The 24 reference contexts in paper Т. Тимофеева Е., В. Тимофеев Б., Д. Николаев В. (2018) “ФОТОДИОД ГРАФЕН-КРЕМНИЙ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ МЕТОДОМ ЛАМИНИРОВАНИЯ, И ЕГО ХАРАКТЕРИСТИКИ” / spz:neicon:nanorf:y:2018:i:4:p:28-31

  1. Start
    1641
    Prefix
    Однако графен имеет низкую квантовую эффективность, поскольку поглощает только 2.3 % падающего на него света, поэтому графен используют совместно с полупроводником, например с кремнием
    Exact
    [1– 11]
    Suffix
    . Фотоэлектрические свойства фотодиода на барьере Шоттки, возникающего на контакте графен — кремний (Gr/Si), исследованы еще в 2011 г. в работе [1]. Для этого изготавливались структуры графен/кремний n- и р-типа со сложной структурой контактов Cr/Au/Si3N4/SiO2, при этом использовался микромеханически расщепленный графен.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    1791
    Prefix
    Однако графен имеет низкую квантовую эффективность, поскольку поглощает только 2.3 % падающего на него света, поэтому графен используют совместно с полупроводником, например с кремнием [1– 11]. Фотоэлектрические свойства фотодиода на барьере Шоттки, возникающего на контакте графен — кремний (Gr/Si), исследованы еще в 2011 г. в работе
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Для этого изготавливались структуры графен/кремний n- и р-типа со сложной структурой контактов Cr/Au/Si3N4/SiO2, при этом использовался микромеханически расщепленный графен. Измерения вольтамперной характеристики (ВАХ) данной структуры показали характерное для диода выпрямляющее поведение ВАХ с энергетическим барьером 0.41–0.45 эВ.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    2332
    Prefix
    Измерения вольтамперной характеристики (ВАХ) данной структуры показали характерное для диода выпрямляющее поведение ВАХ с энергетическим барьером 0.41–0.45 эВ. Контакт Gr/Si освещался лазерным излучением с длиной волны 532 нм, при этом обратный ток фотодиода увеличивался на два порядка, что показывает генерацию носителей фототока
    Exact
    [1]
    Suffix
    . В последующей работе в 2013 г. был исследован фотодетектор на гетеропереходе Gr/Si [2]. Фотодетектор был изготовлен переносом CVD-графена на подложку SiO2/Si, оксидный слой SiO2 был частично вытравлен для получения контакта Gr/Si.
    (check this in PDF content)

  4. Start
    2434
    Prefix
    Контакт Gr/Si освещался лазерным излучением с длиной волны 532 нм, при этом обратный ток фотодиода увеличивался на два порядка, что показывает генерацию носителей фототока [1]. В последующей работе в 2013 г. был исследован фотодетектор на гетеропереходе Gr/Si
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Фотодетектор был изготовлен переносом CVD-графена на подложку SiO2/Si, оксидный слой SiO2 был частично вытравлен для получения контакта Gr/Si. Площадь контакта Gr/Si составляла 25 мм2.
    (check this in PDF content)

  5. Start
    3060
    Prefix
    Фотодетектор обладал высокой чувствительностью до 435 мА/Вт и широким диапазоном регистрации электромагнитного излучения (400 нм < λ < 900 нм). Превосходные характеристики фотодетектора на гетеропереходе графен/кремний привели к публикации значительного числа работ на эту тему
    Exact
    [3–11]
    Suffix
    . В работах [3, 4] предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4].
    (check this in PDF content)

  6. Start
    3081
    Prefix
    Фотодетектор обладал высокой чувствительностью до 435 мА/Вт и широким диапазоном регистрации электромагнитного излучения (400 нм < λ < 900 нм). Превосходные характеристики фотодетектора на гетеропереходе графен/кремний привели к публикации значительного числа работ на эту тему [3–11]. В работах
    Exact
    [3, 4]
    Suffix
    предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4].
    (check this in PDF content)

  7. Start
    3253
    Prefix
    Превосходные характеристики фотодетектора на гетеропереходе графен/кремний привели к публикации значительного числа работ на эту тему [3–11]. В работах [3, 4] предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт
    Exact
    [3]
    Suffix
    . Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4]. В [5] разработан проект фотодетектора графен/кремний на длину волны 1.55 мкм и выполнены оценки квантовой эффективности устройства.
    (check this in PDF content)

  8. Start
    3374
    Prefix
    В работах [3, 4] предложено использовать гетеропереход графен/кремний в режиме фототранзистора. Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор
    Exact
    [4]
    Suffix
    . В [5] разработан проект фотодетектора графен/кремний на длину волны 1.55 мкм и выполнены оценки квантовой эффективности устройства. В [6] исследованы спектральные характеристики фотодетектора графен/ кремний на пластинах p-Siи n-Si, а также приведены сравнительные характеристики фотодетектора MoS2-p-Si.
    (check this in PDF content)

  9. Start
    3382
    Prefix
    Это позволило повысить чувствительность фотодетектора до 107А/Вт [3]. Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4]. В
    Exact
    [5]
    Suffix
    разработан проект фотодетектора графен/кремний на длину волны 1.55 мкм и выполнены оценки квантовой эффективности устройства. В [6] исследованы спектральные характеристики фотодетектора графен/ кремний на пластинах p-Siи n-Si, а также приведены сравнительные характеристики фотодетектора MoS2-p-Si.
    (check this in PDF content)

  10. Start
    3527
    Prefix
    Высокую чувствительность 104 A/Вт и малое время отклика (3 μs) показал графен-кремниевый фотодетектор [4]. В [5] разработан проект фотодетектора графен/кремний на длину волны 1.55 мкм и выполнены оценки квантовой эффективности устройства. В
    Exact
    [6]
    Suffix
    исследованы спектральные характеристики фотодетектора графен/ кремний на пластинах p-Siи n-Si, а также приведены сравнительные характеристики фотодетектора MoS2-p-Si. Влияние химического легирования графена растворами AuCl3 и NH4F на высоту барьера Шоттки G/Si исследовано в [7].
    (check this in PDF content)

  11. Start
    3827
    Prefix
    В [6] исследованы спектральные характеристики фотодетектора графен/ кремний на пластинах p-Siи n-Si, а также приведены сравнительные характеристики фотодетектора MoS2-p-Si. Влияние химического легирования графена растворами AuCl3 и NH4F на высоту барьера Шоттки G/Si исследовано в
    Exact
    [7]
    Suffix
    . Использование межфазного оксидного слоя SiO2 между кремнием и графеном позволило снизить темновой ток фотодиода на два порядка без потери чувствительности [8]. Влияние паразитного конденсатора, образованного оксидным слоем SiO2, и включенным параллельно гетеропереходу G/Si, на характеристики фотодетектора рассмотрено в [9].
    (check this in PDF content)

  12. Start
    4000
    Prefix
    Влияние химического легирования графена растворами AuCl3 и NH4F на высоту барьера Шоттки G/Si исследовано в [7]. Использование межфазного оксидного слоя SiO2 между кремнием и графеном позволило снизить темновой ток фотодиода на два порядка без потери чувствительности
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Влияние паразитного конденсатора, образованного оксидным слоем SiO2, и включенным параллельно гетеропереходу G/Si, на характеристики фотодетектора рассмотрено в [9]. Нанесение антиотражающего слоя Al2O3 поверх графена на гетеропереходе G/Si увеличило чувствительность фотодетектора до 0.14 A/Вт в ультрафиолетовом спектральном диапазоне от 200 до 400
    (check this in PDF content)

  13. Start
    4184
    Prefix
    Использование межфазного оксидного слоя SiO2 между кремнием и графеном позволило снизить темновой ток фотодиода на два порядка без потери чувствительности [8]. Влияние паразитного конденсатора, образованного оксидным слоем SiO2, и включенным параллельно гетеропереходу G/Si, на характеристики фотодетектора рассмотрено в
    Exact
    [9]
    Suffix
    . Нанесение антиотражающего слоя Al2O3 поверх графена на гетеропереходе G/Si увеличило чувствительность фотодетектора до 0.14 A/Вт в ультрафиолетовом спектральном диапазоне от 200 до 400 нм [10].
    (check this in PDF content)

  14. Start
    4402
    Prefix
    Нанесение антиотражающего слоя Al2O3 поверх графена на гетеропереходе G/Si увеличило чувствительность фотодетектора до 0.14 A/Вт в ультрафиолетовом спектральном диапазоне от 200 до 400 нм
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Пространственное сканирование фототока в гибридном фотодиоде G/Si, G/SiO2, Cr/Au, выявило особенности физических процессов в гетеропереходах [11]. Как видно из краткого обзора работ по графен-кремниевым фотодетекторам, основные усилия исследователей были направлены на улучшение характеристик детекторов, таких как чувствительность, ширина частотног
    (check this in PDF content)

  15. Start
    4566
    Prefix
    Нанесение антиотражающего слоя Al2O3 поверх графена на гетеропереходе G/Si увеличило чувствительность фотодетектора до 0.14 A/Вт в ультрафиолетовом спектральном диапазоне от 200 до 400 нм [10]. Пространственное сканирование фототока в гибридном фотодиоде G/Si, G/SiO2, Cr/Au, выявило особенности физических процессов в гетеропереходах
    Exact
    [11]
    Suffix
    . Как видно из краткого обзора работ по графен-кремниевым фотодетекторам, основные усилия исследователей были направлены на улучшение характеристик детекторов, таких как чувствительность, ширина частотного диапазона, быстродействие и исследование физики процессов в гетеропереходах фотодетектора.
    (check this in PDF content)

  16. Start
    5056
    Prefix
    усилия исследователей были направлены на улучшение характеристик детекторов, таких как чувствительность, ширина частотного диапазона, быстродействие и исследование физики процессов в гетеропереходах фотодетектора. Процесс изготовления графен-кремниевого фотодетектора оставался при этом достаточно сложным и включал несколько этапов. Например, в
    Exact
    [6]
    Suffix
    , на пластине кремния частично вытравливался слой SiO2 методом ультрафиолетовой фотолитографии, затем методом фотолитографии и вакуумным напылением формировались электрические контакты.
    (check this in PDF content)

  17. Start
    5904
    Prefix
    В этой работе предложен простой метод изготовления графенкремниевого фотодетектора. В его основе лежит способ переноса CVD-графена на полимерную подложку методом ламинирования, описанный в
    Exact
    [12]
    Suffix
    . Несмотря на простоту, изготовленный таким методом фотодетектор не уступает по своим характеристикам фотодетекторам, представленным в [2, 6]. экспеРиментальная часть Для изготовления фотодиода была использована прозрачная полимерная пленка для ламинирования с перенесенным CVD-графеном [12].
    (check this in PDF content)

  18. Start
    6051
    Prefix
    В его основе лежит способ переноса CVD-графена на полимерную подложку методом ламинирования, описанный в [12]. Несмотря на простоту, изготовленный таким методом фотодетектор не уступает по своим характеристикам фотодетекторам, представленным в
    Exact
    [2, 6]
    Suffix
    . экспеРиментальная часть Для изготовления фотодиода была использована прозрачная полимерная пленка для ламинирования с перенесенным CVD-графеном [12]. Полимерная пленка приклеивалась графеновой стороной к пластинке кремния методом термокомпрессии.
    (check this in PDF content)

  19. Start
    6221
    Prefix
    Несмотря на простоту, изготовленный таким методом фотодетектор не уступает по своим характеристикам фотодетекторам, представленным в [2, 6]. экспеРиментальная часть Для изготовления фотодиода была использована прозрачная полимерная пленка для ламинирования с перенесенным CVD-графеном
    Exact
    [12]
    Suffix
    . Полимерная пленка приклеивалась графеновой стороной к пластинке кремния методом термокомпрессии. Серебряной пастой наносились контакты на графен и кремний, высушивались, и фотодиод был готов (рис. 1).
    (check this in PDF content)

  20. Start
    6738
    Prefix
    Термокомпрессия представляла собой такой же процесс ламинирования, как и приклеивание медной фольги с осажРис. 1. Графен-кремниевый фотодиод, изготовленный методом ламинирования денным CVD-графеном к полимерной пленке
    Exact
    [12]
    Suffix
    . Пленка с CVD-графеном равномерно прижималась к пластинке кремния с усилием примерно 104 Н/м2 и нагревалась до 110 °С. После остывания получался достаточно прочный механический и электрический контакт CVD-графена с кремнием.
    (check this in PDF content)

  21. Start
    9632
    Prefix
    Световые вольтамперные характеристики (рис. 3) позволяют построить зависимость чувствительности фотодиода от обратного напряжения для разной мощности облучения (рис. 4). Максимальная чувствительность рассматриваемого графен-кремниевого фотодиода равна примерно 0.37 А/Вт. Это значение меньше, чем у аналогичного фотодиода, описанного в
    Exact
    [2]
    Suffix
    (0.44 А/Вт). Внешняя квантовая эффективность предложенного фотодетектора, рассчитываемая по формуле η = 1240·S/λ, где S (А/Вт)–чувствительность фотодетектора, λ (нм) — длина волны облучения, равна 0.88.
    (check this in PDF content)

  22. Start
    9962
    Prefix
    Внешняя квантовая эффективность предложенного фотодетектора, рассчитываемая по формуле η = 1240·S/λ, где S (А/Вт)–чувствительность фотодетектора, λ (нм) — длина волны облучения, равна 0.88. Это значение больше 0.65-квантовой эффективности фотодетектора, описанного в
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Шумовые характеристики данного фотодетектора определяются в основном величиной темнового тока, который значителен и составляет примерно 340 нА при температуре 298 К. Нормированная эквивалентная мощность шума, рассчитываемая по формуле P = IП/S, где IП(А) — полный шумовой ток, S (А/Вт) — чувствительность фотодетектора, равна примерно 1 пВт/Гц1/2.
    (check this in PDF content)

  23. Start
    10946
    Prefix
    Темновые ВАХ фотодиода графен-кремний при разных температурах Рис. 3. Световые ВАХ при разной мощности облучения фотодиода графен-кремний на длине волны 520 нм, Т = 298 К Она отличается от аналогичных характеристик, полученных другими авторами
    Exact
    [2, 6, 10]
    Suffix
    . Как видно из графика (рис. 5), спектральная кривая имеет максимумы на длинах волн примерно 340, 700 и 900 нм. Возможно, что подъем кривой в области коротких длин волн вызван полимерной пленкой, покрывающей графен.
    (check this in PDF content)

  24. Start
    11227
    Prefix
    Как видно из графика (рис. 5), спектральная кривая имеет максимумы на длинах волн примерно 340, 700 и 900 нм. Возможно, что подъем кривой в области коротких длин волн вызван полимерной пленкой, покрывающей графен. Аналогичный эффект наблюдался в работе
    Exact
    [10]
    Suffix
    , когда поверх графена напылялся тонкий слой Al2O3. Заключение Метод ламинирования позволяет значительно упростить изготовление графен-кремниевого фотодиода. Это открывает возможность повторения конструкции широким кругом исследователей.
    (check this in PDF content)