- 1
- Боброва, Е.А. Особенности вольт-фарадных характеристик МОП структур, обусловленные зарядом в окисле / Е.А. Боброва, Н.М. Омельяновская // ФТП. – 2008. – Т. 42, вып. 11. – С. 1380–1383.
Total in-text references: 1
- In-text reference with the coordinate start=7261
- Prefix
-
: 10.21122/2220-9506-2018-9-4-306-313
307
Введение
Одним из важнейших параметров подзатворного диэлектрика, в особенности используемого
в электронной элементной базе для аэрокосмической техники, является время его наработки
на отказ. Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов
на этапе их изготовления
- Exact
-
[1–6]
- Suffix
-
.
В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется
метод, основанный на измерении величины заряда пробоя [7]. В процессе эксплуатации приборов
к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием
которого происходит деградация его структуры,
приводящая к пробою диэлектрика
- 2
- Aleksandrov, O.V., Dus', A.I. A Model of Formation of Fixed Charge in Thermal Silicon Dioxide / O.V. Aleksandrov, A.I. Dus' // Semiconductors. – 2011. – Vol. 45, No. 4. – P. 467–473. DOI: 10.1134/S1063782611040026
Total in-text references: 1
- In-text reference with the coordinate start=7261
- Prefix
-
: 10.21122/2220-9506-2018-9-4-306-313
307
Введение
Одним из важнейших параметров подзатворного диэлектрика, в особенности используемого
в электронной элементной базе для аэрокосмической техники, является время его наработки
на отказ. Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов
на этапе их изготовления
- Exact
-
[1–6]
- Suffix
-
.
В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется
метод, основанный на измерении величины заряда пробоя [7]. В процессе эксплуатации приборов
к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием
которого происходит деградация его структуры,
приводящая к пробою диэлектрика
- 3
- Харченко, В.А. Проблемы надежности электронных компонент / В.А. Харченко // Известия вузов. Материалы электронной техники. – 2015. – Т. 18, No 1. – С. 52–57. DOI: 10.17073/1609-3577-2015-1-52-57
Total in-text references: 1
- In-text reference with the coordinate start=7261
- Prefix
-
: 10.21122/2220-9506-2018-9-4-306-313
307
Введение
Одним из важнейших параметров подзатворного диэлектрика, в особенности используемого
в электронной элементной базе для аэрокосмической техники, является время его наработки
на отказ. Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов
на этапе их изготовления
- Exact
-
[1–6]
- Suffix
-
.
В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется
метод, основанный на измерении величины заряда пробоя [7]. В процессе эксплуатации приборов
к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием
которого происходит деградация его структуры,
приводящая к пробою диэлектрика
- 4
- Данилин, Н. Проблемы применения перспективной электронной компонентной базы в космосе / Н. Данилин, С. Белослудцев // Современная электроника. – 2006. – No 4. – С. 16–17.
Total in-text references: 1
- In-text reference with the coordinate start=7261
- Prefix
-
: 10.21122/2220-9506-2018-9-4-306-313
307
Введение
Одним из важнейших параметров подзатворного диэлектрика, в особенности используемого
в электронной элементной базе для аэрокосмической техники, является время его наработки
на отказ. Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов
на этапе их изготовления
- Exact
-
[1–6]
- Suffix
-
.
В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется
метод, основанный на измерении величины заряда пробоя [7]. В процессе эксплуатации приборов
к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием
которого происходит деградация его структуры,
приводящая к пробою диэлектрика
- 5
- Красников, Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : в 2 ч. / Г.Я. Красников. – М. : Техносфера, 2002. – Ч. 1. – 416 с.
Total in-text references: 1
- In-text reference with the coordinate start=7261
- Prefix
-
: 10.21122/2220-9506-2018-9-4-306-313
307
Введение
Одним из важнейших параметров подзатворного диэлектрика, в особенности используемого
в электронной элементной базе для аэрокосмической техники, является время его наработки
на отказ. Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов
на этапе их изготовления
- Exact
-
[1–6]
- Suffix
-
.
В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется
метод, основанный на измерении величины заряда пробоя [7]. В процессе эксплуатации приборов
к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием
которого происходит деградация его структуры,
приводящая к пробою диэлектрика
- 6
- Никифоров, А.Ю. Радиационная стойкость электронной компонентной базы систем специальной техники и связи / А.Ю. Никифоров, В.А. Телец // Спецтехника и связь. – 2011. – No 4. – С. 2–4.
Total in-text references: 1
- In-text reference with the coordinate start=7261
- Prefix
-
: 10.21122/2220-9506-2018-9-4-306-313
307
Введение
Одним из важнейших параметров подзатворного диэлектрика, в особенности используемого
в электронной элементной базе для аэрокосмической техники, является время его наработки
на отказ. Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов
на этапе их изготовления
- Exact
-
[1–6]
- Suffix
-
.
В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется
метод, основанный на измерении величины заряда пробоя [7]. В процессе эксплуатации приборов
к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием
которого происходит деградация его структуры,
приводящая к пробою диэлектрика
- 7
- EIA/JEDEC Standart 35-A, Procedure for the Wafer-Level Testing of Thin Dielectriec. – JEDEC Solid State Technology Association, Arlington. – 2001. – P. 1–40.
Total in-text references: 1
- In-text reference with the coordinate start=7455
- Prefix
-
Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов
на этапе их изготовления [1–6].
В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется
метод, основанный на измерении величины заряда пробоя
- Exact
-
[7]
- Suffix
-
. В процессе эксплуатации приборов
к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием
которого происходит деградация его структуры,
приводящая к пробою диэлектрика.
- 8
- EIA/JEDEC Standart 122E, Failure Mechanisms and Models tor Semiconductor Devices. – JEDEC Solid State Technology Association, Arlington. – 2009. – P. 8–12.
Total in-text references: 1
- In-text reference with the coordinate start=8810
- Prefix
-
Более эффективным методом определения
времени наработки на отказ подзатворного диэлектрика МДП-микросхемы является метод, включающий испытание тестовой МДП-структуры
путем приложения постоянного электрического напряжения к подзатворному диэлектрику
до пробоя структуры и расчета времени наработки
на отказ
- Exact
-
[8]
- Suffix
-
. Данный метод позволяет определять
время наработки на отказ подзатворного диэлектрика МДП-микросхемы в широком диапазоне
времени и таким образом оценивать реальную надежность полупроводниковых приборов.
- 9
- Solodukha, V.A. Prefailure Life Time Simulation of the Submicron ICs’ Gate Dielectric as per the 312 Breakdown Voltage Value at the Various Sweep Rates / V.A. Solodukha, S.V. Shvedov, A.N. Petlitsky, R.R. Chyhir // Proceedings 9th International Conference «New Electrical and Electronic Technologies and their Indastrial Implementation», Zakopane, Poland, June 23– 26. − 2015. − Р. 20.
Total in-text references: 1
- In-text reference with the coordinate start=11928
- Prefix
-
времени наработки на отказ подзатворного
308
диэлектрика, базирующийся на результатах
Входящая в (4) величина β рассчитывается по данным двух измерений, проведенных
с различной скоростью развертки, в соответствии
с выражением:
испытаний тестовых МДП-структур путем подачи на затвор ступенчато-нарастающего напряжения до пробоя структуры при разных скоростях
развертки
- Exact
-
[9–10]
- Suffix
-
. Такой подход основывается
на экспоненциальной зависимости времени наработки на отказ от приложенного напряжения.
В процессе эксплуатации полупроводниковый
прибор работает при напряжении Uop и время
наработки на отказ Terror-free в этом случае может
быть рассчитано из соотношения:
где А0, β – константы.
- 10
- Белоус, А.И. Методы повышения надежности микросхем на основе тестовых структур / А.И. Белоус, А.С. Турцевич, Г.Г. Чигирь. − Германия, LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH & Co. KG Heinrich-Böcking, 2012. − 240 с.
Total in-text references: 1
- In-text reference with the coordinate start=11928
- Prefix
-
времени наработки на отказ подзатворного
308
диэлектрика, базирующийся на результатах
Входящая в (4) величина β рассчитывается по данным двух измерений, проведенных
с различной скоростью развертки, в соответствии
с выражением:
испытаний тестовых МДП-структур путем подачи на затвор ступенчато-нарастающего напряжения до пробоя структуры при разных скоростях
развертки
- Exact
-
[9–10]
- Suffix
-
. Такой подход основывается
на экспоненциальной зависимости времени наработки на отказ от приложенного напряжения.
В процессе эксплуатации полупроводниковый
прибор работает при напряжении Uop и время
наработки на отказ Terror-free в этом случае может
быть рассчитано из соотношения:
где А0, β – константы.