The 13 reference contexts in paper Р. Томинов В., В. Смирнов А., Н. Черненко Е., О. Агеев А. (2018) “Исследование режимов силовой зондовой нанолитографии” / spz:neicon:nanorf:y:2017:i:2:p:69-75

  1. Start
    1897
    Prefix
    Результаты исследований пленки фоторезиста ФП-383 со ступенькой: a — АСМ-изображение; b — гистограмма АB введение Одной из приоритетных задач микро- и наноэлектроники является повышение степени интеграции интегральных микросхем (ИМС), что достигается уменьшением размеров элементов ИМС
    Exact
    [1]
    Suffix
    . В настоящее время уровень развития технологий микроэлектроники определяет необходимость формирования структур элементов ИМС с размерами менее 50 нм [2, 3]. При этом, особенно при проведении прикладных исследований по прототипированию перспективных элементов ИМС, возникает необходимость в разработке новых методик нанолитографии, позволяющих изготавливать структуры
    (check this in PDF content)

  2. Start
    2060
    Prefix
    -изображение; b — гистограмма АB введение Одной из приоритетных задач микро- и наноэлектроники является повышение степени интеграции интегральных микросхем (ИМС), что достигается уменьшением размеров элементов ИМС [1]. В настоящее время уровень развития технологий микроэлектроники определяет необходимость формирования структур элементов ИМС с размерами менее 50 нм
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    . При этом, особенно при проведении прикладных исследований по прототипированию перспективных элементов ИМС, возникает необходимость в разработке новых методик нанолитографии, позволяющих изготавливать структуры элементов ИМС в нанометровом масштабе с меньшими затратами и в более короткие сроки, чем классические методы фото- и электронно-лучевой литографии [4–9].
    (check this in PDF content)

  3. Start
    2455
    Prefix
    При этом, особенно при проведении прикладных исследований по прототипированию перспективных элементов ИМС, возникает необходимость в разработке новых методик нанолитографии, позволяющих изготавливать структуры элементов ИМС в нанометровом масштабе с меньшими затратами и в более короткие сроки, чем классические методы фото- и электронно-лучевой литографии
    Exact
    [4–9]
    Suffix
    . Один из перспективных методов формирования наноразмерных структур — импринт-литография, частным случаем которой является силовая зондовая нанолитография (СЗН) с использованием атомно-силового микроскопа (АСМ) [10].
    (check this in PDF content)

  4. Start
    2706
    Prefix
    Один из перспективных методов формирования наноразмерных структур — импринт-литография, частным случаем которой является силовая зондовая нанолитография (СЗН) с использованием атомно-силового микроскопа (АСМ)
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Метод СЗН заключается в модификации тонких полимерных пленок путем формирования в них профилированных наноразмерных структур (ПНС) с помощью острия зонда АСМ. Через полученные ПНС в виде окон можно проводить различные технологические операции формирования наноразмерных структур [12, 13].
    (check this in PDF content)

  5. Start
    3018
    Prefix
    Метод СЗН заключается в модификации тонких полимерных пленок путем формирования в них профилированных наноразмерных структур (ПНС) с помощью острия зонда АСМ. Через полученные ПНС в виде окон можно проводить различные технологические операции формирования наноразмерных структур
    Exact
    [12, 13]
    Suffix
    . К достоинствам СЗН относятся высокая разрешающая способность, возможность формирования и контроля параметров ПНС в едином технологическом цикле, а также отсутствие физических шаблонов.
    (check this in PDF content)

  6. Start
    3343
    Prefix
    К достоинствам СЗН относятся высокая разрешающая способность, возможность формирования и контроля параметров ПНС в едином технологическом цикле, а также отсутствие физических шаблонов. С использованием СЗН сформированы различные структуры элементов наноэлектроники и микросистемной техники
    Exact
    [9, 14]
    Suffix
    . На качество получаемых ПНС влияют толщина и шероховатость полимерной пленки, значения которых должны находиться в диапазонах 20–60 и 1–5 нм, соответственно [10, 11, 15].
    (check this in PDF content)

  7. Start
    3535
    Prefix
    С использованием СЗН сформированы различные структуры элементов наноэлектроники и микросистемной техники [9, 14]. На качество получаемых ПНС влияют толщина и шероховатость полимерной пленки, значения которых должны находиться в диапазонах 20–60 и 1–5 нм, соответственно
    Exact
    [10, 11, 15]
    Suffix
    . Кроме того, пленка должна быть равномерной по толщине и иметь достаточно высокую адгезию к подложке [13, 14]. Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15].
    (check this in PDF content)

  8. Start
    3668
    Prefix
    На качество получаемых ПНС влияют толщина и шероховатость полимерной пленки, значения которых должны находиться в диапазонах 20–60 и 1–5 нм, соответственно [10, 11, 15]. Кроме того, пленка должна быть равномерной по толщине и иметь достаточно высокую адгезию к подложке
    Exact
    [13, 14]
    Suffix
    . Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники [4–15], в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными гео
    (check this in PDF content)

  9. Start
    3818
    Prefix
    Кроме того, пленка должна быть равномерной по толщине и иметь достаточно высокую адгезию к подложке [13, 14]. Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок
    Exact
    [12–15]
    Suffix
    . Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники [4–15], в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами.
    (check this in PDF content)

  10. Start
    3940
    Prefix
    Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники
    Exact
    [4–15]
    Suffix
    , в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами. Кроме того, широко используемый при наноимпринт-литографии полиметилметакрилат (ПММА) имеет достаточно высокую стоимость и ограничения по срокам и условиям хранения, что затрудняет его использование при прототипировании перспек
    (check this in PDF content)

  11. Start
    9106
    Prefix
    Достаточно большие значения доверительного интервала значений шероховатости объясняются влиянием центробежных сил на распределение фоторезиста по поверхности подложки, а также испарением летучих компонентов фоторезиста
    Exact
    [17, 18]
    Suffix
    . Анализ полученных зависимостей показал, что пленки ФР, полученные при объемном соотношении фоторезист/разбавитель 1:15 и скорости вращения 5000 об/мин, имеют толщину 20 ± 2 нм и шероховатость 2.23 ± 0.10 нм и могут быть использованы для исследования режимов профилирования наноразмерных структур методом СЗН [9, 10, 16, 19, 20].
    (check this in PDF content)

  12. Start
    9433
    Prefix
    Анализ полученных зависимостей показал, что пленки ФР, полученные при объемном соотношении фоторезист/разбавитель 1:15 и скорости вращения 5000 об/мин, имеют толщину 20 ± 2 нм и шероховатость 2.23 ± 0.10 нм и могут быть использованы для исследования режимов профилирования наноразмерных структур методом СЗН
    Exact
    [9, 10, 16, 19, 20]
    Suffix
    . Анализ зависимости глубины ПНС от силы прижима зонда к поверхности образца (рис. 4) показал, что при увеличении силы прижима зонда от 0.25 до 3.25 мкН увеличиваются глубина ПНС от 1.1 ± 0.3 до 17.2 ± 2.1 нм и диаметр ПНС от 37 ± 4 до 112 ± 5 нм.
    (check this in PDF content)

  13. Start
    9891
    Prefix
    Анализ зависимости глубины ПНС от силы прижима зонда к поверхности образца (рис. 4) показал, что при увеличении силы прижима зонда от 0.25 до 3.25 мкН увеличиваются глубина ПНС от 1.1 ± 0.3 до 17.2 ± 2.1 нм и диаметр ПНС от 37 ± 4 до 112 ± 5 нм. Нелинейность полученных зависимостей (рис. 4C, D) можно объяснить неоднородностью вязкоупругих свойств пленки ФР
    Exact
    [20]
    Suffix
    . Сопоставление полученных зависимостей (рис. 4) с результатами, представленными на рис. 2, показало, что для данной пленки ФР сила прижима 3.25 мкН является критической, поскольку глубина полученных ПНС сопоставима с толщиной пленки ФР, то есть зонд прокалывает пленку и дальнейшее увеличение силы прижима может приводить к разрушению структур, расположенных под пленкой.
    (check this in PDF content)