The 17 references with contexts in paper А. Дедкова А., Н. Дюжев А., В. Киреев Ю., И. Клементе Э., А. Мяконьких В., К. Руденко В. (2019) “ИССЛЕДОВАНИЯ ВОЗДЕЙСТВИЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, ОСАЖДАЕМЫХ В ПРОЦЕССЕ АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ” / spz:neicon:nanorf:y:2018:i:0:p:51-57

1
Киреев В.Ю., Столяров А.А. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы. М.: Техносфера,
Total in-text references: 6
  1. In-text reference with the coordinate start=2076
    Prefix
    ВВЕДЕНИЕ Процессы атомно-слоевого или атомно-послойного химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) на основе метода молекулярной сборки или молекулярного наслаивания обычно обозначаются в русском сокращении как АС ХОГФ или АСО и в английском сокращении как AL CVD (atomic layer chemical vapor deposition) или ALD (atomic layer deposition)
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Эти процессы относятся к группе процессов ХОГФ с дискретной подачей реагентов, обычно называемых прекурсорами [2]. В основе механизма процессов АСО лежат многократно повторяемые циклические (дискретные) самоостанавливающиеся химические реакции молекул прекурсоров на поверхности подложки [3–5].

  2. In-text reference with the coordinate start=4179
    Prefix
    На четвертой стадии производится продувка реактора инертным газом и удаление из его объема непрореагировавших молекул второго прекурсора и образовавшихся летучих побочных продуктов реакции
    Exact
    [1, 4]
    Suffix
    . Такой цикл повторяется многократно и ведет к медленному послойному образованию на поверхности подложки плотной пленки, толщина которой управляется просто заданием числа повторений реакционных циклов.

  3. In-text reference with the coordinate start=7208
    Prefix
    Не подлежит сомнению, что процессы АСО будут вне конкуренции для изготовления микроэлектронных устройств и систем с нанометровыми размерами элементов с использованием нанотехнологий
    Exact
    [1, 4]
    Suffix
    . Кроме того, процессы АСО незаменимы для формирования сверхтонких барьерных слоев из металлов и диэлектриков при изготовлении биосенсоров, биосовместимых протезов, суперконденсаторов и солнечных батарей [10–12].

  4. In-text reference with the coordinate start=9046
    Prefix
    прекурсора под воздействием лазерного излучения могут вступать в химические реакции с молекулами второго прекурсора (ТМА) в объеме реактора с образованием частиц материала пленки оксида алюминия. Такие объемные химические реакции приводят к уменьшению плотности пленки и ее порошкообразной структуре, непригодной для микроэлектронного применения
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Хотя если удастся подавить объемные реакции, то возможность активации поверхностных химических реакций с помощью оптического излучения позволит проводить процессы АСО при более низких температурах.

  5. In-text reference with the coordinate start=9801
    Prefix
    В литературе, доступной авторам, отсутствуют сведения, указывающие на то, что лазерное излучение оказывает или должно оказывать влияние на процесс атомно-слоевого осаждения (АСО). Однако стадии адсорбции и химической реакции могут стимулироваться с помощью лазерного излучения
    Exact
    [1]
    Suffix
    , воздействие которого удобно проводить на стадиях продувки реактора. Целью настоящей работы является исследование возможностей регулирования скорости процессов АСО с использованием лазерного облучения поверхности подложки с пленкой осаждаемого материала на стадиях продувки.

  6. In-text reference with the coordinate start=24398
    Prefix
    В процессах ХОГФ (CVD) фотонное и лазерное облучения значительно повышают скорости осаждения оксида алюминия из газовых реагентов на поверхность кремниевых пластин и сильно влияют на их химический состав и поверхностный рельеф
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Поэтому экспериментальная констатация того факта, что лазерное облучение в процессе АСО незначительно влияет на его механизм, в отличие от близкого к нему процесса ХОГФ (CVD), имеет научную ценность, открывающую целую область исследования.

2
06. 192 с. 2. Gutsche M., Seidl H., Hecht T. Schroeder U. Atomic layer deposition for advanced DRAM applications. In: Future Fab. 14th issue. London: Technology Publishing Ltd., 2003. P. 213–217.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2208
    Prefix
    ХОГФ) на основе метода молекулярной сборки или молекулярного наслаивания обычно обозначаются в русском сокращении как АС ХОГФ или АСО и в английском сокращении как AL CVD (atomic layer chemical vapor deposition) или ALD (atomic layer deposition) [1]. Эти процессы относятся к группе процессов ХОГФ с дискретной подачей реагентов, обычно называемых прекурсорами
    Exact
    [2]
    Suffix
    . В основе механизма процессов АСО лежат многократно повторяемые циклические (дискретные) самоостанавливающиеся химические реакции молекул прекурсоров на поверхности подложки [3–5]. Основы метода молекулярной сборки или молекулярного наслаивания впервые были разработаны в Советском Союзе В.

3
Семикина Т.В., Комащенко В.Н., Шмырева Л.Н. Нанотехнологии: основы метода атомного послойного осаждения, оборудование, применение в наноэлектронике. В книге: Электроника и связь. Тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии». Часть 1. 2009. С. 60–66.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2391
    Prefix
    Эти процессы относятся к группе процессов ХОГФ с дискретной подачей реагентов, обычно называемых прекурсорами [2]. В основе механизма процессов АСО лежат многократно повторяемые циклические (дискретные) самоостанавливающиеся химические реакции молекул прекурсоров на поверхности подложки
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    . Основы метода молекулярной сборки или молекулярного наслаивания впервые были разработаны в Советском Союзе В.Б. Алесковским с коллегами в начале пятидесятых годов ХХ века на химическом факультете Ленинградского Технологического института им.

4
Atomic layer deposition for semiconductors / Editors Cheol Seong Hwang, Cha Young Yoo. New York: Springer Science + Business Media, 2014. 263 p.
Total in-text references: 6
  1. In-text reference with the coordinate start=2391
    Prefix
    Эти процессы относятся к группе процессов ХОГФ с дискретной подачей реагентов, обычно называемых прекурсорами [2]. В основе механизма процессов АСО лежат многократно повторяемые циклические (дискретные) самоостанавливающиеся химические реакции молекул прекурсоров на поверхности подложки
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    . Основы метода молекулярной сборки или молекулярного наслаивания впервые были разработаны в Советском Союзе В.Б. Алесковским с коллегами в начале пятидесятых годов ХХ века на химическом факультете Ленинградского Технологического института им.

  2. In-text reference with the coordinate start=4179
    Prefix
    На четвертой стадии производится продувка реактора инертным газом и удаление из его объема непрореагировавших молекул второго прекурсора и образовавшихся летучих побочных продуктов реакции
    Exact
    [1, 4]
    Suffix
    . Такой цикл повторяется многократно и ведет к медленному послойному образованию на поверхности подложки плотной пленки, толщина которой управляется просто заданием числа повторений реакционных циклов.

  3. In-text reference with the coordinate start=5201
    Prefix
    Поэтому процессам АСО присущи исключительно высокие значения равномерности осаждения пленок по толщине и конформности покрытия топологического рельефа (табл. 1) [5]. В настоящее время существуют прекурсоры (реагенты) для АСО практически всех металлических, полупроводниковых и диэлектрических пленок, используемых в микроэлектронике
    Exact
    [4]
    Suffix
    . Пленки, осаждаемые в процессах АСО, характеризуются низкими механическими напряжениями и отсутствием Таблицы 1. Сравнительные характеристики процессов физического осаждения из газовой фазы (ФОГФ — PVD), процессов химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ — CVD) с непрерывной подачей реагентов и процессов атомно-слоевого осаждения (АСО — ALD) [5] Характеристика процессаФОГФ (PVD)Х

  4. In-text reference with the coordinate start=7003
    Prefix
    Отношение глубины канавки к ее ширине, глубины отверстия к его диаметру и высоты ступеньки к ее ширине называется аспектным отношением (aspect ratio — AR). пор. Кроме того, в реакторах АСО легко реализуется последовательное осаждение нескольких пленок разных материалов с точным контролем их соотношения по толщине
    Exact
    [4]
    Suffix
    . Не подлежит сомнению, что процессы АСО будут вне конкуренции для изготовления микроэлектронных устройств и систем с нанометровыми размерами элементов с использованием нанотехнологий [1, 4].

  5. In-text reference with the coordinate start=7208
    Prefix
    Не подлежит сомнению, что процессы АСО будут вне конкуренции для изготовления микроэлектронных устройств и систем с нанометровыми размерами элементов с использованием нанотехнологий
    Exact
    [1, 4]
    Suffix
    . Кроме того, процессы АСО незаменимы для формирования сверхтонких барьерных слоев из металлов и диэлектриков при изготовлении биосенсоров, биосовместимых протезов, суперконденсаторов и солнечных батарей [10–12].

  6. In-text reference with the coordinate start=9483
    Prefix
    Это может быть критически важным, если на обрабатываемой пластине уже имеются сформированные структуры, а дефекты, вносимые плазменной обработкой, не позволяют применять плазмостимулированное АСО
    Exact
    [4]
    Suffix
    . В литературе, доступной авторам, отсутствуют сведения, указывающие на то, что лазерное излучение оказывает или должно оказывать влияние на процесс атомно-слоевого осаждения (АСО).

5
Vogler D., Doe P. Atomic layer deposition special report: Where’s the metal? // Solid State Technology. 2003. V. 46. P. 35–40.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=2391
    Prefix
    Эти процессы относятся к группе процессов ХОГФ с дискретной подачей реагентов, обычно называемых прекурсорами [2]. В основе механизма процессов АСО лежат многократно повторяемые циклические (дискретные) самоостанавливающиеся химические реакции молекул прекурсоров на поверхности подложки
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    . Основы метода молекулярной сборки или молекулярного наслаивания впервые были разработаны в Советском Союзе В.Б. Алесковским с коллегами в начале пятидесятых годов ХХ века на химическом факультете Ленинградского Технологического института им.

  2. In-text reference with the coordinate start=5009
    Prefix
    вариации (отклонения) операционных параметров, таких как расходы прекурсоров, давление в реакторе и температура подложки, не оказывают заметного влияния на технологические характеристики осаждаемых пленок. Поэтому процессам АСО присущи исключительно высокие значения равномерности осаждения пленок по толщине и конформности покрытия топологического рельефа (табл. 1)
    Exact
    [5]
    Suffix
    . В настоящее время существуют прекурсоры (реагенты) для АСО практически всех металлических, полупроводниковых и диэлектрических пленок, используемых в микроэлектронике [4]. Пленки, осаждаемые в процессах АСО, характеризуются низкими механическими напряжениями и отсутствием Таблицы 1.

  3. In-text reference with the coordinate start=5562
    Prefix
    Сравнительные характеристики процессов физического осаждения из газовой фазы (ФОГФ — PVD), процессов химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ — CVD) с непрерывной подачей реагентов и процессов атомно-слоевого осаждения (АСО — ALD)
    Exact
    [5]
    Suffix
    Характеристика процессаФОГФ (PVD)ХОГФ (CVD)АСО (ALD) Типичная скорость осаждения vd, нм/мин100–100010–1000,1–1,0 Типичные толщины осаждаемых пленок d, нм20–150010–13001,0–50 Типичная равномерность скорости осаждения (нанесения) R, %>95>97,5>99 Точность контроля толщины пленки при осаждении (нанесении) по времени, нм±5,0±1,0±0,01 Степень конформности покрытия рельефа αc, % (аспектное отношение ре

6
Алесковский В.Б. Стехиометрия и синтез твердых соединений. Л.: Наука, 1976. 140 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2678
    Prefix
    Основы метода молекулярной сборки или молекулярного наслаивания впервые были разработаны в Советском Союзе В.Б. Алесковским с коллегами в начале пятидесятых годов ХХ века на химическом факультете Ленинградского Технологического института им. Ленсовета
    Exact
    [6–8]
    Suffix
    . Однако результаты работ советских ученых не были представлены в англоязычных изданиях, а авторские свидетельства имели гриф закрытости, и поэтому приоритеты были полностью утеряны. Во всей англоязычной литературе родоначальниками метода АСО считаются финские ученые во главе с профессором Т.

7
Алесковский В.Б. Структурная организация вещества // Информационный листок дирекции НИИ химии и деканата химического факультета от 04.06.2002. No 15/02 (190). С. 1–4.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2678
    Prefix
    Основы метода молекулярной сборки или молекулярного наслаивания впервые были разработаны в Советском Союзе В.Б. Алесковским с коллегами в начале пятидесятых годов ХХ века на химическом факультете Ленинградского Технологического института им. Ленсовета
    Exact
    [6–8]
    Suffix
    . Однако результаты работ советских ученых не были представлены в англоязычных изданиях, а авторские свидетельства имели гриф закрытости, и поэтому приоритеты были полностью утеряны. Во всей англоязычной литературе родоначальниками метода АСО считаются финские ученые во главе с профессором Т.

8
Малыгин А.А. Нанотехнологии молекулярного наслаивания (обзор) // Российские нанотехнологии. 2007. Т. 2. No 3–4. С. 87–100.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2678
    Prefix
    Основы метода молекулярной сборки или молекулярного наслаивания впервые были разработаны в Советском Союзе В.Б. Алесковским с коллегами в начале пятидесятых годов ХХ века на химическом факультете Ленинградского Технологического института им. Ленсовета
    Exact
    [6–8]
    Suffix
    . Однако результаты работ советских ученых не были представлены в англоязычных изданиях, а авторские свидетельства имели гриф закрытости, и поэтому приоритеты были полностью утеряны. Во всей англоязычной литературе родоначальниками метода АСО считаются финские ученые во главе с профессором Т.

9
Suntola T., Antson J. Surface chemistry of atomic layer deposition. U.S. Patent No. 4058430 (15.11.1977).
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3131
    Prefix
    Во всей англоязычной литературе родоначальниками метода АСО считаются финские ученые во главе с профессором Т. Сантолой (T. Suntola), оформившие первый финский патент по разработке АСО в 1974 году и первый американский патент в 1977 году
    Exact
    [9]
    Suffix
    . Типичный процесс АСО состоит из последовательных стадий подачи в реактор прекурсоров, разделенных во времени стадией продувки реактора инертным газом, удаляющим остатки прекурсоров и реакционно-активных продуктов реакции из объема реактора.

10
Алехин А.П., Болейко Г.М., Гудкова С.А. Тетюхин Д.В. Синтез биосовместимых поверхностей методами нанотехнологий // Российские нанотехнологии. 2010. Т. 5. No 9–10. С. 128–136.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7436
    Prefix
    Кроме того, процессы АСО незаменимы для формирования сверхтонких барьерных слоев из металлов и диэлектриков при изготовлении биосенсоров, биосовместимых протезов, суперконденсаторов и солнечных батарей
    Exact
    [10–12]
    Suffix
    . В качестве основного недостатка процессов АСО следует отметить низкие скорости осаждения, что ограничивает их промышленное применение осаждением пленок толщиной до 50 нм. Исходя из проведенного теоретического анализа механизма процессов АСО [13–15], их скорость можно повысить двумя основными способами: — повысить скорость химических реакций на стадиях подачи в реактор прекурс

11
Белов А.Н., Гусев Е.Э., Дюжев Н.А., Золотарев В.И., Киреев В.Ю. Суперконденсатор на основе КМОП-технологии. Патент РФ No 2629364 (07.12. 2016).
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7436
    Prefix
    Кроме того, процессы АСО незаменимы для формирования сверхтонких барьерных слоев из металлов и диэлектриков при изготовлении биосенсоров, биосовместимых протезов, суперконденсаторов и солнечных батарей
    Exact
    [10–12]
    Suffix
    . В качестве основного недостатка процессов АСО следует отметить низкие скорости осаждения, что ограничивает их промышленное применение осаждением пленок толщиной до 50 нм. Исходя из проведенного теоретического анализа механизма процессов АСО [13–15], их скорость можно повысить двумя основными способами: — повысить скорость химических реакций на стадиях подачи в реактор прекурс

12
Путконен М., Тузовский В. Новые применения атомнослоевого осаждения // Наноиндустрия. 2010. No 5. С. 18–21.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7436
    Prefix
    Кроме того, процессы АСО незаменимы для формирования сверхтонких барьерных слоев из металлов и диэлектриков при изготовлении биосенсоров, биосовместимых протезов, суперконденсаторов и солнечных батарей
    Exact
    [10–12]
    Suffix
    . В качестве основного недостатка процессов АСО следует отметить низкие скорости осаждения, что ограничивает их промышленное применение осаждением пленок толщиной до 50 нм. Исходя из проведенного теоретического анализа механизма процессов АСО [13–15], их скорость можно повысить двумя основными способами: — повысить скорость химических реакций на стадиях подачи в реактор прекурс

13
Репинский С.М. Химическая кинетика роста слоев диэлектриков // Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников. Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1989. С. 90–152.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7701
    Prefix
    В качестве основного недостатка процессов АСО следует отметить низкие скорости осаждения, что ограничивает их промышленное применение осаждением пленок толщиной до 50 нм. Исходя из проведенного теоретического анализа механизма процессов АСО
    Exact
    [13–15]
    Suffix
    , их скорость можно повысить двумя основными способами: — повысить скорость химических реакций на стадиях подачи в реактор прекурсоров (реагентов) с помощью активации поверхности подложки лазерным излучением; — сократить время стадий продувки реактора инертным газом с помощью ускорения процессов десорбции непрореагировавших прекурсоров и летучих продуктов реакции путем активации пов

14
Майоров Э. Реализация нанотехнологии атомно-слоевого осаждения на оборудовании компании Beneq: от лаборатории к промышленности // Компоненты и технологии. 2013. No 10. С. 48–53.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7701
    Prefix
    В качестве основного недостатка процессов АСО следует отметить низкие скорости осаждения, что ограничивает их промышленное применение осаждением пленок толщиной до 50 нм. Исходя из проведенного теоретического анализа механизма процессов АСО
    Exact
    [13–15]
    Suffix
    , их скорость можно повысить двумя основными способами: — повысить скорость химических реакций на стадиях подачи в реактор прекурсоров (реагентов) с помощью активации поверхности подложки лазерным излучением; — сократить время стадий продувки реактора инертным газом с помощью ускорения процессов десорбции непрореагировавших прекурсоров и летучих продуктов реакции путем активации пов

15
Искандарова И.М., Книжник А.А., Рыкова Е.А., Багатурьянц А.А., Уманский С.Я., Потапкин Б.В., Stoker M.W. Моделирование роста пленки в процессе атомного осаждения слоев // Физико-химическая кинетика в газовой динамике. 2006. No 4. С. 388–402.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7701
    Prefix
    В качестве основного недостатка процессов АСО следует отметить низкие скорости осаждения, что ограничивает их промышленное применение осаждением пленок толщиной до 50 нм. Исходя из проведенного теоретического анализа механизма процессов АСО
    Exact
    [13–15]
    Suffix
    , их скорость можно повысить двумя основными способами: — повысить скорость химических реакций на стадиях подачи в реактор прекурсоров (реагентов) с помощью активации поверхности подложки лазерным излучением; — сократить время стадий продувки реактора инертным газом с помощью ускорения процессов десорбции непрореагировавших прекурсоров и летучих продуктов реакции путем активации пов

16
Сайко Д.С., Ганжа В.В., Титов С.А., Арсентьев И.Н., Костюченко А.В., Солдатенко С.А. Адсорбционные слои воды на поверхности тонких пленок оксида алюминия // Журнал технической физики. 2009. Т. 79. No 12. С. 86–91.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=17592
    Prefix
    Полученные экспериментальные данные об отсутствии влияния лазерного облучения с длиной волны λ = 970 нм на десорбцию молекул воды в процессе АСО пленок Al2O3 противоречат результатам работы
    Exact
    [16]
    Suffix
    , согласно которой энергия адсорбции молекул воды на поверхности слоя оксида алюминия составляет 1,26 эВ. Действительно, энергия квантов ε ИК лазера с длиной волны λ = 970 нм определяется по формуле [17]: Ε = h.ν = (h.c)/λ, (1) где h — постоянная Планка (6,63.10-34 Дж.с); ν — частота излучения, Гц; c — скорость света (2,99.108 м/с).

  2. In-text reference with the coordinate start=18239
    Prefix
    Расчет по формуле (1) дает величину энергии квантов нашего лазера ε = 2,04.10-19 Дж, или, с учетом, что 1 эВ = 1,6.10-19 Дж, ε = 1,28 эВ. Эта величина энергии квантов превышает энергию адсорбции молекул воды на поверхности слоя оксида алюминия
    Exact
    [16]
    Suffix
    , и если не влияет на скорость процесса АСО пленок Al2O3, то должна изменять структуру и/или химический состав пленок оксида алюминия на облучаемых участках поверхности пластин.

17
Яворский Б.М., Детлаф А.А., Лебедев А.К. Справочник по физике. 8-е изд. М.: Оникс, 2006. 1056 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=17804
    Prefix
    данные об отсутствии влияния лазерного облучения с длиной волны λ = 970 нм на десорбцию молекул воды в процессе АСО пленок Al2O3 противоречат результатам работы [16], согласно которой энергия адсорбции молекул воды на поверхности слоя оксида алюминия составляет 1,26 эВ. Действительно, энергия квантов ε ИК лазера с длиной волны λ = 970 нм определяется по формуле
    Exact
    [17]
    Suffix
    : Ε = h.ν = (h.c)/λ, (1) где h — постоянная Планка (6,63.10-34 Дж.с); ν — частота излучения, Гц; c — скорость света (2,99.108 м/с). Расчет по формуле (1) дает величину энергии квантов нашего лазера ε = 2,04.10-19 Дж, или, с учетом, что 1 эВ = 1,6.10-19 Дж, ε = 1,28 эВ.