The 16 reference contexts in paper С. Лисицын А., С. Балакирев В., В. Авилов И., А. Коломийцев С., В. Климин С., М. Солодовник С., Б. Коноплев Г., О. Агеев А. (2018) “ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ НАНОРАЗМЕРНОГО ПРОФИЛИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР GaAs МЕТОДОМ ФОКУСИРОВАННЫХ ИОННЫХ ПУЧКОВ” / spz:neicon:nanorf:y:2018:i:2:p:28-35

  1. Start
    2287
    Prefix
    Спонтанная самоорганизация позволяет получать массивы наноструктур, не упорядоченных в плоскости роста и имеющих существенный разброс геометрических параметров, а следовательно, и функциональных свойств, так как геометрия низкоразмерной системы (размеры, форма и взаимное расположение составляющих ее структурных элементов) напрямую влияет на ее энергетику
    Exact
    [1–10]
    Suffix
    . Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структур
    (check this in PDF content)

  2. Start
    2564
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп
    Exact
    [11]
    Suffix
    : использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24].
    (check this in PDF content)

  3. Start
    2624
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки
    Exact
    [12–14]
    Suffix
    , мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].
    (check this in PDF content)

  4. Start
    2639
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез
    Exact
    [15–18]
    Suffix
    , масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].
    (check this in PDF content)

  5. Start
    2656
    Prefix
    Существующие на сегодняшний день подходы, направленные на эффективное управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок
    Exact
    [19–21]
    Suffix
    , предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками [22–24]. Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].
    (check this in PDF content)

  6. Start
    2762
    Prefix
    управление параметрами наногетероструктур и комплексов на их основе, включая селективное позиционирование отдельных элементов, условно можно разделить на несколько групп [11]: использование ориентационных эффектов подложки [12–14], мез [15–18], масок [19–21], предварительное структурирование и профилирование поверхности литографическими методиками
    Exact
    [22–24]
    Suffix
    . Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП) [25].
    (check this in PDF content)

  7. Start
    2997
    Prefix
    Одним из наиболее перспективных методов прямого профилирования поверхности, не требующего дополнительных операций нанесения и удаления маскирующих слоев, является метод фокусированных ионных пучков (ФИП)
    Exact
    [25]
    Suffix
    . Принцип метода ФИП заключается в сверхлокальном воздействии на приповерхностный слой структуры высокоэнергетическими (5–30 кэВ), сфокусированными в пятно с минимальным диаметром 7 нм, ионами Ga+, в результате чего происходит физическое распыление материала.
    (check this in PDF content)

  8. Start
    3553
    Prefix
    Отличительной особенностью метода ФИП является возможность работать с поверхностью без дополнительных операций химической обработки, а также его гибкость и оперативность, обусловленная отсутствием необходимости создания физических шаблонов
    Exact
    [26]
    Suffix
    . Высокое пространственное разрешение метода ФИП, прецизионность позиционирования ионного пучка, возможность in situ визуализации и контроля процесса, совместимость с кластерными технологиями делают его перспективным технологическим инструментом для позиционирования эпитаксиальных самоорганизующихся наноструктур и регулярных массивов и элементов на их основе [27, 28].
    (check this in PDF content)

  9. Start
    3946
    Prefix
    Высокое пространственное разрешение метода ФИП, прецизионность позиционирования ионного пучка, возможность in situ визуализации и контроля процесса, совместимость с кластерными технологиями делают его перспективным технологическим инструментом для позиционирования эпитаксиальных самоорганизующихся наноструктур и регулярных массивов и элементов на их основе
    Exact
    [27, 28]
    Suffix
    . Несмотря на наличие на сегодняшний день публикаций, посвященных исследованию процессов обработки ростовых поверхностей на основе метода ФИП, влияние совокупности управляющих параметров ФИП на процессы наноразмерного профилирования сложных (в том числе бинарных) полупроводников изучено недостаточно [29, 30].
    (check this in PDF content)

  10. Start
    4276
    Prefix
    Несмотря на наличие на сегодняшний день публикаций, посвященных исследованию процессов обработки ростовых поверхностей на основе метода ФИП, влияние совокупности управляющих параметров ФИП на процессы наноразмерного профилирования сложных (в том числе бинарных) полупроводников изучено недостаточно
    Exact
    [29, 30]
    Suffix
    . Целью данной работы является проведение экспериментальных исследований режимов наноразмерного профилирования методом ФИП поверхности слоев GaAs, выращенных на подложке GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для выявления закономерностей влияния основных управляющих параметров на геометрические параметры формируемого наноразмерного профиля и скор
    (check this in PDF content)

  11. Start
    7320
    Prefix
    Время однократного воздействия ФИП в точке (Dt), мкс Ускоряющее напряжение ФИП (Е), кэВ Область перекрытия ФИП (overlap), % Первый этап 1, 10, 30, 50, 100, 300, 500, 1000, 3000, 5000 100 200 Второй этап300 Третий этап10, 50, 100, 150, 200 параметры выбирались на основе анализа результатов ранее проведенных исследований
    Exact
    [24–27]
    Suffix
    . Разрешающая способность оценивалась как максимальное количество отдельно различимых линий, сформированных на 1 мкм поверхности структуры. За края линий принимались точки на АСМ-профилограмме, находящиеся на 5 % ниже усредненного уровня поверхности эпитаксиальных слоев GaAs.
    (check this in PDF content)

  12. Start
    7997
    Prefix
    На втором этапе исследований проводилось определение закономерностей влияния управляющих параметров метода ФИП на воспроизводимость геометрических параметров формируемых наноразмерных структур (НС) в виде лунок. Для этого при помощи внешнего пакета прикладного программного обеспечения Unigen, разработанного коллективом НОЦ «Нанотехнологии» ЮФУ
    Exact
    [31]
    Suffix
    , был разработан специальный графический шаблон, состоящий из 25 точек, каждая из которых определяет координаты однократного воздействия ионного пучка с заданным временем однократного воздействия в точке.
    (check this in PDF content)

  13. Start
    8546
    Prefix
    Профилирование поверхности эпитаксиальных слоев GaAs на втором этапе исследований производилось согласно управляющим параметрам ФИП, которые представлены в табл. 1. Количество проходов и время однократного воздействия в точке выбирались на основе ранее проведенных экспериментальных исследований
    Exact
    [25–27]
    Suffix
    . На третьем этапе исследований проводилось определение закономерностей влияния времени однократного воздействия ионного пучка в точке (Dt) на геометрические параметры формируемых НС. Травление поверхА В Д Г Е Б Рис. 1.
    (check this in PDF content)

  14. Start
    10281
    Prefix
    По результатам обработки и анализа полученных экспериментальных данных установлено, что при увеличении тока ФИП от 1 пА до 7 нА глубина линий увеличивалась от 1.6 ± 0.74 до 480 ± 160 нм, а их ширина увеличивалась от 84 ± 10 до 489 ± 21 нм. Процессы, влияющие на изменение геометрических характеристик линий, исследованы в
    Exact
    [25]
    Suffix
    . На рис. 2 представлены зависимости глубины, ширины сформированных линий и разрешающей способности от тока ФИП. Полученные зависимости показывают, что с увеличением тока ионного пучка увеличиваются геометрические размеры формируемых элементов, вследствие этого разрешающая способность метода ФИП в латеральном направлении ухудшается, что также коррелирует с экспериментальными данны
    (check this in PDF content)

  15. Start
    10710
    Prefix
    Полученные зависимости показывают, что с увеличением тока ионного пучка увеличиваются геометрические размеры формируемых элементов, вследствие этого разрешающая способность метода ФИП в латеральном направлении ухудшается, что также коррелирует с экспериментальными данными, представленными в
    Exact
    [25]
    Suffix
    . Анализ зависимостей, представленных на рис. 2, показывает, что для формирования на поверхности GaAs наноразмерных структур с приемлемым разрешением необходимо использовать токи ФИП до 102 пА, а в случае необходимости формирования структур субмикронных размеров необходимо использовать токи ФИП выше 102 пА.
    (check this in PDF content)

  16. Start
    16203
    Prefix
    Кроме этого, возможный вклад в снижение скорости нормального травления слоев GaAs вносит известный эффект образования капель жидкометаллического галлия на поверхности при ФИП
    Exact
    [32]
    Suffix
    , что является следствием более высокой скорости удаления мышьяка из области травления. Локально сформовавшийся жидкометаллический галлий заполняет углубление, что также может приводить к снижению скорости травления в нормальном направлении.
    (check this in PDF content)