The 13 reference contexts in paper А. Белов Н., А. Голишников А., М. Кислицин В., А. Перевалов А., А. Солнышкин В., В. Шевяков И. (2018) “ФОРМИРОВАНИЕ МАССИВА МЕМРИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ САМООРГАНИЗУЮЩЕЙСЯ МАТРИЦЫ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ” / spz:neicon:nanorf:y:2018:i:2:p:36-40

  1. Start
    1738
    Prefix
    Одним из перспективных объектов исследований в настоящее время являются мемристоры. Мемристорами называются все энергонезависимые двухполюсные запоминающие устройства, основанные на переключении сопротивления
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Данный тип энергонезависимой памяти появился в момент, когда существующие технологии начали сталкиваться с проблемами масштабирования, чем подтолкнули исследователей искать альтернативные решения.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    2086
    Prefix
    Данный тип энергонезависимой памяти появился в момент, когда существующие технологии начали сталкиваться с проблемами масштабирования, чем подтолкнули исследователей искать альтернативные решения. Мемристоры как раз характеризуются высокой плотностью упаковки, малой мощностью потребления, возможностью масштабирования
    Exact
    [2–4]
    Suffix
    . В настоящее время обозначились три наиболее перспективных направления развития массивов мемристорных структур: на основе халькогенидов, оксидов металлов, твердых электролитов.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    2354
    Prefix
    В настоящее время обозначились три наиболее перспективных направления развития массивов мемристорных структур: на основе халькогенидов, оксидов металлов, твердых электролитов. Интенсивно развиваются технологии создания данных структур
    Exact
    [4]
    Suffix
    . Для создания массивов мемристорных структур ряд исследователей используют до последнего времени самоорганизующиеся наноструктуры [5, 6]. Простым и воспроизводимым способом организации адресации к ячейкам резистивных переключателей является использование перекрестных шин [7, 8].
    (check this in PDF content)

  4. Start
    2505
    Prefix
    Интенсивно развиваются технологии создания данных структур [4]. Для создания массивов мемристорных структур ряд исследователей используют до последнего времени самоорганизующиеся наноструктуры
    Exact
    [5, 6]
    Suffix
    . Простым и воспроизводимым способом организации адресации к ячейкам резистивных переключателей является использование перекрестных шин [7, 8]. В этом смысле при использовании самоорганизующихся наноструктур достаточным является создание квазиупорядоченного массива изолированных наночастиц, с каждой стороны которого будет возможно сформировать проводящие электро
    (check this in PDF content)

  5. Start
    2664
    Prefix
    Для создания массивов мемристорных структур ряд исследователей используют до последнего времени самоорганизующиеся наноструктуры [5, 6]. Простым и воспроизводимым способом организации адресации к ячейкам резистивных переключателей является использование перекрестных шин
    Exact
    [7, 8]
    Suffix
    . В этом смысле при использовании самоорганизующихся наноструктур достаточным является создание квазиупорядоченного массива изолированных наночастиц, с каждой стороны которого будет возможно сформировать проводящие электроды.
    (check this in PDF content)

  6. Start
    3112
    Prefix
    Для создания квазиупорядоченного массива изолированных наночастиц используют пористые самоорганизующиеся матрицы, такие как пористый кремний, пористый оксид алюминия и т.д. В работах
    Exact
    [9, 10]
    Suffix
    сформированы массивы резистивных переключателей на основе ZnO и NiO, встроенные в поры анодированного кремния. Однако пористый кремний отличается невысокой воспроизводимостью и значительной дисперсией его геометрических параметров, а также сложностью формирования двухсторонней металлизации.
    (check this in PDF content)

  7. Start
    3763
    Prefix
    С точки зрения упорядоченности периодической наноструктуры, а также воспроизводимости и высокоточного управления геометрическими параметрами пор подходящим материалом является пористый анодный оксид алюминия. Созданию резистивных переключателей в порах анодного оксида алюминия посвящен ряд работ. В
    Exact
    [11]
    Suffix
    предложен оригинальным метод создания массива мемристорных структур на основе анодного оксида алюминия с порами, не до конца заполненными нанонитями золота (Au/анодный оксид алюминия(Au)/ зонд).
    (check this in PDF content)

  8. Start
    4348
    Prefix
    Авторами обнаружен эффект влияния электрического поля на перенос материала тыльного Au-электрода и последующий рост металла в незаполненной части пор оксидной матрицы в виде цепочек из островков золота Структуры продемонстрировали обратимое резистивное переключение между низкоомным (1 МОм) и высокоомным (>100 ГОм) состояниями. В работах
    Exact
    [12, 13]
    Suffix
    нитевидные трехслойные нитевидные нанокристаллы Ni–Ag2Se–Ni и Cu–CuO–Cu формировали электрохимическим осаждением в наноразмерных порах алюмооксидных сквозных мембран с нанесенной с одной стороны металлической пленкой.
    (check this in PDF content)

  9. Start
    4749
    Prefix
    12, 13] нитевидные трехслойные нитевидные нанокристаллы Ni–Ag2Se–Ni и Cu–CuO–Cu формировали электрохимическим осаждением в наноразмерных порах алюмооксидных сквозных мембран с нанесенной с одной стороны металлической пленкой. Подобные структуры являются хрупкими и характеризуются низкой стойкостью к дальнейшей механической и термической обработке. В работе
    Exact
    [14]
    Suffix
    пористый оксидный слой формировали на проводящей подложке, позволяющей решить проблему хрупкости. Однако необходимо отметить, что при дальнейшей обработке в структуре пористого оксида алюминия образуются трещины.
    (check this in PDF content)

  10. Start
    6669
    Prefix
    Краткое схематическое представление маршрута изготовления массива наноразмерных резистивных переключателей 3 мА/см2 канавки заполняли медью и химико-механическим полированием ее удаляли с поверхности подложки (рис. 1A). На поверхность подложки методом центрифугирования из спиртового раствора тетраэтокисилана наносили слой тетраэтокисилана толщиной 100 нм
    Exact
    [15]
    Suffix
    . Нагревом при 400 °С в течение 30 минут удаляли органику и формировали оксид кремния. Далее магнетронным распылением формировали пленку алюминия толщиной 2 мкм (рис. 1Б). Для повышения степени упорядоченности пор слой оксида формировали двухстадийным анодным окислением алюминия в 5%-ном водном растворе H2SO4 при плотности анодного тока 3 мА/см2, пла
    (check this in PDF content)

  11. Start
    7101
    Prefix
    Для повышения степени упорядоченности пор слой оксида формировали двухстадийным анодным окислением алюминия в 5%-ном водном растворе H2SO4 при плотности анодного тока 3 мА/см2, пластину охлаждали до 3 °C
    Exact
    [16]
    Suffix
    . Напряжение на ячейке составляло порядка 11 В. Длительность первой стадии процесса составляла 8 мин. Полученный оксид удаляли в водном растворе 3.5%-го H3PO4 с добавлением 45 г/л CrO3. Вторую стадию анодного окисления проводили до полного окисления алюминиевой пленки.
    (check this in PDF content)

  12. Start
    7564
    Prefix
    Вторую стадию анодного окисления проводили до полного окисления алюминиевой пленки. С использованием пористого оксида алюминия в качестве твердой маски методом ионного травления в слое оксида кремния формировали поры в соответствии с
    Exact
    [17]
    Suffix
    (рис. 1 В). Селективно удаляли слой пористого анодного указанным выше методом. Удаляли пористый оксид кремния с контактных площадок. Атомно-силовой микроскопией (АСМ) исследовали полученную пористую наноструктуру оксида кремния.
    (check this in PDF content)

  13. Start
    7965
    Prefix
    Атомно-силовой микроскопией (АСМ) исследовали полученную пористую наноструктуру оксида кремния. С использованием сканирующей электропроводящей микроскопии (СЭПМ) исследовали участки меди нижних электродов в местах пор оксида кремния
    Exact
    [18]
    Suffix
    . Для этого сканировали поверхность структуры (рис. 1 В) проводящим кантилевером, а разность потенциалов при этом прикладывали между нижними слоями шин металлизации и проводящим кантилевером.
    (check this in PDF content)