]
    Suffix
    . Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

24
Ageev O.A., Kolomiytsev A.S., Konoplev B.G. Formation of nanosize structures on a silicon substrate by method of focused ion beams // Semiconductors. 2011. V. 45. No 13. P. 89–92.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2762
    Prefix
    управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками
    Exact
    [22–24]
    Suffix
    . Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

  2. In-text reference with the coordinate start=7320
    Prefix
    Время однократного воздействия ФИП в точке (Dt), мкс Ускоряющее напряжение ФИП (Е), кэВ Область перекрытия ФИП (overlap), % Первый этап 1, 10, 30, 50, 100, 300, 500, 1000, 3000, 5000 100 200 Второй этап300 Третий этап10, 50, 100, 150, 200 параметры выбирались на основе анализа результатов ранее проведенных исследований
    Exact
    [24–27]
    Suffix
    . Разрешающая способность оценивалась как максимальное количество отдельно различимых линий, сформированных на 1 мкм поверхности структуры. За края линий принимались точки на АСМ-профилограмме, находящиеся на 5 % ниже усредненного уровня поверхности эпитаксиальных слоев GaAs.

25
Агеев О.А., Алексеев А.М., Внукова А.В., Громов А.Л., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г., Лисицын С.А. Исследование разрешающей способности наноразмерного профилирования методом фокусированных ионных пучков // Российские нанотехнологии. 2014. Т. 9. No 1–2. С. 40-43.
Total in-text references: 5
  1. In-text reference with the coordinate start=2997
    Prefix
    Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП)
    Exact
    [25]
    Suffix
    . Принцип метода ФИП заключается в сверхлокальном воздействии на приповерхностный слой структуры высокоэнергетическими (5–30 кэВ), сфокусированными в пятно с минимальным диаметром 7 нм, ионами Ga+, в результате чего происходит физическое распыление материала.

  2. In-text reference with the coordinate start=7320
    Prefix
    Время однократного воздействия ФИП в точке (Dt), мкс Ускоряющее напряжение ФИП (Е), кэВ Область перекрытия ФИП (overlap), % Первый этап 1, 10, 30, 50, 100, 300, 500, 1000, 3000, 5000 100 200 Второй этап300 Третий этап10, 50, 100, 150, 200 параметры выбирались на основе анализа результатов ранее проведенных исследований
    Exact
    [24–27]
    Suffix
    . Разрешающая способность оценивалась как максимальное количество отдельно различимых линий, сформированных на 1 мкм поверхности структуры. За края линий принимались точки на АСМ-профилограмме, находящиеся на 5 % ниже усредненного уровня поверхности эпитаксиальных слоев GaAs.

  3. In-text reference with the coordinate start=8546
    Prefix
    Профилирование поверхности эпитаксиальных слоев GaAs на втором этапе исследований производилось согласно управляющим параметрам ФИП, которые представлены в табл. 1. Количество проходов и время однократного воздействия в точке выбирались на основе ранее проведенных экспериментальных исследований
    Exact
    [25–27]
    Suffix
    . На третьем этапе исследований проводилось определение закономерностей влияния времени однократного воздействия ионного пучка в точке (Dt) на геометрические параметры формируемых НС. Травление поверхА В Д Г Е Б Рис. 1.

  4. In-text reference with the coordinate start=10281
    Prefix
    По результатам обработки и анализа полученных экспериментальных данных установлено, что при увеличении тока ФИП от 1 пА до 7 нА глубина линий увеличивалась от 1.6 ± 0.74 до 480 ± 160 нм, а их ширина увеличивалась от 84 ± 10 до 489 ± 21 нм. Процессы, влияющие на изменение геометрических характеристик линий, исследованы в
    Exact
    [25]
    Suffix
    . На рис. 2 представлены зависимости глубины, ширины сформированных линий и разрешающей способности от тока ФИП. Полученные зависимости показывают, что с увеличением тока ионного пучка увеличиваются геометрические размеры формируемых элементов, вследствие этого разрешающая способность метода ФИП в латеральном направлении ухудшается, что также коррелирует с экспериментальными данны

  5. In-text reference with the coordinate start=10710
    Prefix
    Полученные зависимости показывают, что с увеличением тока ионного пучка увеличиваются геометрические размеры формируемых элементов, вследствие этого разрешающая способность метода ФИП в латеральном направлении ухудшается, что также коррелирует с экспериментальными данными, представленными в
    Exact
    [25]
    Suffix
    . Анализ зависимостей, представленных на рис. 2, показывает, что для формирования на поверхности GaAs наноразмерных структур с приемлемым разрешением необходимо использовать токи ФИП до 102 пА, а в случае необходимости формирования структур субмикронных размеров необходимо использовать токи ФИП выше 102 пА.

26
Агеев О.А., Алексеев А.М., Внукова А.В., Громов А.Л., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г. Моделирование рельефа поверхности подложки при наноразмерном профилировании методом фокусированных ионных пучков // Российские нанотехнологии. 2014. Т. 9. No 1–2. С. 44–48.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=3553
    Prefix
    Отличительной особенностью метода ФИП является возможность работать с поверхностью без дополнительных операций химической обработки, а также его гибкость и оперативность, обусловленная отсутствием необходимости создания физических шаблонов
    Exact
    [26]
    Suffix
    . Высокое пространственное разрешение метода ФИП, прецизионность позиционирования ионного пучка, возможность in situ визуализации и контроля процесса, совместимость с кластерными технологиями делают его перспективным технологическим инструментом для позиционирования эпитаксиальных самоорганизующихся наноструктур и регулярных массивов и элементов на их основе [27, 28].

  2. In-text reference with the coordinate start=7320
    Prefix
    Время однократного воздействия ФИП в точке (Dt), мкс Ускоряющее напряжение ФИП (Е), кэВ Область перекрытия ФИП (overlap), % Первый этап 1, 10, 30, 50, 100, 300, 500, 1000, 3000, 5000 100 200 Второй этап300 Третий этап10, 50, 100, 150, 200 параметры выбирались на основе анализа результатов ранее проведенных исследований
    Exact
    [24–27]
    Suffix
    . Разрешающая способность оценивалась как максимальное количество отдельно различимых линий, сформированных на 1 мкм поверхности структуры. За края линий принимались точки на АСМ-профилограмме, находящиеся на 5 % ниже усредненного уровня поверхности эпитаксиальных слоев GaAs.

  3. In-text reference with the coordinate start=8546
    Prefix
    Профилирование поверхности эпитаксиальных слоев GaAs на втором этапе исследований производилось согласно управляющим параметрам ФИП, которые представлены в табл. 1. Количество проходов и время однократного воздействия в точке выбирались на основе ранее проведенных экспериментальных исследований
    Exact
    [25–27]
    Suffix
    . На третьем этапе исследований проводилось определение закономерностей влияния времени однократного воздействия ионного пучка в точке (Dt) на геометрические параметры формируемых НС. Травление поверхА В Д Г Е Б Рис. 1.

27
Ageev O.A., Balakirev S.V., Bykov A.V., Gusev E.Yu., Fedotov A.A., Jityaeva J.Y., Il’in O.I., Il’ina M.V., Kolomiytsev A.S., Konoplev B.G., Krasnoborodko S.U., Polyakov V.V., Smirnov V.A., Solodovnik M.S., Zamburg E.G. Development of new metamaterials for advanced element base of micro- and nanoelectronics, and microsystem devices // Adv. Mat.. Manufact. Phys., Mechan. Applications. 2016. P. 563–580.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=3946
    Prefix
    Высокое пространственное разрешение метода ФИП, прецизионность позиционирования ионного пучка, возможность in situ визуализации и контроля процесса, совместимость с кластерными технологиями делают его перспективным технологическим инструментом для позиционирования эпитаксиальных самоорганизующихся наноструктур и регулярных массивов и элементов на их основе
    Exact
    [27, 28]
    Suffix
    . Несмотря на наличие на сегодняшний день публикаций, посвященных исследованию процессов обработки ростовых поверхностей на основе метода ФИП, влияние совокупности управляющих параметров ФИП на процессы наноразмерного профилирования сложных (в том числе бинарных) полупроводников изучено недостаточно [29, 30].

  2. In-text reference with the coordinate start=7320
    Prefix
    Время однократного воздействия ФИП в точке (Dt), мкс Ускоряющее напряжение ФИП (Е), кэВ Область перекрытия ФИП (overlap), % Первый этап 1, 10, 30, 50, 100, 300, 500, 1000, 3000, 5000 100 200 Второй этап300 Третий этап10, 50, 100, 150, 200 параметры выбирались на основе анализа результатов ранее проведенных исследований
    Exact
    [24–27]
    Suffix
    . Разрешающая способность оценивалась как максимальное количество отдельно различимых линий, сформированных на 1 мкм поверхности структуры. За края линий принимались точки на АСМ-профилограмме, находящиеся на 5 % ниже усредненного уровня поверхности эпитаксиальных слоев GaAs.

  3. In-text reference with the coordinate start=8546
    Prefix
    Профилирование поверхности эпитаксиальных слоев GaAs на втором этапе исследований производилось согласно управляющим параметрам ФИП, которые представлены в табл. 1. Количество проходов и время однократного воздействия в точке выбирались на основе ранее проведенных экспериментальных исследований
    Exact
    [25–27]
    Suffix
    . На третьем этапе исследований проводилось определение закономерностей влияния времени однократного воздействия ионного пучка в точке (Dt) на геометрические параметры формируемых НС. Травление поверхА В Д Г Е Б Рис. 1.

28
Avilov V.I., Ageev O.A., Kolomiitsev A.S., Konoplev B.G., Smirnov V.A., Tsukanova O.G. Formation of a memristor matrix based on titanium oxide and investigation by probe-nanotechnology methods // Semiconductors. 2014. V. 48. No 13. P. 1757–1762.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3946
    Prefix
    Высокое пространственное разрешение метода ФИП, прецизионность позиционирования ионного пучка, возможность in situ визуализации и контроля процесса, совместимость с кластерными технологиями делают его перспективным технологическим инструментом для позиционирования эпитаксиальных самоорганизующихся наноструктур и регулярных массивов и элементов на их основе
    Exact
    [27, 28]
    Suffix
    . Несмотря на наличие на сегодняшний день публикаций, посвященных исследованию процессов обработки ростовых поверхностей на основе метода ФИП, влияние совокупности управляющих параметров ФИП на процессы наноразмерного профилирования сложных (в том числе бинарных) полупроводников изучено недостаточно [29, 30].

29
Бессонова А.В., Неволин В.К., Ромашкин А.В., Царик К.А. Закономерности формирования полупроводниковых наноструктур с помощью фокусированного ионного пучка // Известия вузов. Электроника. 2011. No 6. C. 27–32.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=4276
    Prefix
    Несмотря на наличие на сегодняшний день публикаций, посвященных исследованию процессов обработки ростовых поверхностей на основе метода ФИП, влияние совокупности управляющих параметров ФИП на процессы наноразмерного профилирования сложных (в том числе бинарных) полупроводников изучено недостаточно
    Exact
    [29, 30]
    Suffix
    . Целью данной работы является проведение экспериментальных исследований режимов наноразмерного профилирования методом ФИП поверхности слоев GaAs, выращенных на подложке GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для выявления закономерностей влияния основных управляющих параметров на геометрические параметры формируемого наноразмерного профиля и скор

30
Бобринецкий И.И., Волкова А.В., Зайцев А.А., Неволин В.К., Царик К.А., Чудинов А.А. Формирование кремниевых наноструктур плазменным травлением через маску, созданную фокусированным пучком ионов Ga+ // Известия вузов. Электроника. 2014. No 2. C. 43–49.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=4276
    Prefix
    Несмотря на наличие на сегодняшний день публикаций, посвященных исследованию процессов обработки ростовых поверхностей на основе метода ФИП, влияние совокупности управляющих параметров ФИП на процессы наноразмерного профилирования сложных (в том числе бинарных) полупроводников изучено недостаточно
    Exact
    [29, 30]
    Suffix
    . Целью данной работы является проведение экспериментальных исследований режимов наноразмерного профилирования методом ФИП поверхности слоев GaAs, выращенных на подложке GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для выявления закономерностей влияния основных управляющих параметров на геометрические параметры формируемого наноразмерного профиля и скор

31
Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ No 2015610515. Создание шаблонов для формирования элементов автоэмиссионной наноэлектроники методом ФИП. Дата государственной регистрации в Реестре программ для ЭВМ 13.01.2015.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7997
    Prefix
    На втором этапе исследований проводилось определение закономерностей влияния управляющих параметров метода ФИП на воспроизводимость геометрических параметров формируемых наноразмерных структур (НС) в виде лунок. Для этого при помощи внешнего пакета прикладного программного обеспечения Unigen, разработанного коллективом НОЦ «Нанотехнологии» ЮФУ
    Exact
    [31]
    Suffix
    , был разработан специальный графический шаблон, состоящий из 25 точек, каждая из которых определяет координаты однократного воздействия ионного пучка с заданным временем однократного воздействия в точке.

32
Кузнецова М.А. Возможности и ограничения наноразмерных ионно-лучевых технологий // Биотехносфера. 2011. No 1–2 (13–14). C. 46–53.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=16203
    Prefix
    Кроме этого, возможный вклад в снижение скорости нормального травления слоев GaAs вносит известный эффект образования капель жидкометаллического галлия на поверхности при ФИП
    Exact
    [32]
    Suffix
    , что является следствием более высокой скорости удаления мышьяка из области травления. Локально сформовавшийся жидкометаллический галлий заполняет углубление, что также может приводить к снижению скорости травления в нормальном направлении.