The 9 reference contexts in paper В. Полякова В., В. Смирнов А., О. Агеев А. (2018) “ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ НАНОРАЗМЕРНОГО ПРОФИЛИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ЛОКАЛЬНОГО АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ” / spz:neicon:nanorf:y:2018:i:2:p:87-92

  1. Start
    1804
    Prefix
    Одной из основных проблем при изготовлении элементов наноэлектроники является необходимость совершенствования методов литографии, которые должны обеспечивать точность и воспроизводимость изготовления наноразмерных структур
    Exact
    [1–4]
    Suffix
    . Одним из перспективных методов литографии является локальное анодное окисление (ЛАО), которое обеспечивает высокое пространственное разрешение и воспроизводимость, а также возможность прямой модификации поверхности подложки без дополнительных операций, характерных для фотолитографии [5].
    (check this in PDF content)

  2. Start
    2115
    Prefix
    Одним из перспективных методов литографии является локальное анодное окисление (ЛАО), которое обеспечивает высокое пространственное разрешение и воспроизводимость, а также возможность прямой модификации поверхности подложки без дополнительных операций, характерных для фотолитографии
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Метод ЛАО позволяет формировать оксидные наноразмерные структуры (ОНС) на поверхности различных материалов, которые могут быть применены при разработке и создании элементов микро- и наноэлектроники, элементов резистивной памяти на основе мемристорных структур, литографических масок, а также каталитических центров для выращивания нитевидных наностру
    (check this in PDF content)

  3. Start
    2523
    Prefix
    ЛАО позволяет формировать оксидные наноразмерные структуры (ОНС) на поверхности различных материалов, которые могут быть применены при разработке и создании элементов микро- и наноэлектроники, элементов резистивной памяти на основе мемристорных структур, литографических масок, а также каталитических центров для выращивания нитевидных наноструктур
    Exact
    [6–11]
    Suffix
    . Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле [9–11].
    (check this in PDF content)

  4. Start
    2758
    Prefix
    Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле
    Exact
    [9–11]
    Suffix
    . Однако, несмотря на достаточно большое количество научных публикации по данной проблеме [11–14], закономерности влияния технологических режимов локального анодного окисления на геометрические параметры профилированных наноразмерных структур на поверхности кремния остаются недостаточно изученными.
    (check this in PDF content)

  5. Start
    2853
    Prefix
    Кроме того, сочетание метода ЛАО и жидкостного травления позволяет осуществлять профилирование поверхности подложек для формирования структур микрофлюидики, которые используются для создания лабораторий на кристалле [9–11]. Однако, несмотря на достаточно большое количество научных публикации по данной проблеме
    Exact
    [11–14]
    Suffix
    , закономерности влияния технологических режимов локального анодного окисления на геометрические параметры профилированных наноразмерных структур на поверхности кремния остаются недостаточно изученными.
    (check this in PDF content)

  6. Start
    4071
    Prefix
    При проведении исследований использовались подложки кремния КЭФ-0.1 (100), которые проходили очистку в ацетоне и изопропиловом спирте при температуре 70 °C в течение 10 минут, а также обработки в водном растворе HF (10 %) в течение 30 секунд
    Exact
    [11]
    Suffix
    . Затем с использованием зондовой нанолаборатории (ЗНЛ) Ntegra (ЗАО «НТ-МДТ», Россия) проводилась нанолитография методом ЛАО поверхности кремния в контактном режиме атомно-силовой микроскопии (АСМ) кантилеверами марки NSG 11 с проводящим покрытием из Pt при следующих параметрах: амплитуда импульсов напряжения изменялась от 5 до 20 В, длительность импульсов напря
    (check this in PDF content)

  7. Start
    6029
    Prefix
    Исследование морфологии поверхности структур проводилось методом атомно-силовой микроскопии в контактном режиме методом АСМ с использованием кантилеверов NSG 11. Обработка АСМ-изображений, включая деконволюцию и статистическую обработку, проводилась с использованием программного пакета Image Analysis 3.5 по разработанной методике
    Exact
    [15]
    Suffix
    . РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ По результатам обработки АСМ изображений получены зависимости геометрических параметров ОНС (высоты и диаметра) и ПНС (глубины и диаметра) от амплитуды импульсов напряжения и относительной влажности (рис. 3, 4).
    (check this in PDF content)

  8. Start
    7395
    Prefix
    Зависимости геометрических параметров наноструктур от относительной влажности при различной амплитуде напряжения (1, 1' — 10 В; 2, 2' — 15 В): А — высота ОНС и глубина ПНС; Б — диаметры ОНС и ПНС ности потока ионов кислорода к реакционной области при увеличении напряженности электрического поля в зазоре зонд — подложка
    Exact
    [16]
    Suffix
    . На рис. 4 представлены зависимости геометрических параметров ОНС и ПНС, полученных при напряжении 10 и 15 В, при различной относительной влажности. Увеличение уровня относительной влажности приводит к увеличению геометрических размеров ОНС и ПНС, что объясняется увеличением концентрации окислителя.
    (check this in PDF content)

  9. Start
    9006
    Prefix
    Используя данное соотношение, можно оценить плотность оксидного материала, получаемого методом ЛАО. Анализ показал, что для полученных отношений hОНС/hПНС значения плотности оксидного материала составляют 2.31 и 2.32 г/см3 что хорошо согласуется с плотностью диоксида кремния
    Exact
    [17]
    Suffix
    . Полученные зависимости (рис. 5) показывают однозначное соответствие и хорошую корреляцию геометрических параметров ОНС и ПНС, что позволяет, задавая параметры ОНС, контролировать параметры ПНС.
    (check this in PDF content)