The 32 references in paper С. Лисицын А., С. Балакирев В., В. Авилов И., А. Коломийцев С., В. Климин С., М. Солодовник С., Б. Коноплев Г., О. Агеев А. (2018) “ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ НАНОРАЗМЕРНОГО ПРОФИЛИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР GaAs МЕТОДОМ ФОКУСИРОВАННЫХ ИОННЫХ ПУЧКОВ” / spz:neicon:nanorf:y:2018:i:2:p:28-35

1
Гайслер В.А., Гайслер А.В., Ярошевич А.С., Деребезов И.А., Качанова М.М., Живодков Ю.А., Гаврилова Т.А., Медведев А.С., Ненашева Л.А., Грачев К.В., Сандырев В.К., Кожухов А.С., Шаяхметов В.М., Калагин А.К., Бакаров А.К., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Асеев А.Л. Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAsквантовых точек и брэгговских микрорезонаторов // ФТП.
(check this in PDF content)
2
15. Т. 49. No 1. С. 35–40. 2. Kianpour M., Sabbaghi-Nadooshan R., Navi K. A novel design of 8-bit adder-subtractor by quantum-dot cellular automata // J. Computer System Sci. 2014. V. 80. P. 1404–1414.
(check this in PDF content)
3
Karimi M.J., Rezaei G., Nazari M. Linear and nonlinear optical properties of multilayered spherical quantum dots: Eff ects of geometrical size, hydrogenic impurity, hydrostatic pressure and temperature // J. Luminescence. 2014. V. 145. P. 55–60.
(check this in PDF content)
4
Shahazadeh M., Saebaeian M. Wetting layer-assisted modifi cation of in-plane-polarized transitions in strain-free GaAs/AlGaAs quantum dots // Superlattices Microstruct. 2014. V. 75. P. 514–522.
(check this in PDF content)
5
Ramos E., Franco R., Silva-Valencia J., Figueira M.S. Th ermoelectric transport properties of a T-coupled quantum dot: Atomic approach for the fi nite U case // Physica E. 2014. V. 64. P. 39–44.
(check this in PDF content)
6
Alaeddin Sayahian Jahromi, Rezaei G. Electromagnetically induced transparency in a twi-dimensional quantum pseudo-dot system: Eff ects of geometrical size and external magnetic fi eld // Physica B. 2015. V. 456. P. 103–107.
(check this in PDF content)
7
Ageev O.A., Solodovnik M.S., Balakirev S.V., Mikhaylin I.A., Eremenko M.M. Eff ect of GaAs native oxide upon the surface morphology during GaAs MBE growth // J. Phys.: Conference Series. 2016. V. 741. No 1. P. 012012.
(check this in PDF content)
8
Ageev O.A., Balakirev S.V., Solodovnik M.S., Eremenko M.M. Eff ect of interaction in the Ga–As–O system on the morphology of a GaAs surface during molecular-beam epitaxy // Phys. Solid State. 2016. V. 58. No 5. P. 1045–1052.
(check this in PDF content)
9
Klimin V.S., Tominov R.V., Eskov A.V., Krasnoborodko S.Y., Ageev O.A. Th e infl uence of the chemical and physical component of the plasma etching of the surface of gallium arsenide on the etching rate in the chloride plasma of the combined discharge // J. Phys: Conference Series. 2017. V. 917. P. 092005.
(check this in PDF content)
10
Ageev O.A., Klimin V.S., Solodovnik M.S., Eskov A.V., Krasnoborodko S.Y. Th e study of infl uence of the gas fl ow rate to etched layer thickness, and roughness of the anisotropy fi eld of gallium arsenide is etched in the plasma chemical etching process // J. Phys.: Conference Series. 2016. V. 741. No 1. P. 012178.
(check this in PDF content)
11
Atkinson P., Shmidt O.G., Bremner S.P., Ritchie D.A. Formation and ordering of epitaxial quantum dots // C.R. Physique. 2008. V. 9. P. 788–803.
(check this in PDF content)
12
Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры // ФТП. 1998. No 4. C. 385–410.
(check this in PDF content)
13
Цырлин Г.Э., Сибирев Н.В., Sartel C., Harmand J.C. Латеральное упорядочение нановискеров GaAs на поверхностях GaAs(111) и GaAs(110) при молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП. 2008. Т. 42. No 6. C. 726–729.
(check this in PDF content)
14
Wang Z.M. Self-assembled quantum dots. NY: Springer. 2008. 468 p.
(check this in PDF content)
15
Lin J.C., Fry P.W., Hogg R.A., Skolnick M.S. Th e control of size and area density of InAs self-assembled quantum dots in selective area molecular beam epitaxy on GaAs (001) surface // Microelectronics J. 2006. V. 37. P. 1505–1510.
(check this in PDF content)
16
Lee B.C., Lin S.D., Lee C.P. Selective growth of single InAs quantum dots using strain engineering // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 2. P. 326–328.
(check this in PDF content)
17
Lin J.C., Hogg R., Fry P., Hopkinson M., Ross I., Cullis A., Kolodka R., Tartakovskii A., Skolnick M. Eff ect of GaAs polycrystal on the size areal density of InAs quantum dots in selective area molecular beam epitaxy // J. Cryst. Growth. 2006. V. 297. P. 38–43.
(check this in PDF content)
18
Pratt A.R., Williams R.L. Indium migration control on patterned substrates for optoelectronic device applications // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. P. 1009–1011.
(check this in PDF content)
19
Zander M., Nishinaga J., Iga K., Horikoshi Y. Area selective epitaxy of InAs on GaAs(001) and GaAs(111)A by migration enhanced epitaxy // J. Cryst. Growth. 2011. V. 323. P. 9–12.
(check this in PDF content)
20
Elarde V.C., Yeoh T.S., Rangarajan R., Coleman J.J. Controlled fabrication of InGaAs quantum dots by selective area epitaxy MOCVD growth // J. Cryst. Growth. 2004. V. 272. P. 148–153.
(check this in PDF content)
21
Haraguchi K., Hiruma K., Katsuyama T., Shimada T. Currentvoltage characteristics of GaAs nanowhiskers // Cur. Appl. Phys. 2006. V. 6. P. 10–13.
(check this in PDF content)
22
Atkinson P., Schmidt O.G. Gallium-assisted deoxidation of patterned substrates for site-controlled growth of InAs quantum dots // J. Cryst. Growth. 2009. V. 311. P. 1815–1818.
(check this in PDF content)
23
Bhushan B. Scanning probe microscopy in nanoscience and nanotechnology. Berlin: Springer. 2010. 956 p.
(check this in PDF content)
24
Ageev O.A., Kolomiytsev A.S., Konoplev B.G. Formation of nanosize structures on a silicon substrate by method of focused ion beams // Semiconductors. 2011. V. 45. No 13. P. 89–92.
(check this in PDF content)
25
Агеев О.А., Алексеев А.М., Внукова А.В., Громов А.Л., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г., Лисицын С.А. Исследование разрешающей способности наноразмерного профилирования методом фокусированных ионных пучков // Российские нанотехнологии. 2014. Т. 9. No 1–2. С. 40-43.
(check this in PDF content)
26
Агеев О.А., Алексеев А.М., Внукова А.В., Громов А.Л., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г. Моделирование рельефа поверхности подложки при наноразмерном профилировании методом фокусированных ионных пучков // Российские нанотехнологии. 2014. Т. 9. No 1–2. С. 44–48.
(check this in PDF content)
27
Ageev O.A., Balakirev S.V., Bykov A.V., Gusev E.Yu., Fedotov A.A., Jityaeva J.Y., Il’in O.I., Il’ina M.V., Kolomiytsev A.S., Konoplev B.G., Krasnoborodko S.U., Polyakov V.V., Smirnov V.A., Solodovnik M.S., Zamburg E.G. Development of new metamaterials for advanced element base of micro- and nanoelectronics, and microsystem devices // Adv. Mat.. Manufact. Phys., Mechan. Applications. 2016. P. 563–580.
(check this in PDF content)
28
Avilov V.I., Ageev O.A., Kolomiitsev A.S., Konoplev B.G., Smirnov V.A., Tsukanova O.G. Formation of a memristor matrix based on titanium oxide and investigation by probe-nanotechnology methods // Semiconductors. 2014. V. 48. No 13. P. 1757–1762.
(check this in PDF content)
29
Бессонова А.В., Неволин В.К., Ромашкин А.В., Царик К.А. Закономерности формирования полупроводниковых наноструктур с помощью фокусированного ионного пучка // Известия вузов. Электроника. 2011. No 6. C. 27–32.
(check this in PDF content)
30
Бобринецкий И.И., Волкова А.В., Зайцев А.А., Неволин В.К., Царик К.А., Чудинов А.А. Формирование кремниевых наноструктур плазменным травлением через маску, созданную фокусированным пучком ионов Ga+ // Известия вузов. Электроника. 2014. No 2. C. 43–49.
(check this in PDF content)
31
Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ No 2015610515. Создание шаблонов для формирования элементов автоэмиссионной наноэлектроники методом ФИП. Дата государственной регистрации в Реестре программ для ЭВМ 13.01.2015.
(check this in PDF content)
32
Кузнецова М.А. Возможности и ограничения наноразмерных ионно-лучевых технологий // Биотехносфера. 2011. No 1–2 (13–14). C. 46–53.
(check this in PDF content)