The 31 references with contexts in paper С. Лисицын А., С. Балакирев В., В. Авилов И., А. Коломийцев С., В. Климин С., М. Солодовник С., Б. Коноплев Г., О. Агеев А. (2018) “ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ НАНОРАЗМЕРНОГО ПРОФИЛИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР GaAs МЕТОДОМ ФОКУСИРОВАННЫХ ИОННЫХ ПУЧКОВ” / spz:neicon:nanorf:y:2018:i:2:p:28-35

1

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2286
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

2

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2286
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

3

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2286
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

4

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2286
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

5

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2286
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

6

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2286
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

7

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2286
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

8

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2286
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

9

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2286
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

10

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2286
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур

11

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2563
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп
    Exact
    [11]
    Suffix
    : использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24].

12

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2624
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки
    Exact
    [12–14]
    Suffix
    , мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

13

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2624
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки
    Exact
    [12–14]
    Suffix
    , мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

14

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2624
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки
    Exact
    [12–14]
    Suffix
    , мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

15

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2638
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез
    Exact
    [15–18]
    Suffix
    , масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

16

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2638
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез
    Exact
    [15–18]
    Suffix
    , масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

17

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2638
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез
    Exact
    [15–18]
    Suffix
    , масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

18

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2638
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез
    Exact
    [15–18]
    Suffix
    , масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

19

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2655
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок
    Exact
    [19–21]
    Suffix
    , предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

20

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2655
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок
    Exact
    [19–21]
    Suffix
    , предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

21

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2655
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок
    Exact
    [19–21]
    Suffix
    , предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

22

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2761
    Prefix
    управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками
    Exact
    [22–24]
    Suffix
    . Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

23

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2761
    Prefix
    управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками
    Exact
    [22–24]
    Suffix
    . Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

24

Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2761
    Prefix
    управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками
    Exact
    [22–24]
    Suffix
    . Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].

  2. In-text reference with the coordinate start=7319
    Prefix
    Время однократного воздействия ФИП в точке (Dt), мкс Ускоряющее напряжение ФИП (Е), кэВ Область перекрытия ФИП (overlap), % Первый этап 1, 10, 30, 50, 100, 300, 500, 1000, 3000, 5000 100 200 Второй этап300 Третий этап10, 50, 100, 150, 200 параметры выбирались на основе анализа результатов ранее проведенных исследований
    Exact
    [24–27]
    Suffix
    . Разрешающая способность оценивалась как максимальное количество отдельно различимых линий, сформированных на 1 мкм поверхности структуры. За края линий принимались точки на АСМ-профилограмме, находящиеся на 5 % ниже усредненного уровня поверхности эпитаксиальных слоев GaAs.

25

Total in-text references: 5
  1. In-text reference with the coordinate start=2996
    Prefix
    Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП)
    Exact
    [25]
    Suffix
    . Принцип метода ФИП заключается в сверхлокальном воздействии на приповерхностный слой структуры высокоэнергетическими (5–30 кэВ), сфокусированными в пятно с минимальным диаметром 7 нм, ионами Ga+, в результате чего происходит физическое распыление материала.

  2. In-text reference with the coordinate start=7319
    Prefix
    Время однократного воздействия ФИП в точке (Dt), мкс Ускоряющее напряжение ФИП (Е), кэВ Область перекрытия ФИП (overlap), % Первый этап 1, 10, 30, 50, 100, 300, 500, 1000, 3000, 5000 100 200 Второй этап300 Третий этап10, 50, 100, 150, 200 параметры выбирались на основе анализа результатов ранее проведенных исследований
    Exact
    [24–27]
    Suffix
    . Разрешающая способность оценивалась как максимальное количество отдельно различимых линий, сформированных на 1 мкм поверхности структуры. За края линий принимались точки на АСМ-профилограмме, находящиеся на 5 % ниже усредненного уровня поверхности эпитаксиальных слоев GaAs.

  3. In-text reference with the coordinate start=8545
    Prefix
    Профилирование поверхности эпитаксиальных слоев GaAs на втором этапе исследований производилось согласно управляющим параметрам ФИП, которые представлены в табл. 1. Количество проходов и время однократного воздействия в точке выбирались на основе ранее проведенных экспериментальных исследований
    Exact
    [25–27]
    Suffix
    . На третьем этапе исследований проводилось определение закономерностей влияния времени однократного воздействия ионного пучка в точке (Dt) на геометрические параметры формируемых НС. Травление поверхА Б В Г Д Е Рис. 1.

  4. In-text reference with the coordinate start=10280
    Prefix
    По результатам обработки и анализа полученных экспериментальных данных установлено, что при увеличении тока ФИП от 1 пА до 7 нА глубина линий увеличивалась от 1.6 ± 0.74 до 480 ± 160 нм, а их ширина увеличивалась от 84 ± 10 до 489 ± 21 нм. Процессы, влияющие на изменение геометрических характеристик линий, исследованы в
    Exact
    [25]
    Suffix
    . На рис. 2 представлены зависимости глубины, ширины сформированных линий и разрешающей способности от тока ФИП. Полученные зависимости показывают, что с увеличением тока ионного пучка увеличиваются геометрические размеры формируемых элементов, вследствие этого разрешающая способность метода ФИП в латеральном направлении ухудшается, что также коррелирует с экспериментальными данны

  5. In-text reference with the coordinate start=10709
    Prefix
    Полученные зависимости показывают, что с увеличением тока ионного пучка увеличиваются геометрические размеры формируемых элементов, вследствие этого разрешающая способность метода ФИП в латеральном направлении ухудшается, что также коррелирует с экспериментальными данными, представленными в
    Exact
    [25]
    Suffix
    . Анализ зависимостей, представленных на рис. 2, показывает, что для формирования на поверхности GaAs наноразмерных структур с приемлемым разрешением необходимо использовать токи ФИП до 102 пА, а в случае необходимости формирования структур субмикронных размеров необходимо использовать токи ФИП выше 102 пА.

26

Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=3552
    Prefix
    Отличительной особенностью метода ФИП является возможность работать с поверхностью без дополнительных операций химической обработки, а также его гибкость и оперативность, обусловленная отсутствием необходимости создания физических шаблонов
    Exact
    [26]
    Suffix
    . Высокое пространственное разрешение метода ФИП, прецизионность позиционирования ионного пучка, возможность in situ визуализации и контроля процесса, совместимость с кластерными технологиями делают его перспективным технологическим инструментом для позиционирования эпитаксиальных самоорганизующихся наноструктур и регулярных массивов и элементов на их основе [27, 28].

  2. In-text reference with the coordinate start=7319
    Prefix
    Время однократного воздействия ФИП в точке (Dt), мкс Ускоряющее напряжение ФИП (Е), кэВ Область перекрытия ФИП (overlap), % Первый этап 1, 10, 30, 50, 100, 300, 500, 1000, 3000, 5000 100 200 Второй этап300 Третий этап10, 50, 100, 150, 200 параметры выбирались на основе анализа результатов ранее проведенных исследований
    Exact
    [24–27]
    Suffix
    . Разрешающая способность оценивалась как максимальное количество отдельно различимых линий, сформированных на 1 мкм поверхности структуры. За края линий принимались точки на АСМ-профилограмме, находящиеся на 5 % ниже усредненного уровня поверхности эпитаксиальных слоев GaAs.

  3. In-text reference with the coordinate start=8545
    Prefix
    Профилирование поверхности эпитаксиальных слоев GaAs на втором этапе исследований производилось согласно управляющим параметрам ФИП, которые представлены в табл. 1. Количество проходов и время однократного воздействия в точке выбирались на основе ранее проведенных экспериментальных исследований
    Exact
    [25–27]
    Suffix
    . На третьем этапе исследований проводилось определение закономерностей влияния времени однократного воздействия ионного пучка в точке (Dt) на геометрические параметры формируемых НС. Травление поверхА Б В Г Д Е Рис. 1.

27

Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=3945
    Prefix
    Высокое пространственное разрешение метода ФИП, прецизионность позиционирования ионного пучка, возможность in situ визуализации и контроля процесса, совместимость с кластерными технологиями делают его перспективным технологическим инструментом для позиционирования эпитаксиальных самоорганизующихся наноструктур и регулярных массивов и элементов на их основе
    Exact
    [27, 28]
    Suffix
    . Несмотря на наличие на сегодняшний день публикаций, посвященных исследованию процессов обработки ростовых поверхностей на основе метода ФИП, влияние совокупности управляющих параметров ФИП на процессы наноразмерного профилирования сложных (в том числе бинарных) полупроводников изучено недостаточно [29, 30].

  2. In-text reference with the coordinate start=7319
    Prefix
    Время однократного воздействия ФИП в точке (Dt), мкс Ускоряющее напряжение ФИП (Е), кэВ Область перекрытия ФИП (overlap), % Первый этап 1, 10, 30, 50, 100, 300, 500, 1000, 3000, 5000 100 200 Второй этап300 Третий этап10, 50, 100, 150, 200 параметры выбирались на основе анализа результатов ранее проведенных исследований
    Exact
    [24–27]
    Suffix
    . Разрешающая способность оценивалась как максимальное количество отдельно различимых линий, сформированных на 1 мкм поверхности структуры. За края линий принимались точки на АСМ-профилограмме, находящиеся на 5 % ниже усредненного уровня поверхности эпитаксиальных слоев GaAs.

  3. In-text reference with the coordinate start=8545
    Prefix
    Профилирование поверхности эпитаксиальных слоев GaAs на втором этапе исследований производилось согласно управляющим параметрам ФИП, которые представлены в табл. 1. Количество проходов и время однократного воздействия в точке выбирались на основе ранее проведенных экспериментальных исследований
    Exact
    [25–27]
    Suffix
    . На третьем этапе исследований проводилось определение закономерностей влияния времени однократного воздействия ионного пучка в точке (Dt) на геометрические параметры формируемых НС. Травление поверхА Б В Г Д Е Рис. 1.

28

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3945
    Prefix
    Высокое пространственное разрешение метода ФИП, прецизионность позиционирования ионного пучка, возможность in situ визуализации и контроля процесса, совместимость с кластерными технологиями делают его перспективным технологическим инструментом для позиционирования эпитаксиальных самоорганизующихся наноструктур и регулярных массивов и элементов на их основе
    Exact
    [27, 28]
    Suffix
    . Несмотря на наличие на сегодняшний день публикаций, посвященных исследованию процессов обработки ростовых поверхностей на основе метода ФИП, влияние совокупности управляющих параметров ФИП на процессы наноразмерного профилирования сложных (в том числе бинарных) полупроводников изучено недостаточно [29, 30].

29

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=4275
    Prefix
    Несмотря на наличие на сегодняшний день публикаций, посвященных исследованию процессов обработки ростовых поверхностей на основе метода ФИП, влияние совокупности управляющих параметров ФИП на процессы наноразмерного профилирования сложных (в том числе бинарных) полупроводников изучено недостаточно
    Exact
    [29, 30]
    Suffix
    . Целью данной работы является проведение экспериментальных исследований режимов наноразмерного профилирования методом ФИП поверхности слоев GaAs, выращенных на подложке GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для выявления закономерностей влияния основных управляющих параметров на геометрические параметры формируемого наноразмерного профиля и скор

30

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=4275
    Prefix
    Несмотря на наличие на сегодняшний день публикаций, посвященных исследованию процессов обработки ростовых поверхностей на основе метода ФИП, влияние совокупности управляющих параметров ФИП на процессы наноразмерного профилирования сложных (в том числе бинарных) полупроводников изучено недостаточно
    Exact
    [29, 30]
    Suffix
    . Целью данной работы является проведение экспериментальных исследований режимов наноразмерного профилирования методом ФИП поверхности слоев GaAs, выращенных на подложке GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для выявления закономерностей влияния основных управляющих параметров на геометрические параметры формируемого наноразмерного профиля и скор

31

Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7996
    Prefix
    На втором этапе исследований проводилось определение закономерностей влияния управляющих параметров метода ФИП на воспроизводимость геометрических параметров формируемых наноразмерных структур (НС) в виде лунок. Для этого при помощи внешнего пакета прикладного программного обеспечения Unigen, разработанного коллективом НОЦ «Нанотехнологии» ЮФУ
    Exact
    [31]
    Suffix
    , был разработан специальный графический шаблон, состоящий из 25 точек, каждая из которых определяет координаты однократного воздействия ионного пучка с заданным временем однократного воздействия в точке.