The 13 reference contexts in paper Р. Томинов В., В. Смирнов А., Н. Черненко Е., О. Агеев А. (2018) “Исследование режимов силовой зондовой нанолитографии” / spz:neicon:nanorf:y:2017:i:2:p:69-75

  1. Start
    1729
    Prefix
    Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических процессов формирования элементов микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники с использованием зондовых нанотехнологий. введение Одной из приоритетных задач микро- и наноэлекгральных микросхем (ИМС), что достигается уменьшением размеров элементов ИМС
    Exact
    [1]
    Suffix
    . В настоящее время уровень развития технологий микроэлектроники определяет необходимость формирования структур элементов ИМС с размерами менее 50 нм [2, 3]. При этом, особенно при проведении прикладных исследований по прототипированию перспективных элементов ИМС, возникает необходимость в разработке новых методик нанолитографии, позволяющих изготавливать структуры
    (check this in PDF content)

  2. Start
    1892
    Prefix
    , микро- и наносистемной техники с использованием зондовых нанотехнологий. введение Одной из приоритетных задач микро- и наноэлекгральных микросхем (ИМС), что достигается уменьшением размеров элементов ИМС [1]. В настоящее время уровень развития технологий микроэлектроники определяет необходимость формирования структур элементов ИМС с размерами менее 50 нм
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    . При этом, особенно при проведении прикладных исследований по прототипированию перспективных элементов ИМС, возникает необходимость в разработке новых методик нанолитографии, позволяющих изготавливать структуры элементов ИМС в нанометровом масштабе с меньшими затратами и в более короткие сроки, чем классические методы фото- и электронно-лучевой литографии [4–9].
    (check this in PDF content)

  3. Start
    2287
    Prefix
    При этом, особенно при проведении прикладных исследований по прототипированию перспективных элементов ИМС, возникает необходимость в разработке новых методик нанолитографии, позволяющих изготавливать структуры элементов ИМС в нанометровом масштабе с меньшими затратами и в более короткие сроки, чем классические методы фото- и электронно-лучевой литографии
    Exact
    [4–9]
    Suffix
    . Один из перспективных методов формирования наноразмерных структур — импринт-литография, частным случаем которой является силовая зондовая нанолитография (СЗН) с использованием атомно-силового микроскопа (АСМ) [10].
    (check this in PDF content)

  4. Start
    2538
    Prefix
    Один из перспективных методов формирования наноразмерных структур — импринт-литография, частным случаем которой является силовая зондовая нанолитография (СЗН) с использованием атомно-силового микроскопа (АСМ)
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Метод СЗН заключается в модификации тонких полимерных пленок путем формирования в них профилированных наноразмерных структур (ПНС) с помощью острия зонда АСМ. Через полученные ПНС в виде окон можно проводить различные технологические операции формирования наноразмерных структур [12, 13].
    (check this in PDF content)

  5. Start
    2850
    Prefix
    Метод СЗН заключается в модификации тонких полимерных пленок путем формирования в них профилированных наноразмерных структур (ПНС) с помощью острия зонда АСМ. Через полученные ПНС в виде окон можно проводить различные технологические операции формирования наноразмерных структур
    Exact
    [12, 13]
    Suffix
    . К достоинствам СЗН относятся высокая разрешающая способность, возможность формирования и контроля параметров ПНС в едином технологическом цикле, а также отсутствие физических шаблонов.
    (check this in PDF content)

  6. Start
    3175
    Prefix
    К достоинствам СЗН относятся высокая разрешающая способность, возможность формирования и контроля параметров ПНС в едином технологическом цикле, а также отсутствие физических шаблонов. С использованием СЗН сформированы различные структуры элементов наноэлектроники и микросистемной техники
    Exact
    [9, 14]
    Suffix
    . На качество получаемых ПНС влияют толщина и шероховатость полимерной пленки, значения которых должны находиться в диапазонах 20–60 и 1–5 нм, соответственно [10, 11, 15].
    (check this in PDF content)

  7. Start
    3368
    Prefix
    С использованием СЗН сформированы различные структуры элементов наноэлектроники и микросистемной техники [9, 14]. На качество получаемых ПНС влияют толщина и шероховатость полимерной пленки, значения которых должны находиться в диапазонах 20–60 и 1–5 нм, соответственно
    Exact
    [10, 11, 15]
    Suffix
    . Кроме того, пленка должна быть равномерной по толщине и иметь достаточно высокую адгезию к подложке [13, 14]. Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15].
    (check this in PDF content)

  8. Start
    3500
    Prefix
    На качество получаемых ПНС влияют толщина и шероховатость полимерной пленки, значения которых должны находиться в диапазонах 20–60 и 1–5 нм, соответственно [10, 11, 15]. Кроме того, пленка должна быть равномерной по толщине и иметь достаточно высокую адгезию к подложке
    Exact
    [13, 14]
    Suffix
    . Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники [4–15], в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными гео
    (check this in PDF content)

  9. Start
    3650
    Prefix
    Кроме того, пленка должна быть равномерной по толщине и иметь достаточно высокую адгезию к подложке [13, 14]. Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок
    Exact
    [12–15]
    Suffix
    . Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники [4–15], в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами.
    (check this in PDF content)

  10. Start
    3773
    Prefix
    Обеспечить эти требования позволяет метод центрифугирования, который является одним из наиболее освоенных методов нанесения пленок [12–15]. Несмотря на достаточно активное использование СЗН для формирования различных структур наноэлектроники
    Exact
    [4–15]
    Suffix
    , в настоящее время отсутствуют систематические исследования режимов СЗН, позволяющие получать ПНС с заданными геометрическими параметрами. Кроме того, широко используемый при наноимпринт-литографии полиметилметакрилат (ПММА) имеет достаточно высокую стоимость и ограничения по срокам и условиям хранения, что затрудняет его использование при прототипировании перспек
    (check this in PDF content)

  11. Start
    8583
    Prefix
    Достаточно большие значения доверительного интервала значений шероховатости объясняются влиянием центробежных сил на распределение фоторезиста по поверхности подложки, а также испарением летучих компонентов фоторезиста
    Exact
    [17, 18]
    Suffix
    . Анализ полученных зависимостей показал, что пленки ФР, полученные при объемном соотношении фоторезист/разбавитель 1:15 и скорости вращения 5000 об/мин, имеют толщину 20 ± 2 нм и шероховатость 2.23 ± 0.10 нм и могут быть использованы для исследования режимов профилирования наноразмерных структур методом СЗН [9, 10, 16, 19, 20].
    (check this in PDF content)

  12. Start
    8911
    Prefix
    Анализ полученных зависимостей показал, что пленки ФР, полученные при объемном соотношении фоторезист/разбавитель 1:15 и скорости вращения 5000 об/мин, имеют толщину 20 ± 2 нм и шероховатость 2.23 ± 0.10 нм и могут быть использованы для исследования режимов профилирования наноразмерных структур методом СЗН
    Exact
    [9, 10, 16, 19, 20]
    Suffix
    . А B Рис. 2. Результаты исследований режимов нанесения пленок фоторезиста ФП-383: а — зависимости толщины пленки фоторезиста от скорости вращения центрифуги при различных объемных соотношениях фоторезист/разбавитель; b — зависимости толщины пленки фоторезиста от объемного соотношения фоторезист/разбавитель при различных скоростях вращения центрифуги Рис. 3.
    (check this in PDF content)

  13. Start
    9890
    Prefix
    Анализ зависимости глубины ПНС от силы прижима зонда к поверхности образца (рис. 4) показал, что при увеличении силы прижима зонда от 0.25 до 3.25 мкН увеличиваются глубина ПНС от 1.1 ± 0.3 до 17.2 ± 2.1 нм и диаметр ПНС от 37 ± 4 до 112 ± 5 нм. Нелинейность полученных зависимостей (рис. 4C, D) можно объяснить неоднородностью вязкоупругих свойств пленки ФР
    Exact
    [20]
    Suffix
    . Сопоставление полученных зависимостей (рис. 4) с результатами, представленными на рис. 2, показало, что для данной пленки ФР сила прижима 3.25 мкН является критической, поскольку глубина полученных ПНС сопоставима с толщиной пленки ФР, то есть зонд прокалывает пленку и дальнейшее увеличение силы прижима может приводить к разрушению структур, расположенных под пленкой.
    (check this in PDF content)