The 20 references with contexts in paper Р. Томинов В., В. Смирнов А., Н. Черненко Е., О. Агеев А. (2018) “Исследование режимов силовой зондовой нанолитографии” / spz:neicon:nanorf:y:2017:i:2:p:69-75

1
Fahrner W. Nanotechnology and Nanoelectronics. Materials, devices, measurement techniques. 2005.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1729
    Prefix
    Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических процессов формирования элементов микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники с использованием зондовых нанотехнологий. введение Одной из приоритетных задач микро- и наноэлекгральных микросхем (ИМС), что достигается уменьшением размеров элементов ИМС
    Exact
    [1]
    Suffix
    . В настоящее время уровень развития технологий микроэлектроники определяет необходимость формирования структур элементов ИМС с размерами менее 50 нм [2, 3]. При этом, особенно при проведении прикладных исследований по прототипированию перспективных элементов ИМС, возникает необходимость в разработке новых методик нанолитографии, позволяющих изготавливать структуры

2
Park B.-G., Hwang S.W., Park Y.J. Nanoelectronic Devices. Pan Stanford Textbook Series on Nanotechnology. 2012. V. 1.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1892
    Prefix
    , микро- и наносистемной техники с использованием зондовых нанотехнологий. введение Одной из приоритетных задач микро- и наноэлекгральных микросхем (ИМС), что достигается уменьшением размеров элементов ИМС [1]. В настоящее время уровень развития технологий микроэлектроники определяет необходимость формирования структур элементов ИМС с размерами менее 50 нм
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    . При этом, особенно при проведении прикладных исследований по прототипированию перспективных элементов ИМС, возникает необходимость в разработке новых методик нанолитографии, позволяющих изготавливать структуры элементов ИМС в нанометровом масштабе с меньшими затратами и в более короткие сроки, чем классические методы фото- и электронно-лучевой литографии [4–9].

3
Bruning J.H. Optical Lithography... 40 years and holding // Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers. 2007. V. 6520. No 652004.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1892
    Prefix
    , микро- и наносистемной техники с использованием зондовых нанотехнологий. введение Одной из приоритетных задач микро- и наноэлекгральных микросхем (ИМС), что достигается уменьшением размеров элементов ИМС [1]. В настоящее время уровень развития технологий микроэлектроники определяет необходимость формирования структур элементов ИМС с размерами менее 50 нм
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    . При этом, особенно при проведении прикладных исследований по прототипированию перспективных элементов ИМС, возникает необходимость в разработке новых методик нанолитографии, позволяющих изготавливать структуры элементов ИМС в нанометровом масштабе с меньшими затратами и в более короткие сроки, чем классические методы фото- и электронно-лучевой литографии [4–9].

4
Bukharaev A.A., Bizyaev D.A., Nurgazizov N.I., Khanipov T.F. Fabrication of magnetic micro- and nanostructures by scanning probe lithography // Russian Microelectronics. 2012. V. 41. No 2. P. 78–84.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    При этом, особенно при проведении прикладных исследований по прототипированию перспективных элементов ИМС, возникает необходимость в разработке новых методик нанолитографии, позволяющих изготавливать структуры элементов ИМС в нанометровом масштабе с меньшими затратами и в более короткие сроки, чем классические методы фото- и электронно-лучевой литографии
    Exact
    [4–9]
    Suffix
    . Один из перспективных методов формирования наноразмерных структур — импринт-литография, частным случаем которой является силовая зондовая нанолитография (СЗН) с использованием атомно-силового микроскопа (АСМ) [10].

  2. In-text reference with the coordinate start=3773
    Prefix
    Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники
    Exact
    [4–15]
    Suffix
    , в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами. Кроме того, широко используемый при наноимпринт-литографии полиметилметакрилат (ПММА) имеет достаточно высокую стоимость и ограничения по срокам и условиям хранения, что затрудняет его использование при прототипировании перспек

5
Ageev O.A., Alyab’eva N.I., Konoplev B.G., Polyakov V.V., Smirnov V.A. Photoactivation of the processes of formation of nanostructures by local anodic oxidation of a titanium film // Semiconductors Volume. 2010. V. 44. No 13. P. 1703–1708.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    При этом, особенно при проведении прикладных исследований по прототипированию перспективных элементов ИМС, возникает необходимость в разработке новых методик нанолитографии, позволяющих изготавливать структуры элементов ИМС в нанометровом масштабе с меньшими затратами и в более короткие сроки, чем классические методы фото- и электронно-лучевой литографии
    Exact
    [4–9]
    Suffix
    . Один из перспективных методов формирования наноразмерных структур — импринт-литография, частным случаем которой является силовая зондовая нанолитография (СЗН) с использованием атомно-силового микроскопа (АСМ) [10].

  2. In-text reference with the coordinate start=3773
    Prefix
    Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники
    Exact
    [4–15]
    Suffix
    , в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами. Кроме того, широко используемый при наноимпринт-литографии полиметилметакрилат (ПММА) имеет достаточно высокую стоимость и ограничения по срокам и условиям хранения, что затрудняет его использование при прототипировании перспек

6
Ageev O.A., Balakirev S.V., Bykov Al.V., et al. Development of new metamaterials for advanced element base of micro- and nanoelectronics, and microsystem devices. Chapter In: Advanced Materials — Manufacturing, Physics, Mechanics and Applications. Parinov, Ivan A., Chang, Shun-Hsyung, Topolov, Vitaly Yu. (Eds.). Springer International Publishing Switzerland. 2016. P. 563–580.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    При этом, особенно при проведении прикладных исследований по прототипированию перспективных элементов ИМС, возникает необходимость в разработке новых методик нанолитографии, позволяющих изготавливать структуры элементов ИМС в нанометровом масштабе с меньшими затратами и в более короткие сроки, чем классические методы фото- и электронно-лучевой литографии
    Exact
    [4–9]
    Suffix
    . Один из перспективных методов формирования наноразмерных структур — импринт-литография, частным случаем которой является силовая зондовая нанолитография (СЗН) с использованием атомно-силового микроскопа (АСМ) [10].

  2. In-text reference with the coordinate start=3773
    Prefix
    Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники
    Exact
    [4–15]
    Suffix
    , в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами. Кроме того, широко используемый при наноимпринт-литографии полиметилметакрилат (ПММА) имеет достаточно высокую стоимость и ограничения по срокам и условиям хранения, что затрудняет его использование при прототипировании перспек

7
Avilov V.I., Ageev O.A., Kolomiitsev A.S., Konoplev B.G., Smirnov V.A., Tsukanova O.G. The formation and study of the memristors matrix based on titanium oxide by using probe nanotechnologies methods // Semiconductors. 2014. V. 48. No 13. P. 1757–1762.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    При этом, особенно при проведении прикладных исследований по прототипированию перспективных элементов ИМС, возникает необходимость в разработке новых методик нанолитографии, позволяющих изготавливать структуры элементов ИМС в нанометровом масштабе с меньшими затратами и в более короткие сроки, чем классические методы фото- и электронно-лучевой литографии
    Exact
    [4–9]
    Suffix
    . Один из перспективных методов формирования наноразмерных структур — импринт-литография, частным случаем которой является силовая зондовая нанолитография (СЗН) с использованием атомно-силового микроскопа (АСМ) [10].

  2. In-text reference with the coordinate start=3773
    Prefix
    Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники
    Exact
    [4–15]
    Suffix
    , в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами. Кроме того, широко используемый при наноимпринт-литографии полиметилметакрилат (ПММА) имеет достаточно высокую стоимость и ограничения по срокам и условиям хранения, что затрудняет его использование при прототипировании перспек

8
Garcia R, Knoll A.W., Riedo E. Advanced scanning probe lithography // Nature nanotechnology. 2014. V. 9. P. 577–587.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    При этом, особенно при проведении прикладных исследований по прототипированию перспективных элементов ИМС, возникает необходимость в разработке новых методик нанолитографии, позволяющих изготавливать структуры элементов ИМС в нанометровом масштабе с меньшими затратами и в более короткие сроки, чем классические методы фото- и электронно-лучевой литографии
    Exact
    [4–9]
    Suffix
    . Один из перспективных методов формирования наноразмерных структур — импринт-литография, частным случаем которой является силовая зондовая нанолитография (СЗН) с использованием атомно-силового микроскопа (АСМ) [10].

  2. In-text reference with the coordinate start=3773
    Prefix
    Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники
    Exact
    [4–15]
    Suffix
    , в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами. Кроме того, широко используемый при наноимпринт-литографии полиметилметакрилат (ПММА) имеет достаточно высокую стоимость и ограничения по срокам и условиям хранения, что затрудняет его использование при прототипировании перспек

9
Tang Q., Shi S.-Q., Zhou L. Nanofabrication with Atomic Force Microscopy // Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2004. V. 4. No 8. P. 948–963.
Total in-text references: 4
  1. In-text reference with the coordinate start=2287
    Prefix
    При этом, особенно при проведении прикладных исследований по прототипированию перспективных элементов ИМС, возникает необходимость в разработке новых методик нанолитографии, позволяющих изготавливать структуры элементов ИМС в нанометровом масштабе с меньшими затратами и в более короткие сроки, чем классические методы фото- и электронно-лучевой литографии
    Exact
    [4–9]
    Suffix
    . Один из перспективных методов формирования наноразмерных структур — импринт-литография, частным случаем которой является силовая зондовая нанолитография (СЗН) с использованием атомно-силового микроскопа (АСМ) [10].

  2. In-text reference with the coordinate start=3175
    Prefix
    К достоинствам СЗН относятся высокая разрешающая способность, возможность формирования и контроля параметров ПНС в едином технологическом цикле, а также отсутствие физических шаблонов. С использованием СЗН сформированы различные структуры элементов наноэлектроники и микросистемной техники
    Exact
    [9, 14]
    Suffix
    . На качество получаемых ПНС влияют толщина и шероховатость полимерной пленки, значения которых должны находиться в диапазонах 20–60 и 1–5 нм, соответственно [10, 11, 15].

  3. In-text reference with the coordinate start=3773
    Prefix
    Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники
    Exact
    [4–15]
    Suffix
    , в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами. Кроме того, широко используемый при наноимпринт-литографии полиметилметакрилат (ПММА) имеет достаточно высокую стоимость и ограничения по срокам и условиям хранения, что затрудняет его использование при прототипировании перспек

  4. In-text reference with the coordinate start=8911
    Prefix
    Анализ полученных зависимостей показал, что пленки ФР, полученные при объемном соотношении фоторезист/разбавитель 1:15 и скорости вращения 5000 об/мин, имеют толщину 20 ± 2 нм и шероховатость 2.23 ± 0.10 нм и могут быть использованы для исследования режимов профилирования наноразмерных структур методом СЗН
    Exact
    [9, 10, 16, 19, 20]
    Suffix
    . А B Рис. 2. Результаты исследований режимов нанесения пленок фоторезиста ФП-383: а — зависимости толщины пленки фоторезиста от скорости вращения центрифуги при различных объемных соотношениях фоторезист/разбавитель; b — зависимости толщины пленки фоторезиста от объемного соотношения фоторезист/разбавитель при различных скоростях вращения центрифуги Рис. 3.

10
Bizyaev D.A., Bukharaev A.A., Ziganshina S.A., Khanipov T.F., Chuklanov, A.P. Creation of lithographic masks using a scanning probe microscope // Russian Microelectronics. 2015. V. 44 No 6. P. 389–398.
Total in-text references: 4
  1. In-text reference with the coordinate start=2538
    Prefix
    Один из перспективных методов формирования наноразмерных структур — импринт-литография, частным случаем которой является силовая зондовая нанолитография (СЗН) с использованием атомно-силового микроскопа (АСМ)
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Метод СЗН заключается в модификации тонких полимерных пленок путем формирования в них профилированных наноразмерных структур (ПНС) с помощью острия зонда АСМ. Через полученные ПНС в виде окон можно проводить различные технологические операции формирования наноразмерных структур [12, 13].

  2. In-text reference with the coordinate start=3368
    Prefix
    С использованием СЗН сформированы различные структуры элементов наноэлектроники и микросистемной техники [9, 14]. На качество получаемых ПНС влияют толщина и шероховатость полимерной пленки, значения которых должны находиться в диапазонах 20–60 и 1–5 нм, соответственно
    Exact
    [10, 11, 15]
    Suffix
    . Кроме того, пленка должна быть равномерной по толщине и иметь достаточно высокую адгезию к подложке [13, 14]. Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15].

  3. In-text reference with the coordinate start=3773
    Prefix
    Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники
    Exact
    [4–15]
    Suffix
    , в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами. Кроме того, широко используемый при наноимпринт-литографии полиметилметакрилат (ПММА) имеет достаточно высокую стоимость и ограничения по срокам и условиям хранения, что затрудняет его использование при прототипировании перспек

  4. In-text reference with the coordinate start=8911
    Prefix
    Анализ полученных зависимостей показал, что пленки ФР, полученные при объемном соотношении фоторезист/разбавитель 1:15 и скорости вращения 5000 об/мин, имеют толщину 20 ± 2 нм и шероховатость 2.23 ± 0.10 нм и могут быть использованы для исследования режимов профилирования наноразмерных структур методом СЗН
    Exact
    [9, 10, 16, 19, 20]
    Suffix
    . А B Рис. 2. Результаты исследований режимов нанесения пленок фоторезиста ФП-383: а — зависимости толщины пленки фоторезиста от скорости вращения центрифуги при различных объемных соотношениях фоторезист/разбавитель; b — зависимости толщины пленки фоторезиста от объемного соотношения фоторезист/разбавитель при различных скоростях вращения центрифуги Рис. 3.

11
Chen Y.-J., Hsu J.-H., Lin H.-N. Fabrication of metal nanowires by atomic force microscopy nanoscratching and lift-off process // Nanotechnology. 2005. V. 16. No 8. P. 1112–1115.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=3368
    Prefix
    С использованием СЗН сформированы различные структуры элементов наноэлектроники и микросистемной техники [9, 14]. На качество получаемых ПНС влияют толщина и шероховатость полимерной пленки, значения которых должны находиться в диапазонах 20–60 и 1–5 нм, соответственно
    Exact
    [10, 11, 15]
    Suffix
    . Кроме того, пленка должна быть равномерной по толщине и иметь достаточно высокую адгезию к подложке [13, 14]. Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15].

  2. In-text reference with the coordinate start=3773
    Prefix
    Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники
    Exact
    [4–15]
    Suffix
    , в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами. Кроме того, широко используемый при наноимпринт-литографии полиметилметакрилат (ПММА) имеет достаточно высокую стоимость и ограничения по срокам и условиям хранения, что затрудняет его использование при прототипировании перспек

12
Sung I.-H., Kim D.-E., Nano-scale patterning by mechanochemical scanning probe lithography // Applied Surface Science. 2005. V. 239. No 2. P. 209–221.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=2850
    Prefix
    Метод СЗН заключается в модификации тонких полимерных пленок путем формирования в них профилированных наноразмерных структур (ПНС) с помощью острия зонда АСМ. Через полученные ПНС в виде окон можно проводить различные технологические операции формирования наноразмерных структур
    Exact
    [12, 13]
    Suffix
    . К достоинствам СЗН относятся высокая разрешающая способность, возможность формирования и контроля параметров ПНС в едином технологическом цикле, а также отсутствие физических шаблонов.

  2. In-text reference with the coordinate start=3650
    Prefix
    Кроме того, пленка должна быть равномерной по толщине и иметь достаточно высокую адгезию к подложке [13, 14]. Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок
    Exact
    [12–15]
    Suffix
    . Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники [4–15], в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами.

  3. In-text reference with the coordinate start=3773
    Prefix
    Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники
    Exact
    [4–15]
    Suffix
    , в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами. Кроме того, широко используемый при наноимпринт-литографии полиметилметакрилат (ПММА) имеет достаточно высокую стоимость и ограничения по срокам и условиям хранения, что затрудняет его использование при прототипировании перспек

13
Bizyaev D.A., Bukharaev A.A., Lebedev D.V., Nurgazizov N.I., Khanipov T.F. Nickel nanoparticles and nanowires obtained by scanning probe lithography using point indentation technique // Technical Physics Letters. 2012. V. 38. No 7. P. 645–648.
Total in-text references: 4
  1. In-text reference with the coordinate start=2850
    Prefix
    Метод СЗН заключается в модификации тонких полимерных пленок путем формирования в них профилированных наноразмерных структур (ПНС) с помощью острия зонда АСМ. Через полученные ПНС в виде окон можно проводить различные технологические операции формирования наноразмерных структур
    Exact
    [12, 13]
    Suffix
    . К достоинствам СЗН относятся высокая разрешающая способность, возможность формирования и контроля параметров ПНС в едином технологическом цикле, а также отсутствие физических шаблонов.

  2. In-text reference with the coordinate start=3500
    Prefix
    На качество получаемых ПНС влияют толщина и шероховатость полимерной пленки, значения которых должны находиться в диапазонах 20–60 и 1–5 нм, соответственно [10, 11, 15]. Кроме того, пленка должна быть равномерной по толщине и иметь достаточно высокую адгезию к подложке
    Exact
    [13, 14]
    Suffix
    . Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники [4–15], в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными гео

  3. In-text reference with the coordinate start=3650
    Prefix
    Кроме того, пленка должна быть равномерной по толщине и иметь достаточно высокую адгезию к подложке [13, 14]. Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок
    Exact
    [12–15]
    Suffix
    . Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники [4–15], в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами.

  4. In-text reference with the coordinate start=3773
    Prefix
    Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники
    Exact
    [4–15]
    Suffix
    , в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами. Кроме того, широко используемый при наноимпринт-литографии полиметилметакрилат (ПММА) имеет достаточно высокую стоимость и ограничения по срокам и условиям хранения, что затрудняет его использование при прототипировании перспек

14
Akhavan O., Abdolahad M. // Physical bounds of metallic nanofingers obtained by mechano-chemical atomic force microscope nanolithography // Applied Surface Science. 2009. V. 255. No 6. P. 3513–3517.
Total in-text references: 4
  1. In-text reference with the coordinate start=3175
    Prefix
    К достоинствам СЗН относятся высокая разрешающая способность, возможность формирования и контроля параметров ПНС в едином технологическом цикле, а также отсутствие физических шаблонов. С использованием СЗН сформированы различные структуры элементов наноэлектроники и микросистемной техники
    Exact
    [9, 14]
    Suffix
    . На качество получаемых ПНС влияют толщина и шероховатость полимерной пленки, значения которых должны находиться в диапазонах 20–60 и 1–5 нм, соответственно [10, 11, 15].

  2. In-text reference with the coordinate start=3500
    Prefix
    На качество получаемых ПНС влияют толщина и шероховатость полимерной пленки, значения которых должны находиться в диапазонах 20–60 и 1–5 нм, соответственно [10, 11, 15]. Кроме того, пленка должна быть равномерной по толщине и иметь достаточно высокую адгезию к подложке
    Exact
    [13, 14]
    Suffix
    . Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники [4–15], в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными гео

  3. In-text reference with the coordinate start=3650
    Prefix
    Кроме того, пленка должна быть равномерной по толщине и иметь достаточно высокую адгезию к подложке [13, 14]. Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок
    Exact
    [12–15]
    Suffix
    . Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники [4–15], в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами.

  4. In-text reference with the coordinate start=3773
    Prefix
    Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники
    Exact
    [4–15]
    Suffix
    , в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами. Кроме того, широко используемый при наноимпринт-литографии полиметилметакрилат (ПММА) имеет достаточно высокую стоимость и ограничения по срокам и условиям хранения, что затрудняет его использование при прототипировании перспек

15
Akhavan O., Abdolahad M. // Mechano-chemical AFM nanolithography of metallic thin films: A statistical analysis // Current Applied Physics. 2010. V. 10. No 4. P. 1203–1210.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=3368
    Prefix
    С использованием СЗН сформированы различные структуры элементов наноэлектроники и микросистемной техники [9, 14]. На качество получаемых ПНС влияют толщина и шероховатость полимерной пленки, значения которых должны находиться в диапазонах 20–60 и 1–5 нм, соответственно
    Exact
    [10, 11, 15]
    Suffix
    . Кроме того, пленка должна быть равномерной по толщине и иметь достаточно высокую адгезию к подложке [13, 14]. Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15].

  2. In-text reference with the coordinate start=3650
    Prefix
    Кроме того, пленка должна быть равномерной по толщине и иметь достаточно высокую адгезию к подложке [13, 14]. Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок
    Exact
    [12–15]
    Suffix
    . Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники [4–15], в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами.

  3. In-text reference with the coordinate start=3773
    Prefix
    Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники
    Exact
    [4–15]
    Suffix
    , в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами. Кроме того, широко используемый при наноимпринт-литографии полиметилметакрилат (ПММА) имеет достаточно высокую стоимость и ограничения по срокам и условиям хранения, что затрудняет его использование при прототипировании перспек

16
Yong D.Y., Gao D.W., Hu Z.J., Zhao X.S., Yan J.C. Polymer Nanostructured Components Machined Directly by the Atomic Force Microscopy Scratching Method // International journal of precision engineering and manufacturing. 2011. V. 13. No 2. P. 269–273.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8911
    Prefix
    Анализ полученных зависимостей показал, что пленки ФР, полученные при объемном соотношении фоторезист/разбавитель 1:15 и скорости вращения 5000 об/мин, имеют толщину 20 ± 2 нм и шероховатость 2.23 ± 0.10 нм и могут быть использованы для исследования режимов профилирования наноразмерных структур методом СЗН
    Exact
    [9, 10, 16, 19, 20]
    Suffix
    . А B Рис. 2. Результаты исследований режимов нанесения пленок фоторезиста ФП-383: а — зависимости толщины пленки фоторезиста от скорости вращения центрифуги при различных объемных соотношениях фоторезист/разбавитель; b — зависимости толщины пленки фоторезиста от объемного соотношения фоторезист/разбавитель при различных скоростях вращения центрифуги Рис. 3.

17
Моро У. Микролитография: принципы, методы, материалы. Часть 1. М.: Мир, 1990. С. 607.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8583
    Prefix
    Достаточно большие значения доверительного интервала значений шероховатости объясняются влиянием центробежных сил на распределение фоторезиста по поверхности подложки, а также испарением летучих компонентов фоторезиста
    Exact
    [17, 18]
    Suffix
    . Анализ полученных зависимостей показал, что пленки ФР, полученные при объемном соотношении фоторезист/разбавитель 1:15 и скорости вращения 5000 об/мин, имеют толщину 20 ± 2 нм и шероховатость 2.23 ± 0.10 нм и могут быть использованы для исследования режимов профилирования наноразмерных структур методом СЗН [9, 10, 16, 19, 20].

18
Мартынов В.В., Базарова Т.Е. Литографические процессы. М.: Высш.школа, 1990. С. 128.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8583
    Prefix
    Достаточно большие значения доверительного интервала значений шероховатости объясняются влиянием центробежных сил на распределение фоторезиста по поверхности подложки, а также испарением летучих компонентов фоторезиста
    Exact
    [17, 18]
    Suffix
    . Анализ полученных зависимостей показал, что пленки ФР, полученные при объемном соотношении фоторезист/разбавитель 1:15 и скорости вращения 5000 об/мин, имеют толщину 20 ± 2 нм и шероховатость 2.23 ± 0.10 нм и могут быть использованы для исследования режимов профилирования наноразмерных структур методом СЗН [9, 10, 16, 19, 20].

19
Lyuksyuto S.F., Vaia R.A. Electrostatic nanolithography in polymers using atomic force microscopy // Nature Materials. 2003. V. 2. P. 468–472.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8911
    Prefix
    Анализ полученных зависимостей показал, что пленки ФР, полученные при объемном соотношении фоторезист/разбавитель 1:15 и скорости вращения 5000 об/мин, имеют толщину 20 ± 2 нм и шероховатость 2.23 ± 0.10 нм и могут быть использованы для исследования режимов профилирования наноразмерных структур методом СЗН
    Exact
    [9, 10, 16, 19, 20]
    Suffix
    . А B Рис. 2. Результаты исследований режимов нанесения пленок фоторезиста ФП-383: а — зависимости толщины пленки фоторезиста от скорости вращения центрифуги при различных объемных соотношениях фоторезист/разбавитель; b — зависимости толщины пленки фоторезиста от объемного соотношения фоторезист/разбавитель при различных скоростях вращения центрифуги Рис. 3.

20
Hassani S.S., Aghabozorg H.R. Nanolithography Study Using Scanning Probe Microscope // Recent Advances in Nanolithography Techniques and Applications. 2011. P. 458–471.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=8911
    Prefix
    Анализ полученных зависимостей показал, что пленки ФР, полученные при объемном соотношении фоторезист/разбавитель 1:15 и скорости вращения 5000 об/мин, имеют толщину 20 ± 2 нм и шероховатость 2.23 ± 0.10 нм и могут быть использованы для исследования режимов профилирования наноразмерных структур методом СЗН
    Exact
    [9, 10, 16, 19, 20]
    Suffix
    . А B Рис. 2. Результаты исследований режимов нанесения пленок фоторезиста ФП-383: а — зависимости толщины пленки фоторезиста от скорости вращения центрифуги при различных объемных соотношениях фоторезист/разбавитель; b — зависимости толщины пленки фоторезиста от объемного соотношения фоторезист/разбавитель при различных скоростях вращения центрифуги Рис. 3.

  2. In-text reference with the coordinate start=9890
    Prefix
    Анализ зависимости глубины ПНС от силы прижима зонда к поверхности образца (рис. 4) показал, что при увеличении силы прижима зонда от 0.25 до 3.25 мкН увеличиваются глубина ПНС от 1.1 ± 0.3 до 17.2 ± 2.1 нм и диаметр ПНС от 37 ± 4 до 112 ± 5 нм. Нелинейность полученных зависимостей (рис. 4C, D) можно объяснить неоднородностью вязкоупругих свойств пленки ФР
    Exact
    [20]
    Suffix
    . Сопоставление полученных зависимостей (рис. 4) с результатами, представленными на рис. 2, показало, что для данной пленки ФР сила прижима 3.25 мкН является критической, поскольку глубина полученных ПНС сопоставима с толщиной пленки ФР, то есть зонд прокалывает пленку и дальнейшее увеличение силы прижима может приводить к разрушению структур, расположенных под пленкой.