The 18 references in paper А. Белов Н., А. Голишников А., М. Кислицин В., А. Перевалов А., А. Солнышкин В., В. Шевяков И. (2018) “ФОРМИРОВАНИЕ МАССИВА МЕМРИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ САМООРГАНИЗУЮЩЕЙСЯ МАТРИЦЫ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ” / spz:neicon:nanorf:y:2018:i:2:p:36-40

1
Chua L.O. Resistance switching memories are memristors // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 102. No 4. P. 765–783.
(check this in PDF content)
2
Waser R., Aono M. Nanoionics-based resistive switching memories // Nature. Mater. 2007. V. 6. P. 833−840.
(check this in PDF content)
3
Yang J.J., Strukov D.B., Stewart D.R. Memristive devices for computing // Nature. Nanotechnol. 2013. V. 8. P. 13–24.
(check this in PDF content)
4
Белов А.Н., Перевалов А.А., Шевяков В.И. Мемристорные структуры для микро- и наноэлектроники. Физика и технология // Изв. вузов. Электроника. 2017. Т. 22. No 4. С. 305–321.
(check this in PDF content)
5
Qi J., Olmedo M., Ren J., Zhan N., Zhao J., Zheng J., Liu J. Resistive switching in single epitaxial ZnO nanoislands // ACS Nano. 2012. V. 6. P. 1051–1058.
(check this in PDF content)
6
Ahn Y., Son J.Y. Th e eff ect of size on the resistive switching characteristics of NiO nanodots // J. Phys. Chem. Solids. 2016. V. 99. P. 134–137.
(check this in PDF content)
7
Borghetti J., Snider G.S., Kuekes P.J., Yang J.J., Stewart D.R., Williams R.S. Memristive switches enable stateful logic operations via material implication // Nature. 2010. V. 464. P. 573–576.
(check this in PDF content)
8
Xia Q., Robinett W., Cumbie M.W., Banerjee N., Cardinali T.J., Yang J.J., Wu W., Li X., Tong W.M., Strukov D.B., Snider G.S., Medeiros-Ribeiro G., Williams R.S. Memristor-CMOS hybrid integrated for reconfi gurable logic // Nano Lett. 2009. V. 9. P. 3640–3645.
(check this in PDF content)
9
Martínez L., Ocampo O., Kumar Y. Agarwal V. ZnO-porous silicon nanocomposite for possible memristive device fabrication // Nanoscale Res. Let. 2014. V. 9. P. 437–443.
(check this in PDF content)
10
Mares J.W., Fain J.S., Weiss S.M. Variable conductivity of nanocomposite nickel oxide/porous silicon // Phys. Rev. B. 2013. V. 88. P. 075307.
(check this in PDF content)
11
Веденеев А.С., Рыльков В.В., Напольский К.С., Леонтьев А.П., Клименко А.А., Козлов А.М., Лузанов В.А., Николаев С.Н., Темирязева М.П., Бугаев А.С. Эффекты электронного увлечения золота в порах анодного оксида алюминия: обратимое резистивное переключение в цепочке точечных контактов // Письма в ЖЭТФ. 2017. Т. 106. No 6. С. 387–391.
(check this in PDF content)
12
Liang K., Huang C., Lai C., Huang J., Tsai H., Wang Yi., Shin Yu., Chang M., Lo S., Chueh Yu. Single CuOx nanowire memristor: forming-free resistive switching behavior // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2014. V. 6. P. 16537−16544.
(check this in PDF content)
13
Lee N.J., An B.H, Koo A.Y., Ji H.M., Cho J.W., Choi J., Kim K.K., Ka ng C.J. Resistive switching behavior in a Ni–Ag2Se–Ni nanowire // Appl. Phys. A. 2011. V. 102. P. 897–900.
(check this in PDF content)
14
Han U., Lee J. Bottom-up synthesis of ordered metal/oxide/ metal nanodots on substrates for nanoscale resistive switching memory // Scientifi c Rep. 2016. V. 6. P. 25537.
(check this in PDF content)
15
Кислицин М.В., Королев М.А., Красюков А.Ю. Исследования процесса формирования пленки оксида кремния из раствора тетраэтоксисилана золь-гель методом // Известия вузов. Электроника. 2013. No 2 (100). С. 17–22.
(check this in PDF content)
16
Gavrilov S.A., Belov A.N., Zheleznyakova A.V., Barabanov D Yu., Shevyakov V.L., Vishnikin E.V. Factors eff ected on nanoporous anodic alumina ordering // Proceedings of SPIE. 2006. V. 6260. P. 626011.
(check this in PDF content)
17
Belov A.N. Local etching of silicon using a solid mask from porous aluminum oxide // Semiconductors. 2008. V. 42. No 13. P.1519–1521.
(check this in PDF content)
18
Белов А.Н., Гаврилов С.А., Назаркин М.Ю., Шевяков В.А., Лемешко С.В. Особенности проведения измерений в сканирующей электронной микроскопии // Известия вузов. Электроника. 2011. No 3 (89). С. 75–81.
(check this in PDF content)